发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置的制造方法

发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置的制造方法
【专利摘要】提供一种电流效率高的发光元件。提供一种耗电量低的发光装置。而且，提供一种耗电量低的电子设备及照明装置。发光元件在一对电极之间包括EL层。EL层包括发光层。发光层包括第一发光层及第二发光层。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层包含主体材料及客体材料。客体材料的LUMO能级在主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内。
【专利说明】
发光元件、发光装置、电子设备从及照明装置
技术领域
[0001] 本发明的一个方式设及一种其中通过施加电场来能够发射光的有机化合物设置 在一对电极之间的发光元件，并设及一种具有运种发光元件的发光装置、电子设备W及照 明装置。
[0002] 注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一 个方式的技术领域设及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式设及一种工序 (process)、机器(machine)、产品（manufacture)或组合物（composition of matter)。具体 而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可W举出半导体装置、 显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或它 们的制造方法。
【背景技术】
[0003] 具有薄型、轻量、高速响应性及直流低电压驱动等特征的使用有机化合物作为发 光体的发光元件被期待用于下一代平板显示器。尤其是，将发光元件配置为矩阵状的显示 装置与现有的液晶显示装置相比具有视角广且可见度优异的优点。
[0004] 发光机理被认为如下：当在一对电极之间夹着包含发光体的化层并对该一对电极 之间施加电压时，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在化层的发光中屯、复合而形成分 子激子，在该分子激子返回到基态时释放出能量而发光。已知激发态有单重激发态和=重 激发态，并且无论经过上述任一种激发态都可W实现发光。
[0005] 为了提高运种发光元件的元件特性，元件结构的改进、材料的开发等被积极地进 行(例如，参照专利文献1)。
[0006] [参考文献]
[专利文献]
[专利文献1 ]日本专利申请公开2010-182699号公报。

【发明内容】

[0007] 在发光元件的开发中，发光元件的电流效率是评价的重要要素之一。较高的电流 效率可W降低耗电量，因此可W期待批量生产的实现。因此，需要开发出电流效率高的发光 元件。
[0008] 本发明的一个方式是提供一种电流效率高的发光元件。本发明的另一个方式是提 供一种包括上述发光元件的耗电量低的发光装置。本发明的另一个方式是提供一种耗电量 低的电子设备及照明装置。本发明的另一个方式是提供一种新颖的发光元件、新颖的发光 装置或新颖的照明装置等。注意，运些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的 一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，上述W外的目的从说明书、附图及权利要求书 等的记载看来显而易见，且可W从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽取上述W外的 目的。
[0009] 本发明的一个方式是一种在一对电极（阳极和阴极)之间包括化层的发光元件。EL 层包括发光层。发光层包括第一发光层及第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光 层之间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第一发光层具有与第二发光层接触的 区域。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层包含 主体材料及客体材料。客体材料的LUMCKLowest Unoc州pied Mole州Iar Orbital:最低未 占据分子轨道)能级在主体材料的LUMO能级的±0.1 eVW内。
[0010] 本发明的另一个方式是一种包括第一化层、第二化层及电荷产生层的发光元件。 第一化层、第二化层及电荷产生层设置在阴极和阳极之间。电荷产生层设置在第一化层和 第二化层之间。第一化层包括第S发光层，第二化层包括第四发光层。第S发光层和第四发 光层中的至少一个包括第一发光层和第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光层之 间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光 层的发射峰值的波长短。第一发光层包含主体材料及客体材料。客体材料的LUMO能级在主 体材料的LUMO能级的± 0.1 eV W内。
[0011] 本发明的另一个方式是一种在一对电极（阳极和阴极)之间包括化层的发光元件。 化层包括发光层。发光层包括第一发光层及第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发 光层之间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第一发光层具有与第二发光层接触 的区域。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层及 第二发光层包含相同主体材料。包含在第一发光层中的客体材料的LUMO能级在主体材料的 LUMO能级的±0.1 eVW内。
[0012] 本发明的另一个方式是一种包括第一化层、第二化层及电荷产生层的发光元件。 第一化层、第二化层及电荷产生层设置在阴极和阳极之间。电荷产生层设置在第一化层和 第二化层之间。第一化层包括第S发光层，第二化层包括第四发光层。第S发光层和第四发 光层中的至少一个包括第一发光层和第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光层之 间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光 层的发射峰值的波长短。第一发光层及第二发光层包含相同主体材料。包含在第一发光层 中的客体材料的LUMO能级在主体材料的LUMO能级的±0.1 eVW内。
[0013] 在上述各结构中，发光元件还包括第五发光层。第五发光层设置在第一发光层和 阴极之间。第五发光层具有与第一发光层接触的区域。第五发光层和第二发光层包含相同 的材料。
[0014] 在上述各结构中，第一发光层中的发光在560nmW上且700nmW下的范围具有峰值 波长，第二发光层中的发光在SOOnmW上且560nmW下的范围具有峰值波长。
[0015] 在上述各结构中，第一发光层所包含的客体材料是憐光有机金属银配合物。
[0016] 本发明的另一个方式是一种包括具有上述中的任一个结构的发光元件的发光装 置。
[0017] 本发明的一个方式在其范畴内不仅包括具有发光元件的发光装置，而且包括具有 发光装置的电子设备及照明装置。由此，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源 (例如，照明装置）。另外，发光装置有时在其范畴内还包括如下模块中的任何:在发光装置 中安装有连接器诸如FPC(Flexit)Ie printed circuit:柔性印刷电路）或TCP(Tape 化rrier化Ckage:载带封装）的模块;在TCP端部设置有印刷线路板的模块；W及IC(集成电 路)通过COG(化ip On Glass:玻璃上忍片)方式直接安装在发光元件上的模块。
[0018] 本发明的一个方式能够提供一种电流效率高的发光元件。本发明的另一个方式能 够提供一种包括上述发光元件的耗电量低的发光装置。本发明的另一个方式能够提供一种 耗电量低的电子设备及照明装置。本发明的另一个方式能够提供一种新颖的发光元件、新 颖的发光装置和新颖的照明装置等。注意，运些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明 的一个方式并不需要实现所有上述效果。另外，上述W外的效果从说明书、附图及权利要求 书等的记载看来显而易见，且可W从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽取上述W外 的效果。
【附图说明】
[0019] 图1示出本发明的一个方式的发光元件的结构； 图2A及图2B示出发光元件的结构； 图3示出发光元件的结构； 图4A及图4B示出发光装置的结构； 图5A至图5D示出电子设备； 图6示出照明装置； 图7示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3及比较发光元件4的结构； 图8是示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3及比较发光元件4的亮度-电流效率 特性的图； 图9是示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3及比较发光元件4的发射光谱的图。
【具体实施方式】
[0020] W下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不限于下文的描述并 且可W用多种方式修改本发明的模式和细节而不偏离本发明的目的和范围。因此，本发明 不应该被解释为仅局限在W下所示的实施方式所记载的内容中。
[0021] 实施方式1 在本实施方式中，将对本发明的一个方式的发光元件进行说明。
[0022] 在本发明的一个方式的发光元件中，在一对电极之间设置有包含发光层的化层。 该发光层具有层叠至少包含客体材料(发光性材料)及主体材料(电子传输性材料或空穴传 输性材料）的第一发光层W及至少包含客体材料(发光性材料)及主体材料（电子传输性材 料或空穴传输性材料)的第二发光层的叠层结构。
[0023] 下面，将参照图1说明本发明的一个方式的发光元件的结构。
[0024] 在图1所示的发光元件中，在一对电极(阳极101、阴极102)之间设置有包含发光层 106的化层103。该化层103具有在阳极101上依次层叠有空穴注入层104、空穴传输层105、发 光层106、电子传输层107、电子注入层108等的结构。
[0025] 注意，发光层106包括层叠了的多个发光层，在图1中，层叠有两个发光层(第一发 光层106a、第二发光层106b)。第一发光层106a至少包含客体材料(第一发光性材料）109a及 主体材料110。第二发光层10化至少包含客体材料(第二发光性材料)l〇9b及主体材料110。 [00%]至于发光层106(第一发光层106a、第二发光层106b)所包含的客体材料(第一发光 性材料109a、第二发光性材料109b)，第二发光性材料109b的发射峰值的波长比第一发光性 材料109a短。并且，第一发光层106a所包含的第一发光性材料109a的LUMO能级在第一发光 层106a所包含的主体材料110的LUMO能级的± 0.1 eV W内。
[0027] 作为发光层106所包含的主体材料110,主要使用其电子迁移率为l(T6cm2/VsW上 的电子传输性材料或其空穴迁移率为l(T6cm2/VsW上的空穴传输性材料。
[0028] 当发光层106具有其中客体材料分散于主体材料110的结构时，可W抑制发光层 106的晶化。另外，通过抑制因发光性材料的浓度高而导致的浓度巧灭，可W提高发光元件 的发光效率。
[0029] 注意，层叠了的发光层（106a、10化)优选包含相同的主体材料110,但是只要是不 会失去作为发光层的功能，就可W使用不同的材料。
[0030] 此外，主体材料110的=重激发态能级(Tl能级)优选高于客体材料（109a、109b)的 Tl能级。运是因为在主体材料110的Tl能级低于客体材料(109a、109b)的Tl能级时，主体材料 110使有助于发光的发光性材料（109a、109b)的=重激发态能级巧灭，而导致发光效率的降 低。
[0031] 注意，在图1所示的本发明的一个方式的发光元件中，KJl中的发光层具有从阴极 一侧层叠有第一发光层106a和第二发光层10化运两层的结构。并且，第一发光层106a包含 主体材料110及其LUMO能级在主体材料110的LUMO能级的± 0.1 eV W内的客体材料(第一发 光性材料109a)。因此可W降低第一发光层106a中的载流子(电子)俘获性，防止发光区域过 度扩大，并提高电流效率。另外，因上述特性而从第一发光层106a移动的载流子(电子)高效 地移动到接触于第一发光层106a的第二发光层106b，所W还可W提高第二发光层106b的电 流效率。
[0032] 在图1所示的本发明的一个方式的发光元件中，优选在第一发光层106a和阴极之 间设置与第一发光层106a接触并包含与第二发光层106b相同的材料的第=发光层。通过采 用运种结构，可W得到不容易受到随时间的载流子平衡变化的影响的发光元件，即使用寿 命长的发光元件。
[0033] 下面，将对上述发光元件的制造的具体例子进行说明。
[0034] 作为第一电极（阳极）101及第二电极（阴极）102,可W使用金属、合金、导电化合物 及它们的混合物等。具体而言，可W使用氧化铜-氧化锡（indium tin oxide)、包含娃或氧 化娃的氧化铜-氧化锡、氧化铜-氧化锋（indi皿zinc oxide)、包含氧化鹤及氧化锋的氧化 铜、金(Au)、销（Pt)、儀(Ni)、鹤(W)、铭（Cr)、钢(Mo)、铁(Fe)、钻（Co)、铜（Cu)、钮（Pd)、铁 (Ti)。此外，可W使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属诸如裡(Li)或飽 (Cs)、碱±金属诸如巧(化)或锁(Sr)、儀(Mg)、包含运些元素的合金(例如，MgAg或AlLi)、稀 上金属诸如館(Eu)或镜(Yb)、包含运些元素的合金W及石墨締等。第一电极（阳极）101及第 二电极（阴极)1〇2例如可W通过瓣射法或蒸锻法(包括真空蒸锻法)来形成。
[0035] 空穴注入层104通过空穴传输性高的空穴传输层105对发光层106注入空穴。该空 穴注入层104包含空穴传输性材料及受体物质，由此受体物质从空穴传输性材料抽出电子 来发生空穴，并且该空穴通过空穴传输层105注入到发光层106。注意，空穴传输层105使用 空穴传输性材料来形成。
[0036] 用于空穴注入层104及空穴传输层105的空穴传输性材料的具体例子包括4,4'-双
[N-(l-糞基)-N-苯氨基]联苯（简称:NPB或a-NPD)、N，N'-双（3-甲基苯基)-N，N'-二苯基- [l，r-联苯]-4,4'-二胺(简称:TPD)、4,4'，4' '-S(巧挫-9-基)S苯胺(简称:TCTA)、4,4'， 4' '-S(N，N-二苯氨基)S苯胺(简称:TDATA)、4,4'，4' '-S阳-(3-甲基苯基)-N-苯氨基]S 苯胺(简称:MTDATA)、4,4'-双[N-(螺-9,9'-二巧-2-基)-N-苯氨基]联苯(简称:BSPB)等芳 香胺化合物；3-[N-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzPCAI ); 3，6-双 [N-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzPCA2);3-[N-(l-糞基)-N-(9-苯 基巧挫-3-基)氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzPCNl)。其他的例子包括4,4'-二(N-巧挫基)联 苯(简称:CBP)、l，3,5-S[4-(N-巧挫基)苯基]苯(简称:TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蔥基）苯 基]-9H-巧挫（简称:CzPA)等巧挫衍生物。在此所述的物质主要是空穴迁移率为l(T6cm2/Vs W上的物质。注意，只要是空穴传输性比电子传输性高的物质，就也可W使用上述W外的任 何物质。
[0037] 其他的例子包括聚（N-乙締基巧挫）（简称：PVK)、聚（4-乙締基S苯胺）（简称： PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯氨基)苯基]苯基-N'-苯氨基}苯基）甲基丙締酷胺](简 称:PTPDMA)、聚阳，N'-双(4-下基苯基)-N，N'-双(苯基)联苯胺](简称:Pol厂TPD)等高分子 化合物。
[0038] 用于空穴注入层104的受体物质的例子包括属于元素周期表中第4族至第如矣的金 属的氧化物。具体地说，氧化钢是特别优选的。
[0039] 发光层106(第一发光层106a、第二发光层10化)包含客体材料109( 109a、109b)及 主体材料110,运些的每一个具有如上述那样的结构。
[0040]在发光层106(第一发光层106a、第二发光层10化）中，对可W被用作客体材料(发 光性材料或者发光中屯、物质）（l〇9a、109b)的材料没有特别的限制。可W使用将单重激发态 能转换成发光的发光性材料或将=重激发态能转换成发光的发光性材料。注意，发光性材 料109a的发光颜色的波长比发光性材料109b的发光颜色的波长短。上述发光性材料及发光 中屯、物质的例子为如下。
[0041]将单重激发态能转换成发光的发光性材料的例子包括发射巧光的物质，例如:N, N ' -双[4-( 9H-巧挫-9-基)苯基]-N，N ' -二苯基巧-4，4 ' -二胺(简称:YGA2S )、4-( 9H-巧挫-9- 基)-4 ' -(10-苯基-9-蔥基)S 苯胺(简称:YGAPA)、4-(9H-巧挫-9-基)-4 '-(9，10-二苯基-2- 蔥基)S苯胺（简称：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-( 10-苯基-9-蔥基)苯基]-9H-巧挫-3-胺 (简称:PCAPA)、二糞嵌苯、2,5,8，11-四（叔下基）二糞嵌苯（简称^8?)、4-(10-苯基-9-蔥 基）-4'-(9-苯基-9H-巧挫-3-基）S苯胺（简称：PCBAPA)、N，N''-(2-叔下基蔥-9，10-二基 二-4，1-亚苯基)双[N，N'，N'-S苯基-1，4-苯二胺](简称:DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9， 10-二苯基-2-蔥基)苯基]-9H-巧挫-3-胺(简称:2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蔥基)苯 基]-N，N'，N'-S苯基-1,4-苯二胺(简称:2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N' '，N' '，N' ' '，N' ' 八苯 基二苯并[g，P]窟(chrysene)-2,7，10，15-四胺(简称:DBCl)、香豆素30、N-(9，10-二苯基- 2-蔥基)-N，9-二苯基-9H-巧挫-3-胺（简称：2PCAPA)、N-[9，10-双（I，1'-联苯-2-基)-2-蔥 基]-N，9-二苯基-9H-巧挫-3-胺(简称:2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蔥基)-N，N'，N'-S 苯基-1,4-苯二胺(简称：2DPAPA)、N-[9，10-双（1，1'-联苯-2-基)-2-蔥基]-N，N'，N'-S苯 基-1,4-苯二胺（简称：2DPAB曲A)、9，10-双（l，r-联苯-2-基）-N-[4-(9H-巧挫-9-基）苯 基]-N-苯基蔥-2-胺（简称：2YGABPhA)、N，N，9-S苯基蔥-9-胺（简称:DPhAPhA)、香豆素 545T、N，N'-二苯基哇日丫晚酬（简称:DPQd)、红巧締、5，12-双（l，^-联苯-4-基)-6，ll-二苯 基并四苯(简称:BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙締基}-6-甲基-4H-化喃-4-亚基 (ylidene))丙二腊（简称：DCMl)、2-{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氨苯并[ij]哇嗦 (quinolizin)-9-基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基}丙二腊（简称:DCM2)、N，N，N'，N'-四（4-甲 基苯基)并四苯-5，ll-二胺（简称:p-m化TD)、7，14-二苯基-N，N，N'，N'-四（4-甲基苯基)起 并（acena地tho) [ 1,2-a]巧蔥-3,10-二胺（简称：p-mPhAFD)、{2-异丙基-6-[2-( 1,1,7,7- 四甲基-2,3,6,7-四氨-巧，5护苯并[。']哇嗦-9-基）乙締基]-他-化喃-4-亚基}丙二腊(简 称：DCJTI)、{2-叔下基-6-[2-(l，l，7,7-四甲基-2,3,6,7-四氨苯并[ij]哇嗦-9- 基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基}丙二腊(简称:DCJTB)、2-(2,6-双{2-[4-(二甲基氨基)苯基] 乙締基}-4H-化喃-4-亚基）丙二腊（简称:BisDCM)、2-{2,6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7,7-四甲 基-2,3,6,7-四氨苯并[ij]哇嗦-9-基）乙締基]-4H-化喃-4-亚基}丙二腊（简称： BisDCJTM)。
[0042] 另外，将=重激发态能转换成发光的发光性材料的例子包括发射憐光的物质及呈 现热活化延迟巧光的热活化延迟巧光（thermally activated delayed fluorescence) (TAD巧材料。注意，TADF材料所呈现的"延迟巧光"是指具有与通常的巧光相同的光谱并且 使用寿命非常长的发光，即使用寿命为1(T6秒W上，优选为1(T3秒W上。
[0043] 该发射憐光的物质的例子包括双[2-(3'，5'-双S氣甲基苯基）化晚-N，C2']银 (III)化晚甲酸醋（简称：IKCF迎 py)2(pic))、双[2-(4'，6'-二氣苯基)化晚-N，c2']银（III) 乙酷丙酬（简称:FIracac)、S(2-苯基化晚）银（IIIK简称：Ir(ppy)3)、双（2-苯基化晚）银 (111)乙酷丙酬（简称：1八口口7)2(日。日一）、^(乙酷丙酬）（一菲咯嘟）铺（111)(简称：化 (acac)3(Phen))、双(苯并比]哇嘟）银（III)乙酷丙酬（简称：Iパbzq)2(acac))、双（2,4-二苯 基-1,3-嗯挫-N，C2'）银（III)乙酷丙酬（简称：Ir(dpo)2(acac))、双{2-[4'-(全氣苯基）苯 基]化晚-N，C2'}银（III)乙酷丙酬（简称：b(p-PF-ph)2(acac))、双（2-苯基苯并嚷挫-N，C 2'） 银（III)乙酷丙酬（简称：Ir(bt)2(acac))、双[2-(2'-苯并[4,5-日]嚷吩基）化晚-N，c3']银 (III)乙酷丙酬(简称：b(btp)2(acac))、双（1-苯基异哇嘟-N，C2'）银(III)乙酷丙酬(简称： I;r(piq)2(acac))、（乙酷丙酬）双[2,3-双（4-氣苯基）哇喔嘟合（911；[]1〇皿1;[]1日1:〇)]银（111) (简称：Ir(FdpqMacac))、（乙酷丙酬）双（3,5-二甲基-2-苯基化嗦）银（IIIK简称：[Ir (mppr-Me)2(acac)])、（乙酷丙酬）双（5-异丙基-3-甲基-2-苯基化嗦）银（IIIK简称：[Ir (mpp;r-iP;r)2(acac)])、（乙酷丙酬）双（2，3，5-S苯基[I比嗦）银（III)(简称：IK tpp;r)2 (acac))、双（2,3,5-S苯基化嗦）（二新戊酷甲烧）银（IIIK简称：[Ir(t卵r)2(dpm)])、（乙 酷丙酬）双（6-叔下基-4-苯基喀晚）银（IIIK简称：[Ir(tBuppm)2(acac)])、（乙酷丙酬）双 (4,6-二苯基喀晚）银（IIIK简称：[Ir(d卵m)2(acac)])、2,3,7,8，12，13，17，18-八乙基- 21化23护化嘟销aI)(简称:Pt0EP)、S(l，3-二苯基-l，3-丙二酬）（一菲咯嘟)館aII)(简 称:Eu(DBM)3(Phen))、S[l-(2-嚷吩甲酯基)-3,3,3-S氣丙酬](一菲咯嘟)館（IIIX简称： 化（TTA)3(陆en))。
[0044] TADF材料的具体例子包括富勒締及其衍生物、原黄素等叮晚衍生物、曙红 (603111)。其他的例子包括包含儀诚肖）、锋(211)、儒(〔(1)、锡(511)、销(？。、铜（111)或钮(？(1)等 的含金属化嘟。该含金属化嘟的例子包括原化嘟-氣化锡配合物（SnF2(Proto IX))、中化 嘟-氣化锡配合物（SnF2(Meso IX))、血化嘟-氣化锡配合物(SnF2(Hemato IX))、粪化嘟四甲 醋-氣化锡配合物（SnF2(CoprO III -4Me))、八乙基化嘟-氣化锡配合物（SnF2(OEP))、初化 嘟-氣化锡配合物(SnF2(Etio 1))^及八乙基化嘟-氯化销配合物(？扣12〇6?)。再者，可^使 用例如 2-(联苯-4-基）-4,6-双（12-苯基吗 I 噪[2,3-a]巧挫-11-基）-l，3,5-S 嗦（PIC-TRZ) 的具有富n电子芳杂环及缺n电子芳杂环的杂环化合物。注意，特别优选使用富JT电子芳杂环 与缺n电子芳杂环直接键合的物质，因为富n电子芳杂环的供体性质和缺JT电子芳杂环的受 体性质都提高并且Sl能级与Tl能级之间的能量差减小。
[0045 ]作为用于发光层106 (106a、106b)中的主体材料110的电子传输性材料，缺JT电子型 杂芳族化合物诸如含氮杂芳族化合物是优选的，其例子包括哇喔嘟衍生物及二苯并哇喔嘟 衍生物诸如2-[3-(二苯并嚷吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]哇喔嘟（简称JmDBTPDBq-II)、2- [3'-(二苯并嚷吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]哇喔嘟(简称JmDBTBPDBq-II)、2-[4-(3， 6- 二苯基-9H-巧挫-9-基)苯基]二苯并[f，h]哇喔嘟（简称:2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并嚷 吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]哇喔嘟(简称:7血BTPDBq-II)、6-[3-(二苯并嚷吩-4-基)苯基] 二苯并[f，h]哇喔嘟（简称:SmDBTPDBq-II)。注意，在将哇喔嘟衍生物用作电子传输性的主 体材料的情况下，客体材料优选为W具有烷基的苯基化嗦衍生物为配体的有机金属配合物 (具体而言，银配合物）。运是因为可W降低电子俘获性的缘故。
[0046] 作为用于发光层106( 106a、106b)的主体材料110的空穴传输性材料，富JT电子型杂 芳族化合物(例如，巧挫衍生物或吗I噪衍生物)或芳香胺化合物是优选的，其例子包括:4-苯 基-4'-(9-苯基-9H-巧挫-3-基)S苯胺（简称:PCBA1BP)、4,4'-二（1-糞基)-4' '-(9-苯基- 9H-巧挫-3-基)S苯胺(简称:PCBNBB)、3-[N-(l-糞基)-N-(9-苯基巧挫-3-基)氨基]-9-苯 基巧挫（简称:PCzPCNl)、4,4'，4' '-S阳-(1-糞基)-N-苯氨基]S苯胺(简称：r-TNATA)、2， 7- 双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-螺-9,9'-二巧（简称:DPA2S巧、N，N'-双(9-苯基巧 挫-3-基)-N，N ' -二苯基苯-1，3-二胺(简称:PCA2B)、N-( 9，9-二甲基-2-二苯氨基-9H-巧-7- 基)二苯基胺（简称:DPNF)、N，N'，N' '-S苯基-N，N'，N' '-S(9-苯基巧挫-3-基)苯-1，3,5- S胺(简称:PCA3B)、2-[N-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]螺-9,9'-二巧(简称:PCASF)、2- [N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]螺-9,9'-二巧(简称:DPASF)、N，N'-双[4-(巧挫-9-基)苯 基]-N，N'-二苯基-9,9-二甲基巧-2,7-二胺(简称:YGA2F)、4,4'-双阳-(3-甲基苯基)-N- 苯氨基]联苯(简称:TPD)、4,4'-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]联苯(简称:DPAB)、N- (9，9-二甲基-9H-巧-2-基)-N-{ 9，9-二甲基-2-阳'-苯基-N ' -(9，9-二甲基-9H-巧-2-基)氨 基]-9H-巧-7-基}苯基胺(简称:D化AD化）、3-阳-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯氨基]-9-苯基巧 挫（简称:PCzPCAl)、3-[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzDPAl)、3， 6-双[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯氨基]-9-苯基巧挫（简称:PCzDPA2)、4,4'-双(N-{4-阳 (3-甲基苯基)-N'-苯氨基]苯基}-N-苯氨基)联苯(简称:DNTPD)、3,6-双[N-(4-二苯氨基苯 基)-N-(l-糞基)氨基]-9-苯基巧挫(简称:PCzTPN2)、3,6-双[N-(9-苯基巧挫-3-基)-N-苯 氨基]-9-苯基巧挫(简称:PCZPCA2 )。
[0047] 注意，发光层106( 106a、106b)可W还包含除主体材料及客体材料W外的材料。例 如，发光层1〇6( 106a、106b)优选包含上述电子传输性材料作为主体材料，并还包含上述空 穴传输性材料。
[0048] 电子传输层107是包含电子传输性高的物质的层。对电子传输层107可W使用金属 配合物诸如Alq3、^(4-甲基-8-径基哇嘟)侣（简称:Almq3)、双（10-径基苯并比]哇嘟合)被 (简称:86892)、84^、211(8(^2或双[2-(2-径基苯基)苯并嚷挫]锋(简称:211(812)2)。也可^ 使用杂芳族化合物诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔下苯基)-1,3，4-嗯二挫（简称:P抓）、1,3-双 [5-(对叔下苯基)-1,3,4-嗯二挫-2-基]苯(简称:0XD-7)、3-(4-叔下苯基)-4-苯基-5-(4- 联苯基)-l，2,4-S挫（简称:TAZ)、3-(4-叔下苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4- S挫（简称:P-EtTAZ)、红菲咯嘟(简称:B地en)、浴铜灵(简称:BCP)、4，4 ' -双巧-甲基苯并嗯 挫-2-基)巧(简称:BzOs)。也可W使用高分子化合物诸如聚（2,5-化晚二基）（简称:PPy)、聚 [(9，9-二己基巧-2，7-二基)-c0-(化晚-3，5-二基）](简称:PF-Py )、聚[(9，9-二辛基巧-2， 7-二基)-c0-(2，2 ' -联化晚-6，6 ' -二基）](简称:PF-BPy )。运里所述的物质主要是具有1 X !(T6Cm2AsW上的电子迁移率的物质。注意，只要是电子传输性比空穴传输性高的物质，就 可W将上述物质之外的任何物质用于电子传输层107。
[0049] 电子传输层107不局限于单层，也可W为两个W上层的叠层，其中各层包含上述中 的任何物质。
[0050] 电子注入层108是包含具有高电子注入性的物质的层。作为电子注入层108,可W 使用碱金属、碱上金属、或者它们的化合物诸如氣化裡(LiF)、氣化飽(CsF)、氣化巧(CaF2) 或氧化裡化iOx)。也可W使用如氣化巧(ErF3)等的稀±金属化合物。可W将电子盐用于电子 注入层108。电子盐的例子包括对氧化巧-氧化侣W高浓度添加电子的物质。可W使用用来 形成电子传输层107的上述中的任何物质。
[0051] 也可W将有机化合物与电子给体（供体）混合而成的复合材料用于电子注入层 108。因为该电子给体使得电子产生在有机化合物中，所W该复合材料的电子注入性及电子 传输性优异。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面优异的材料。具体而 言，例如可W使用上述用来形成电子传输层107的物质（例如，金属配合物或杂芳族化合 物）。作为电子给体，可W使用对有机化合物呈现电子给体性的物质。具体地说，优选使用碱 金属、碱±金属和稀±金属，并且可W举出裡、飽、儀、巧、巧、镜。另外，优选碱金属氧化物或 碱±金属氧化物，并且可W使用氧化裡、氧化巧、氧化领。还可W使用例如氧化儀的路易斯 碱。另外，也可W使用例如四硫富瓦締(简称:TT巧的有机化合物。
[0052]空穴注入层104、空穴传输层105、发光层106( 106a、106b)、电子传输层107及电子 注入层108可W通过蒸锻法(例如，真空蒸锻法）、喷墨法或涂敷法等的方法形成。
[0053] 在上述发光元件中，由于在第一电极101和第二电极102之间产生的电位差而注入 载流子，并且在化层103中空穴和电子复合，由此发光。然后，所发射的光经过第一电极101 和第二电极102中的一个或两个被提取到外部。因此，第一电极101和第二电极102中的一个 或两个为具有透光性的电极。
[0054] 具有本实施方式所说明的结构的发光元件可W发射多种颜色的光，尤其可W发射 一种电流效率高的颜色的光，运可W提高其他发光颜色的电流效率，并可W提高整体的发 光元件的发光效率。
[0055] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式适当地组合。
[0化6]实施方式2 在本实施方式中，作为本发明的一个方式，使用图2A和图2B对包括在其间夹住电荷产 生层的多个化层的发光元件（W下，称为串联型发光元件)进行说明。
[0057]本实施方式所示的发光元件是如图2A所示的串联型发光元件，该串联型发光元件 包括一对电极(第一电极20巧日第二电极204)之间的多个化层(第一化层202( I)和第二化层 202(2))。
[0058]在本实施方式中，第一电极201被用作阳极，第二电极204被用作阴极。注意，第一 电极201及第二电极204可W具有与实施方式1所示的结构相同的结构。此外，多个化层(第 一化层202(1)和第二化层202(2))的全部或任一个也可W具有与实施方式1所示的结构相 同的结构。换言之，第一化层202(1)和第二化层202(2)的结构也可W彼此相同或不同，并且 可W与实施方式1所示的EL层相同。
[0化9] 另外，电荷产生层205设置在多个化层(第一化层202(1)和第二化层202(2))之间。 电荷产生层205具有在对第一电极201和第二电极204施加电压时将电子注入化层的一个且 将空穴注入EL层的另一个的功能。在本实施方式中，当W第一电极201的电位高于第二电极 204的电位的方式施加电压时，电荷产生层205将电子注入第一化层202(1)中且将空穴注入 第二化层202(2)中。
[0060] 注意，从光提取效率的观点来看，电荷产生层205优选具有可见光透射性(具体而 言，电荷产生层205具有40%W上的可见光透射率）。即使电荷产生层205的导电率低于第一 电极201或第二电极204的导电率，电荷产生层205也适当地发挥其作用。
[0061] 电荷产生层205可W具有电子受体(受体)添加在空穴传输性材料的结构或者电子 给体(供体)添加在电子传输性材料的结构。或者，也可W层叠有运两种结构。
[0062] 在是电子受体添加在空穴传输性材料的结构的情况下，作为空穴传输性材料，例 如，可W使用芳族胺化合物诸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA或4，4 ' -双[N-(螺环-9，9 ' -联巧-2- 基)-N-苯氨基]联苯(简称:BSPB)等。在此所述的物质主要是具有l(T6cm2/VsW上的空穴迁 移率的物质。但是，只要是具有比电子传输性高的空穴传输性的有机化合物，就可W使用上 述W外的任何物质。
[00创电子受体的例子包括7,7,8,8-四氯基-2,3,5,6-四氣酿二甲烧(简称:F4-TCNQ)、 氯酿等。可W使用过渡金属氧化物。还可W使用属于元素周期表中第4族至第8族的金属的 氧化物。具体而言，优选使用氧化饥、氧化妮、氧化粗、氧化铭、氧化钢、氧化鹤、氧化儘和氧 化鍊，因为它们的电子接收性很高。尤其，氧化钢是优选的，因为氧化钢在大气中稳定，具有 低吸湿性，且容易进行处理。
[0064] 另一方面，在是电子给体添加在电子传输性材料的结构的情况下，作为电子传输 性材料，例如，可W使用具有哇嘟骨架或苯并哇嘟骨架的金属配合物诸如Alq、Almq3、BeBq2 或BAlq。或者，可W使用具有嗯挫基配体或嚷挫基配体的金属配合物诸如Zn(B0X)2或Zn (BTZ )2。再者，除了上述金属配合物之外，可W使用PBD、0XD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述 的物质主要是具有l(T6cm2/VsW上的电子迁移率的物质。另外，只要是具有比空穴传输性高 的电子传输性的有机化合物，就可W使用上述W外的任何物质。
[0065] 作为电子给体，可W使用碱金属、碱±金属、稀±金属、属于元素周期表中第2或第 13族的金属、或者它们的氧化物或碳酸盐。具体而言，优选使用裡化0、飽(Cs)、儀(Mg)、巧 (Ca)、镜（Yb)、铜（In)、氧化裡、碳酸飽等。或者，可W将有机化合物如四硫糞并糞 (tetrathiana地thacene)用作电子给体。
[0066] 注意，通过使用上述中的任何材料形成电荷产生层205,可W抑制因层叠化层而导 致的驱动电压增大。
[0067] 虽然本实施方式示出具有两个化层的发光元件，但是如图2B所示，本发明可W同 样地应用于层叠有n个化层（202(1)至202(n))(n是3W上）。如根据本实施方式的发光元件 的那样，在多个化层包含在一对电极之间的情况下，通过将电荷产生层(205(1)至205(n- 1))配置在EL层之间，可W在保持低电流密度的同时得到高亮度区域中的发光。因为可W保 持低电流密度，所W元件可W具有长使用寿命。当上述发光元件应用于照明时，可W减少由 于电极材料的电阻导致的电压下降，所W可W实现大面积的均匀发光。此外，可W实现能够 W低电压驱动的耗电量低的发光装置。
[0068] 当使各化层发射互不相同颜色的光时，发光元件的整体可W发射所希望颜色的 光。例如，在具有两个化层的发光元件中，在第一化层的发光颜色和第二化层的发光颜色为 补色时，发光元件整体可W提供白色发光。注意，词语"补色"意味着在混合颜色时得到非彩 色的颜色关系。也就是说，当混合从发射补色颜色的光的物质得到的光时，可W得到白色发 光。
[0069] 同样地，在具有S个化层的发光元件中，例如，当第一化层的发光颜色是红色（例 如，在580nm和680nm之间具有发射光谱的峰值），第二化层的发光颜色是绿色（例如，在 SOOnm和560nm之间具有发射光谱的峰值），第S化层的发光颜色是蓝色（例如，在400nm和 480nm之间具有发射光谱的峰值)时，发光元件整体可W得到白色发光。
[0070] 作为包括上述发光元件的发光装置，可W制造无源矩阵型发光装置和有源矩阵型 发光装置。还可W制造具有微腔结构的发光装置。上述发光装置的每一个都是本发明的一 个方式。
[0071] 注意，在制造有源矩阵型发光装置的情况下，对晶体管(FET)的结构没有特别的限 审IJ。例如，可W适当地使用交错型FET或反交错型FET。形成在FET衬底上的驱动电路可W使 用N型FET和P型FET中的一个或两个形成。并且，对用于FET的半导体膜的结晶性也没有特别 的限制。例如，可W使用非晶半导体膜或结晶半导体膜。半导体材料的例子包括第13族半导 体(例如，嫁）、第14族半导体(例如，娃）、化合物半导体(包括氧化物半导体）W及有机半导 体。
[0072] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。
[0073] 实施方式3 在本实施方式中，将说明本发明的一个方式的发光装置。
[0074] 本实施方式所示的发光装置具有利用一对电极之间的光共振效应的光学微共振 器(micro optical resonator)(微腔)结构。如图3所示，该发光装置具有多个发光元件，各 发光元件在一对电极(反射电极301与半透射?半反射电极302)之间至少具有化层305。化 层305至少具有被用作发光区域的发光层304,并还包括空穴注入层、电子传输层、电子注入 层、电荷产生层等。
[0075] 如图3所示，本实施方式所示的发光装置具有两种发光元件(第一发光元件310P及 第二发光元件310Q)。
[0076]第一发光元件310P具有在反射电极301上依次层叠有第一透明导电层303a、其一 部分包括发光层304的化层305W及半透射?半反射电极302的结构。第二发光元件310Q具 有在反射电极301上依次层叠有第二透明导电层303b、其一部分包括发光层304的化层305 W及半透射?半反射电极302的结构。
[0077] 本实施方式所示的两种发光元件共同使用反射电极301、化层305、W及半透射- 半反射电极302。发光层304具有发射在第一波长区域中具有峰值的光(Ap)的层及发射在第 二波长区域中具有峰值的光(Ag)的层的结构。在此情况下，上述波长满足Aq<Ap的关系。
[0078] 各发光元件具有在反射电极301与半透射?半反射电极302之间设置有化层305的 结构。从包括在化层305中的各发光层向全方向射出的光由起光学微共振器(微腔)作用的 反射电极301和半透射?半反射电极302共振。
[0079] 注意，反射电极301使用具有反射性的导电材料形成，且形成为可见光反射率为 40%至100%，优选为70%至100%，电阻率为1 X 1〇-2 Q cmW下的膜。另外，半透射?半反射电极 302使用具有反射性的导电材料和具有透光性的导电材料形成，且形成为可见光反射率为 20%至80%，优选为40%至70%，电阻率为1 X 10-2 Q cmW下的膜。
[0080] 将第一透明导电层303a及第二透明导电层303b形成为其厚度彼此不同，因此两种 发光元件的反射电极301与半透射?半反射电极302之间的光学距离互不相同。由此，在反 射电极301与半透射?半反射电极302之间，可W使共振的波长的光变强并可W使不共振的 波长的光衰减，所W可W提取其波长根据发光元件而不同的光。
[0081] 另外，在第一发光元件310P中，将从反射电极301到半透射?半反射电极302的总 厚度(光学厚度的总和)设定为mW2(m是自然数），在第二发光元件310Q中，将从反射电极 301到半透射?半反射电极302的总厚度设定为mAg/2(m是自然数）。
[0082] W此方式，从第一发光元件310P主要提取从包括于化层305中的第一发光层304P 发射的光(Ap),从第二发光元件310Q主要提取从包括于化层305的第二发光层304Q中发射 的光(Aq)。注意，从各发光元件取出的光从半透射?半反射电极302-侧而射出。
[0083] 另外，严格而言，从反射电极301到半透射?半反射电极302的总厚度可W为从反 射电极301中的反射区域到半透射?半反射电极302中的反射区域的总厚度。但是，难W准 确地确定反射电极301和半透射?半反射电极302中的反射区域的位置;因此假定将反射电 极301和半透射?半反射电极302中的任何位置设定为反射区域可W充分地获得上述效果。
[0084] 另外，在第一发光元件310P中，将从反射电极301到第一发光层304P的光学距离调 节为所希望的厚度（（2111'+1)^/4，111'是自然数）。由此可^放大来自第一发光层304?的光。
[0085] 注意，严格而言，从反射电极301到第一发光层304P的光学距离可W为从反射电极 301中的反射区域到第一发光层304P中的发光区域的光学距离。但是，难W准确地确定反射 电极301中的反射区域和第一发光层304P中的发光区域的位置；因此假定将第一发光层 304P中的任何位置设定为发光区域可W充分地获得上述效果。
[0086] 另外，在第二发光元件310Q中，将从反射电极301到第二发光层304Q的光学距离调 节为所希望的厚度（（2111''+1)人9/4，111''是自然数）。因此可^放大来自第二发光层3049的 光。
[0087] 注意，严格而言，从反射电极301到第二发光层304Q的光学距离可W为从反射电极 301中的反射区域到第二发光层304Q中的发光区域的光学距离。但是，难W准确地确定反射 电极301中的反射区域和第二发光层304Q中的发光区域的位置；因此假定将第二发光层 304Q中的任何位置设定为发光区域可W充分地获得上述效果。
[0088] 注意，上述结构中的发光元件在化层中包括多个发光层，但是本发明不局限于此。 例如，可W组合实施方式2所说明的串联型发光元件的结构，此时，一个发光元件隔着电荷 产生层包括多个化层，且在各化层中形成一个或多个发光层。
[0089] 本实施方式所示的发光装置具有微腔结构。其中即使具有相同结构的化层，也能 够提取根据发光元件不同的波长的光，因此不需要形成用于多个颜色的发光元件。因此，由 于容易实现更高的分辨率显示等，上述结构有利于全彩色显示器。再者，能够与着色层(滤 色片)组合。另外，因为能够加强预定波长的正面方向的发射强度，所W可W减小耗电量。上 述结构在被应用于包括=种W上的颜色的像素的彩色显示器（图像显示装置）的情况下特 别有效，但是也可W被应用于照明等。
[0090] 实施方式4 在本实施方式中，将说明具有本发明的一个方式的发光元件的发光装置。
[0091] 该发光装置可W是无源矩阵型发光装置或有源矩阵型发光装置。注意，其他实施 方式所示的任何发光元件可W用于本实施方式所示的发光装置。
[0092] 在本实施方式中，参照图4A和图4B说明有源矩阵型发光装置。
[0093] 注意，图4A是示出发光装置的俯视图，图4B是沿图4A中的点划线A-A'取的截面图。 在本实施方式的有源矩阵型发光装置中，在元件衬底401上设置有像素部402、驱动电路部 (源极线驱动电路M03W及驱动电路部(栅极线驱动电路)404(404a及404b)。像素部402、驱 动电路部404及驱动电路部404由密封剂405密封在元件衬底401与密封衬底406之间。
[0094] 此外，在元件衬底401上，设置有用来连接外部输入端子的引导布线407。通过该外 部输入端子，对驱动电路部403及驱动电路部404传输来自外部的信号（例如，视频信号、时 钟信号、起始信号或复位信号等)或电位。在此，示出作为外部输入端子设置柔性印刷电路 板(FPCM08作为例子。虽然在此只示出FPC，但是FPC也可W安装有印刷线路板(PWB)。本说 明书中的发光装置在其范围内不仅包括发光装置本身，而且还包括设置有FPC或PWB的发光 装置。
[00M]接着，参照图4B说明截面结构。驱动电路部及像素部形成在元件衬底401上；在此 示出为源极线驱动电路的驱动电路部403及像素部402。
[0096] 作为驱动电路部403的例子，组合有FET409和阳T410。注意，驱动电路部403既可W 使用包括单极性(N沟道晶体管和P沟道晶体管中的仅任一个)的晶体管的电路形成，又可W 使用包括N沟道晶体管及P沟道晶体管的CMOS电路形成。虽然在本实施方式中示出在衬底上 形成驱动电路的驱动器一体型，但是驱动电路不一定需要形成在衬底上，而可W形成在衬 底的外部。
[0097] 像素部402包括多个像素，该多个像素的每一个包括开关FET411、电流控制FET412 和与电流控制FET412的布线(源电极或漏电极）电连接的第一电极（阳极)413。在本实施方 式中像素部402包括开关FET411及电流控制FET412运两个FET，但是本发明不局限于此。例 如，像素部402也可W包括电容器及S个W上的FET。
[0098] 作为FET409、410、411及412,例如可W使用交错型晶体管或反交错型晶体管。可W 用于FET409、410、411及412的半导体材料的例子包括第13族半导体(例如，嫁）、第14族半导 体(例如，娃）、化合物半导体、氧化物半导体、有机半导体。此外，对半导体材料的结晶性没 有特别的限制，可W使用非晶半导体或结晶半导体。尤其是，优选将氧化物半导体用于 阳T409、410、411及412。该氧化物半导体的例子包括In-fei氧化物W及In-M-Zn氧化物(M为 八1、6日、￥、化、1^日、〔6或炯）。例如，将其能隙为26￥^上，优选为2.56￥^上，更优选为36￥^上 的氧化物半导体用于FET409、410、411及412,由此可^降化晶体管的关态电流(off-state current)O
[0099] W覆盖第一电极413的端部的方式形成有绝缘物414。在本实施方式中，使用正型 光敏丙締酸树脂形成绝缘物414。在本实施方式中，将第一电极413用作阳极。
[0100] 上述绝缘物414优选在其上端部或下端部包括具有曲率的曲面。运使得形成在绝 缘物414上的膜的覆盖性有利。例如，绝缘物414可W使用负型光敏树脂或正型光敏树脂形 成。绝缘物414的材料不局限于有机化合物，而还可W使用无机化合物诸如氧化娃、氧氮化 娃、氮化娃。
[0101] 在第一电极（阳极)413上形成有化层415及第二电极（阴极)416。化层415至少包括 发光层。该发光层具有实施方式1中所说明的叠层结构。在化层415中，除了发光层之外，可 W适当地设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。
[0102] 发光元件417由第一电极（阳极)413、EL层415及第二电极（阴极)416的叠层形成。 对于第一电极(阳极)413、EL层415及第二电极(阴极)416,可W使用实施方式1所示的材料。 虽然在此未图示，但是第二电极（阴极)416与外部输入端子的FPC408电连接。
[0103] 虽然图4B所示的截面图仅示出一个发光元件417,但是在像素部402中W矩阵形状 配置有包括多个发光元件。在像素部402中选择性地形成有发射=种颜色(R、G、B)的光的发 光元件，W得到能够进行全彩色显示的发光装置。除了发射=种颜色(R、G、B)的光的发光元 件W外，例如也可W形成有发射白色(W)、黄色(Y)、品红色(M)、青色(C)的光的发光元件。例 如，当组合发射=种颜色(R、G、B)的光的发光元件与发射上述多种颜色的光的发光元件时， 可W获得例如色纯度提高、耗电量降低的效果。此外，也可W通过与滤色片组合来制造能够 进行全彩色显示的发光装置。
[0104] 再者，使用密封剂405将密封衬底406与元件衬底401贴合，来在由元件衬底401、密 封衬底406和密封剂405围绕的空间418中设置发光元件417。该空间418可W由惰性气体(如 氮气或氣气)或密封剂405填充。
[0105] 优选将环氧类树脂或玻璃粉用于密封剂405。运些材料优选尽量不使水分及氧透 过。作为密封衬底406,可W使用玻璃衬底、石英衬底或者由FRP(fiber-reinforced plastics:纤维增强的塑料）、PVF(polyvin^ fluoride:聚氣乙締）、聚醋、丙締酸类树脂等 形成的塑料衬底。在作为密封剂使用玻璃粉的情况下，为了高粘合性，元件衬底401及密封 衬底406优选为玻璃衬底。
[0106] 通过上述步骤，可W得到有源矩阵型发光装置。
[0107] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。
[010引实施方式5 在本实施方式中，参照图5A至图5D对使用发光装置来制造的各种各样的电子设备的例 子进行说明。该电子设备使用本发明的一个方式的发光元件制造。
[0109] 具有上述发光装置的电子设备的例子包括电视装置（也称为电视机或电视接收 机）、用于计算机等的显示器、例如数码相机及数码摄像机的相机、数码相框、移动电话机 (也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、例如弹 珠机的大型游戏机。图5A至图抓示出运些电子设备的具体例子。
[0110] 图5A示出电视装置的例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7103。图 像显示在显示部7103上，并可W将发光装置用于显示部7103。此外，在此利用支架7105 W支 撑框体7101。
[0111] 可W利用框体7101的操作开关或遥控操作机7110进行电视装置7100的操作。通过 利用遥控操作机7110的操作键7109,可W控制频道及音量，并可W控制在显示部7103上显 示的图像。此外，遥控操作机7110可W设置有用来显示从该遥控操作机7110输出的数据的 显示部7107。
[0112] 注意，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。通过利用接收机，可W接收一般 的电视广播。再者，当该电视装置通过调制解调器W有线或无线方式连接到通信网络时，可 W进行单向（从发送者到接收者)或双向（发送者和接收者之间或接收者之间）的信息通信。
[0113] 图5B示出一种计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、 外接端口 7205、指向装置7206等。注意，该计算机可W通过将发光装置用于显示部7203来制 造。
[0114] 图5C示出一种智能手表，该智能手表包括框体7302、显示面板7304、操作按钮7311 及7312、连接端子7313、腕带7321、表带扣7322等。
[0115] 安装在用作框架(bezel)的框体7302中的显示面板7304具有非矩形状的显示区 域。显示面板7304可W显示表示时间的图标7305 W及其他图标7306等。
[0116] 图5C所示的智能手表可W具有各种功能，例如，在显示部上显示多种信息（例如， 静态图像、动态图像、文本图像）的功能;触摸屏功能；显示日历、日期、时间等的功能；W多 种软件(程序)控制处理的功能;无线通信功能；W无线通信功能与多种计算机网络连接的 功能；W无线通信功能发送及接收多种数据的功能；W及读取存储于存储介质内的程序或 数据并且将该程序或数据显示于显示部上的功能。
[0117] 框体7302可W包括扬声器、传感器(具有测量如下因素的功能：力量、位移、位置、 速度、加速度、角速度、转动数、距离、光、液、磁、溫度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电 流、电压、电力、福射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线）、麦克风等。注意，智能手表 可W通过将发光装置用于显示面板7304来制造。
[011引图抓示出移动电话机(例如，智能手机)的例子。移动电话机7400包括框体7401，该 框体7401中设置有显示部7402、麦克风7406、扬声器7405、摄像头7407、外部连接部7404、操 作按钮7403等。在将本发明的一个方式的发光元件形成在柔性衬底上的情况下，可W将该 发光元件用于具有如图5D所示的曲面的显示部7402。
[0119] 当用手指等触摸图5D所示的移动电话机7400的显示部7402时，可W对移动电话机 7400输入数据。另外，可W用手指等触摸显示部7402来进行例如打电话及制作电子邮件的 操作。
[0120] 显示部7402主要有S种屏幕模式。第一模式是W图像显示为主的显示模式。第二 模式是W文本等信息的输入为主的输入模式。第=模式是组合显示模式和输入模式的运两 个模式的显示-输入模式。
[0121] 例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，在显示部7402中选择W文字输入为主 的文字输入模式，由此可W输入显示在屏幕上的文字。在此情况下，优选在显示部7402的几 乎整个屏幕上显示键盘或号码按钮。
[0122] 当在移动电话机7400内部设置有例如巧螺仪或加速度传感器的检测装置时，通过 判断移动电话机7400的方向（判断该移动电话机是纵向还是横向的），而可W对显示部7402 的屏幕上的显示进行自动切换。
[0123] 通过触摸显示部7402或利用框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。 可W根据显示在显示部7402上的图像的种类而切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的 图像信号为运动图像数据的信号时，将屏幕模式切换为显示模式。当图像信号为文字数据 时，将屏幕模式切换为输入模式。
[0124] 另外，在输入模式的情况下，当检测到显示部7402的光传感器所检测的信号而在 一定期间内没有显示部7402的触摸输入时，也可W控制屏幕模式W将输入模式切换为显示 模式。
[0125] 显示部7402可W被用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402拍 摄掌纹或指纹等的图像，来可W进行个人识别。另外，当发出近红外光的背光或发出近红外 光的传感用光源设置在显示部时，可W拍摄手指静脉、手掌静脉等的图像。
[0126] 再者，上述发光装置可W用于具有图5D>-1或图5D>-2所示的结构的移动电话机， 运是移动电话机的另一结构(例如，智能手机）。
[0127] 另外，在是图5D>-1或图5D>-2所示的结构的情况下，不仅在框体7500(1)、框体 7500(2)的第一面7501(1)、7501(2)上，而且还在第二面7502(1)、7502(2)上能够显示文字 数据或图像数据等。借助于运种结构，使用者能够在将移动电话机收纳在上衣口袋中的状 态下容易确认在第二面7502(1X7502(2)上显示的文字数据或图像数据等。
[0128] 如上所述，可W利用包括本发明的一个方式的发光元件的发光装置而得到电子设 备。注意，不局限于本实施方式所示的电子设备，上述发光装置可W用于各种领域的电子设 备中。
[0129] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。
[0130] 实施方式6 在本实施方式中，参照图則尋说明照明装置的例子。各照明装置使用包括本发明的一个 方式的发光元件的发光装置。
[0131] 图6示出将发光装置用作室内照明装置8001的例子。因为发光装置可W具有大面 积，所W可W用于大面积的照明装置。此外，通过使用具有曲面的框体，也可W得到其发光 区域具有曲面的照明装置8002。包括在本实施方式所示的发光装置中的发光元件为薄膜 状，所W框体的设计自由度更高。因此，可W得到精屯、设计的照明装置。再者，室内的墙面也 可W设置有大型照明装置8003。
[0132] 当将发光装置用于桌子的表面时，可W得到具有桌子的功能的照明装置8004。当 将发光装置用作其他家具的一部分时，可W得到具有家具的功能的照明装置。
[0133] 如上所述，可W得到包括发光装置的各种照明装置。运种照明装置也是本发明的 实施方式。
[0134] 本实施方式所示的结构可W与其他实施方式所示的结构适当地组合。 实施例
[0135] 在本实施例中，制造本发明的一个方式的发光元件1及发光元件2、W及用来比较 的比较发光元件3及比较发光元件4。使用图7将说明详细的元件结构。本实施例所示的发光 元件具有组合在实施方式2中说明的串联型结构和在实施方式3中说明的微腔结构的结构。 W下，示出在本实施例中使用的材料的化学式。

[0136] 《发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较发光元件4的制造》 在本实施例中，图7的左侧示出发射红色光的发光元件1及比较发光元件3,图7的右侧 示出发射绿色光的发光元件2及比较发光元件4。注意，运些发光元件都具有从第二电极 4003-侧发射光的结构。
[0137] 在发光元件1和发光元件2中，将相同的材料用于第二化层4002b中的发光层(4013 (b2))。比较发光元件3和比较发光元件4中的用于第二化层4002b中的发光层(4013(b2))的 材料相同，但是与发光元件1和比较发光元件2的材料不同。图7的左侧所示的发光元件1及 比较发光元件3受到光学调整W得到红色发光。图7的右侧所示的发光元件2及比较发光元 件4受到光学调整W得到绿色发光。因此，图7的左侧所示的第一电极4001的结构与图7的右 侧所示的第一电极4101不同。注意，使用图7所示的相同符号对其他共同结构进行说明。
[0138] 首先，在发光元件1及发光元件2中，在玻璃衬底4000上通过瓣射法形成厚度为 200皿的侣(Al)、儀(Ni)及铜化a)的合金膜(Al-Ni-La合金膜），通过瓣射法形成厚度为6皿 的Ti膜，然后通过瓣射法形成包含氧化娃的铜锡氧化物（ITSO)膜。在比较发光元件3及比较 发光元件4中，在玻璃衬底4000上通过瓣射法形成厚度为200nm的侣(Al)及铁(Ti)的合金膜 (Al-Ti合金膜），通过瓣射法形成厚度为6nm的Ti膜，然后通过瓣射法形成包含氧化娃的铜 锡氧化物（ITSO)膜。此时，发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较发光元件4的 ITSO膜的厚度分别为75皿、40皿、80皿W及40皿。由此形成被用作发光元件1、发光元件2、比 较发光元件3 W及比较发光元件4的阳极的第一电极4001、4101。此时，Ti膜的一部分或整体 被氧化且包含氧化铁。注意，电极面积为2mm X 2mm。
[0139] 接着，作为用来在衬底4000上形成发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比 较发光元件4的预处理，使用水对衬底表面进行洗涂，并W20(TC进行1小时的赔烧，然后进 行370秒的UV臭氧处理。
[0140] 然后，将衬底放入到其内部被减压到1(T4化左右的真空蒸锻装置中，并在真空蒸锻 装置内的加热室中，W170°C进行60分钟的真空赔烧，然后对衬底4000进行30分钟左右的冷 却。
[0141] 接着，W将衬底4000的形成有第一电极（400U4101)的面朝下方的方式将衬底 4000固定于设置在真空蒸锻装置内的支架上。在本实施例中，通过真空蒸锻法依次形成包 括在第一EL层4002a中的第一空穴注入层401 la、第一空穴传输层4012a、发光层（A) (4013a)、第一电子传输层4014a及第一电子注入层4015a，然后，形成电荷产生层4004。接 着，形成包括在第二化层4002b中的第二空穴注入层401化、第二空穴传输层4012b、发光层 (B)(4013(bl)、4013(b2))、第二电子传输层4014b及第二电子注入层4015b。
[0142] 在将真空蒸锻装置内减压到ICT4Pa后，在是发光元件1及发光元件2的情况下，将9- [4-(9-苯基-9H-巧挫-3-基）苯基]菲（简称:PcPI^)和氧化钢W化PPn(简称）：氧化钢=1: 〇.5(质量比）的比例共蒸锻，由此在第一电极(400U4101)上形成第一空穴注入层4011曰。注 意，发光元件1及发光元件2的第一空穴注入层4011a的厚度都为lOnm。在是比较发光元件3 及比较发光元件4的情况下，9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蔥基)苯基]-9H-巧挫（简称:PCzPA) 和氧化钢WPCzPA(简称）:氧化钢=1:0.5(质量比）的比例共蒸锻，由此形成第一空穴注入 层4011a。注意，比较发光元件3及比较发光元件4的第一空穴注入层4011a的厚度分别为 IOnm^13nm〇
[0143] 接着，蒸锻化PPn(简称），形成第一空穴传输层4012a。关于第一空穴传输层4012a 的厚度，发光元件1及发光元件2的是15nm，比较发光元件3及比较发光元件4的是20nm。
[0144] 接着，在第一空穴传输层401?上形成发光层(A)4013a。将9-[4-(10-苯基-9-蔥 基）苯基]-9H-巧挫（简称:CzPA)、N，N'-双（3-甲基苯基）-N，N'-双[3-(9-苯基-9H-巧-9-基） 苯基]-巧-1，6-二胺(简称：1，SmMemFLPAPrn)，WCzPA(简称）：1，SmMemFLPAPrn(简称）=1: 0.05(质量比）的比例共蒸锻，由此形成发光层(A)4013a。关于发光层(A)4013a的厚度，发光 元件1及发光元件2的是25nm，比较发光元件3及比较发光元件4的是30nm。
[0145] 然后，在发光层(A)4013a上蒸锻厚度为5皿的CzPA(简称)膜之后蒸锻厚度为15皿 的红菲绕嘟(简称:B陆en)膜，来形成第一电子传输层4014a。此外，在第一电子传输层4014a 上蒸锻厚度为0.1 nm的氧化裡化i2〇)膜，来形成第一电子注入层4015a。
[0146] 接着，在第一电子注入层401f5a上蒸锻厚度为2nm的铜献菁(简称:化化)膜，来形成 电荷产生层4004。
[0147] 接着，在是发光元件1及发光元件2的情况下，在电荷产生层4004上将1，3,5-S(二 苯并嚷吩-4-基)苯(简称:DBT3P-II)和氧化钢WDBT3P-II(简称）:氧化钢=1: 0.5(质量比） 的比例共蒸锻，由此形成厚度为12.5皿的第二空穴注入层401化。在是比较发光元件3及比 较发光元件4的情况下，将9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蔥基)苯基]-9H-巧挫（简称:PCzPA)和 氧化钢WPCzPA(简称）：氧化钢= 1:0.5(质量比）的比例共蒸锻，由此形成厚度为13nm的第 二空穴注入层401 lb。
[0148] 接着，蒸锻厚度为20nm的4-苯基-4'-(9-苯基巧-9-基）^苯基胺（简称:8?4化口） 膜，来形成第二空穴传输层4012b。
[0149]然后，在第二空穴传输层4012b上形成发光层(B)(第一发光层4013(bl)、第二发光 层4013(b2))。
[0150] 在是发光元件1及发光元件2的情况下，通过将2-[3'-(二苯并嚷吩-4-基)联苯-3- 基]二苯并[f，h ]哇喔嘟（简称：2mDBTBPDBq-II)、N-( 1，1'-联苯-4-基）-N-[ 4-( 9-苯基-9H- 巧挫-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-巧-2-胺(简称:PCBBi巧及（乙酷丙酬)双(6-叔下基-4- 苯基喀晚根）银（IIIK简称：[IKtB叩pm)2(acac)])W2mDBTBPDBq-II =PCBBiF: [Ir (tBuppm)2(acac)] =0.8:0.2:0.06(质量比）的比例共蒸锻，形成厚度为20nm的第一发光层 4013(bl)。在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，通过将2-[3'-(二苯并嚷吩-4- 基)联苯-3-基]二苯并[f，h ]哇喔嘟(简称:2mDBTBPDBq-11)、4,4'-二（1-糞基)-4''-(9-苯 基-9H-巧挫-3-基）S苯胺（简称：PCBNBB)、（乙酷丙酬）双（6-叔下基-4-苯基喀晚根）银 (III)(简称：[Ir(tBu卵m)2(acac)]) W2mDBTBPDBq-II:PCBNBB: [Ir(tBu卵m)2(acac)]= 0.8:0.2:0.06(质量比）的比例共蒸锻，形成厚度为20nm的第一发光层4013(bl)。
[0151] 在是发光元件1及发光元件2的情况下，通过将2111〇818口089-11(简称）、双{4,6-二 甲基-2-[5-( 2，6-二甲基苯基)-3-( 3，5-二甲基苯基)-2-化嗦基-KN]苯基-KC} (2，4-戊二酬 根-K%,〇'）银（111)(简称：[I；r(dmd邮;r-dmp)2(acac)]) W2mDBTBPDBq-II: [IKdmdppr- dmp)2(acac)] = 1:0.06(质量比）的比例共蒸锻，形成厚度为20nm的第二发光层4013(b2)。 在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，通过将2mDBTBPDBq-II、双(2，3，5-S苯基 化嗦）（二新戊酷甲烧）银（IIIK简称：[Ir(t卵r)2(dpm)])W2mDBTBPDBq-II:[Ir(^pr)2 (dpm) ] = 1:0.06(质量比）的比例共蒸锻，形成厚度为20nm的第二发光层4013(b2)。
[0152] 接着，在发光层(B)4013b上形成第二电子传输层4014b。
[0153] 在是发光元件1及发光元件2的情况下，在蒸锻35皿厚的2mDBTBPDBq-II(简称)膜 之后蒸锻15nm厚的BPhen(简称)膜，来形成第二电子传输层4014b。在是比较发光元件3及比 较发光元件4的情况下，蒸锻15皿厚的2mDBTBPDBq-II(简称)膜之后蒸锻15皿厚的BPhen(简 称)膜，来形成第二电子传输层4014b。
[0154] 而且，在第二电子传输层4014b上蒸锻1皿厚的氣化裡化i巧膜，由此形成第二电子 注入层4015b。
[01W]最后，在第二电子注入层4015b上形成被用作阴极的第二电极4003。Wl :0.1(质量 比）共蒸锻银(Ag)和儀(Mg)形成厚度为15nm的由银和儀而成的膜，然后利用瓣射法形成厚 度为70皿的铜锡氧化物(ITO)膜，由此得到第二电极4003。注意，在上述蒸锻工序中，利用电 阻加热法进行蒸锻。
[0156]表1示出通过上述步骤得到的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较发 光元件4的结构。
[0157][表 1] 如表1所示，在发光元件I及比较发光元件3的各对置衬底上形成有红色的着色层(R)， 在发光元件2及比较发光元件4的各对置衬底上形成有绿色的着色层(G)。在氮气氛的手套 箱中W与运些对置衬底贴合的方式密封所制造的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W 及比较发光元件4, W使其不暴露于大气(具体而言，将密封材料涂敷在元件的周围，并且在 密封时W 6 J/cm2照射波长为365nm的紫外光，并且W 80°C进行1小时的热处理）。
[0158] 《发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较发光元件4的工作特性》 对所制造的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较发光元件4的工作特性进 行测定。注意，在室溫(其溫度保持为25°C的气氛)下进行测定。
[0159] 图8示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较发光元件4的亮度-电流 效率特性。在图8中纵轴表示电流效率(cd/A)，横轴表示亮度(cd/m2)。
[0160] 表2示出lOOOcd/m2的亮度附近的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3W及比较 发光元件4的主要初期特性值。
[01611 「棄 91
从上述结果可知：虽然在本实施例制造的发光元件1和比较发光元件3的用于发光层 (B)(4013b)中的第二发光层4013(b2)的材料互不相同，但是发光元件1和比较发光元件3都 发射红色(R)发光。具体而言，在发光元件1中，主体材料是2mDBTBPDBq-II，客体材料是[Ir (dnKlpp;r-dmp)2(acac)]。另一方面，在比较发光元件3中，主体材料是与发光元件1相同的， 但是客体材料是[I ^ t P P r ) 2 ( d P m )]。如循环伏安（C V )测量的结果所示，主体材料 (2mDBTBPDBq-II)的 LUMO 为-2.94e V，发光元件 1 的客体材料（[Ir (dmd 卵 r-dmp ) 2 (acac )])的 LUMO为-2.91eV，比较发光元件3的客体材料（[Ir(t卵r)2(dpm)])的LUMO为-3.05eV。因此， 在发光元件1中客体材料的LUMO能级是主体材料的LUMO能级的± 0.1 eV W内，另一方面，在 比较发光元件3中该能级不是±0.1 eVW内。运些LUMO能级之间的差异有可能引起发光元件 1的电流效率特性和比较发光元件3的电流效率特性之间的差异。
[0162]在比较发射绿色(G)发光的发光元件2和比较发光元件4的情况下，如表2所示，发 光元件2呈现较高的电流效率。注意，发光元件1和发光元件2在发光层(B)(4013b)中的第二 发光层4013(b2)中包含呈现红色发光的相同客体材料，并在第一发光层4013(bl)中包含呈 现绿色发光的相同客体材料。发光元件2的电流效率比比较发光元件4高是因为如下缘故： 用于第二发光层4013(b2)的主体材料和客体材料的LUMO能级之间的关系为如上，因此红色 发光元件的电流效率得到提高。运提高层叠在第二发光层4013(b2)上的第一发光层4013 (bl)中的载流子复合效率，而绿色发光元件的电流效率也得到提高。
[0163] 如上所述，在组合白色元件与着色层(滤色片）得到红色元件及绿色元件时，通过 只改变不助于绿色发光的红色发光性材料，除了红色发光元件的电流效率W外，绿色发光 元件的电流效率也得到提高。通常，预测不到运样的现象。就是说，该现象是本发明的结构 的明显效果之一。
[0164] 由此可知，通过适当地组合运些发光元件，将可W实现电流效率高的全彩色或白 色发光装置。
[0165] 图9示出W2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件1、发光元件2、比较发光元 件3 W及比较发光元件4时的发射光谱。如图9所示， 发光元件KR)及比较发光元件3(R)的发射光谱在611nm附近具有峰值，发光元件2化） 及比较发光元件4(G)的发射光谱在534nm附近具有峰值。各发光元件的发射光谱来源于各 发光层所包含的憐光有机金属银配合物的发光。
[0166] 注意，在比较呈现红色发光的发光元件1和比较发光元件3时，发光元件1的发射光 谱比比较发光元件3窄，在比较呈现绿色发光的发光元件2和比较发光元件4时，发光元件2 的发射光谱比比较发光元件4窄。根据运样的光谱的狭窄化可W确认到发光元件1及发光元 件2的电流效率与比较发光元件3及比较发光元件4相比得到提高。
[0167] 符号说明 101:阳极；102:阴极；103:HJl; 104:空穴注入层；105:空穴传输层；106:发光层；106a: 第一发光层；106b:第二发光层;107:电子传输层；108:电子注入层；109:客体材料;109a:第 一发光性材料；109b:第二发光性材料；110:主体材料；201:第一电极；202( 1):第一化层； 202(2):第二化层；202(n-l):第(n-1)化层；202(n):第(n)化层；204:第二电极；205:电荷产 生层；205(1):第一电荷产生层;205(2):第二电荷产生层;205(n-2):第(n-2)的电荷产生 层;205(n-l):第(n-1)电荷产生层;301:反射电极;302:半透射?半反射电极;303a:第一透 明导电层;303b:第二透明导电层;304P:第一发光层;304Q:第二发光层;305: HJl; 310P:第 一发光元件;310Q:第二发光元件;401:元件衬底;402:像素部;403:驱动电路部(源极线驱 动电路）；404曰、4046:驱动电路部(栅极线驱动电路）；405:密封剂;406:密封衬底;407:布 线;408:FPC(柔性印刷电路）；409:阳T;410:FET;411:开关FET;412:电流控制阳T;413:第一 电极（阳极）;414:绝缘物;415:化层;416:第二电极（阴极）;417:发光元件;418:空间；4000: 衬底；4001:电极；4101:电极；4002a: EL层；4002b :EL层；4003:电极；4004:电荷产生层； 4011a:空穴注入层;401化：空穴注入层;4012a:空穴传输层;401化：空穴传输层;4013a:发 光层(A) ;4013b:发光层(B) ;4013(bl):发光层(B)的第一发光层;4013(b2):发光层(B)的第 二发光层;4014a:电子传输层;4014b:电子传输层;4015a:电子注入层;401化：电子注入层； 7100:电视装置;7101:框体;7103:显示部;7105:支架;7107:显示部;7109:操作键;7110:遥 控操作机;7201:主体;7202:框体;7203:显示部;7204:键盘;7205:外接端口； 7206:指向装 置;7302:框体;7304:显示面板;7305:表示时间的图标;7306:其他图标;7311:操作按钮； 7312:操作按钮;7313:连接端子;7321:腕带;7322:表带扣;7400:移动电话机;7401:框体； 7402:显示部；7403:操作按钮;7404:外部连接部；7405:扬声器;7406:麦克风；7407:摄像 头;7500( 1)、7500(2):框体;7501(1)、7501(2):第一面;7502( 1)、7502(2):第二面;8001:照 明装置;8002:照明装置;8003:照明装置;8004:照明装置。
[0168] 本申请基于2014年2月21日提交到日本专利局的日本专利申请No. 2014-031792， 通过引用将其完整内容并入在此。
【主权项】
1. 一种发光元件，包括： 阳极和阴极之间的第一 EL层， 其中，所述第一EL层包括第一发光层及第二发光层， 所述第一发光层位于所述阴极和所述第二发光层之间， 所述第一发光层与所述第二发光层接触， 所述第二发光层的发射峰值的波长比所述第一发光层短， 所述第一发光层包含主体材料及客体材料， 并且，所述客体材料的最低未占据分子轨道能级在所述主体材料的最低未占据分子轨 道能级的±0.1eV以内。2. 根据权利要求1所述的发光元件，还包括： 所述阳极和所述阴极之间的第二EL层；以及 所述第一 EL层和所述第二EL层之间的电荷产生层。3. 根据权利要求2所述的发光元件，其中所述第一 EL层位于所述电荷产生层和所述阴 极之间。4. 根据权利要求2所述的发光元件，其中所述第一 EL层位于所述电荷产生层和所述阳 极之间。5. 根据权利要求1所述的发光元件，还包括第三发光层， 其中所述第三发光层位于所述第一发光层和所述阴极之间， 所述第三发光层与所述第一发光层接触， 并且所述第二发光层和所述第三发光层包含相同材料。6. 根据权利要求1所述的发光元件， 其中所述第一发光层中的发光在560nm至700nm的范围具有峰值波长， 并且所述第二发光层中的发光在500nm至560nm的范围具有峰值波长。7. 根据权利要求1所述的发光元件，其中所述客体材料是磷光有机金属铱配合物。8. -种发光装置，包括： 权利要求1所述的发光元件；以及 柔性印刷电路。9. 一种电子设备，包括： 权利要求8所述的发光装置；以及 操作键、扬声器、麦克风或外部连接部。10. -种照明装置，包括： 权利要求8所述的发光装置；以及 框体。11. 一种发光元件;包括： 阳极和阴极之间的第一 EL层， 其中，所述第一EL层包括第一发光层及第二发光层， 所述第一发光层位于所述阴极和所述第二发光层之间， 所述第一发光层与所述第二发光层接触， 所述第二发光层的发射峰值的波长比所述第一发光层短， 所述第一发光层和所述第二发光层包含相同主体材料， 所述第一发光层包含客体材料， 并且，所述客体材料的最低未占据分子轨道能级在所述主体材料的最低未占据分子轨 道能级的±0.1eV以内。12. 根据权利要求11所述的发光元件，还包括： 所述阳极和所述阴极之间的第二EL层；以及 所述第一 EL层和所述第二EL层之间的电荷产生层。13. 根据权利要求12所述的发光元件，其中所述第一 EL层位于所述电荷产生层和所述 阴极之间。14. 根据权利要求12所述的发光元件，其中所述第一 EL层位于所述电荷产生层和所述 阳极之间。15. 根据权利要求11所述的发光元件，还包括第三发光层， 其中所述第三发光层位于所述第一发光层和所述阴极之间， 所述第三发光层与所述第一发光层接触， 并且所述第二发光层和所述第三发光层包含相同材料。16. 根据权利要求11所述的发光元件， 其中所述第一发光层中的发光在560nm至700nm的范围具有峰值波长， 并且所述第二发光层中的发光在500nm至560nm的范围具有峰值波长。17. 根据权利要求11所述的发光元件，其中所述客体材料是磷光有机金属铱配合物。18. -种发光装置，包括： 权利要求11所述的发光元件；以及 柔性印刷电路。19. 一种电子设备，包括： 权利要求18所述的发光装置；以及 操作键、扬声器、麦克风或外部连接部。20. -种照明装置，包括： 权利要求18所述的发光装置；以及 框体。
【文档编号】H05B33/12GK105981477SQ201580009454
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年2月10日
【发明人】佐佐木俊毅, 上坂正吾, 濑尾哲史
【申请人】株式会社半导体能源研究所