一种盖板及其制作方法
【专利摘要】本申请提供了一种盖板及其制作方法，通过在所述基板的正面和背面分别形成图形化的第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域；所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板，通过直接刻蚀得到独立的盖板外形，避免了CNC工艺，从而提高了生产效率和成品合格率，降低了小尺寸盖板的生产成本，同时在强度方面也有很大的提升。
【专利说明】
_种盖板及其制作方法
技术领域
[0001]本申请涉及电子器件技术领域，特别涉及一种盖板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]随着科学技术的不断发展，电子器件越来越多的应用到人们的工作以及日常生活当中，给人们的工作以及日常生活带来了巨大的便利。
[0003]现有的电子器件通常设有一些小尺寸的盖板，用于覆盖和保护电子器件上的特定部件，如按键、摄像头等。一般来说，这种小尺寸盖板具有圆滑的边缘，以提升用户体验。
[0004]然而，现有技术中的小尺寸盖板的制作，先将基板切割为待磨片，之后采用CNC工艺将待磨片的边缘打磨至预设的形状，由于待磨片为小尺寸基板，不易打磨，造成生产效率低，且CNC工艺形成的盖板，外形尺寸不精确，成品合格率低，最终造成该小尺寸盖板的生产成本过高。
【发明内容】
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种盖板及其制作方法，生产效率高，且成品合格率高，从而降低了小尺寸盖板的生产成本。
[0006]技术方案如下:
[0007]—种盖板的制作方法，包括:
[0008]提供基板，所述基板包括相对的正面和背面；
[0009]形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面;所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；
[0010]以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板。
[0011]优选的，所述预设掩膜的图形为所述待形成盖板的横截面向外扩展所述待形成盖板横截面积的0.0I %?1 %。
[0012]优选的，所述刻蚀为湿法刻蚀。
[0013]优选的，所述湿法刻蚀的刻蚀液为酸蚀液。
[0014]优选的，所述以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板，包括:
[0015]沿所述预设掩膜的外围切割所述基板，形成多个中片；
[0016]对所述中片进行双面刻蚀，形成独立的盖板。
[0017]优选的，形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面，包括:
[0018]在所述基板的正面形成图形化的第一掩膜层；
[0019]在所述基板的背面形成图形化的第二掩膜层。
[0020]优选的，所述在所述基板的正面形成图形化的第一掩膜层，包括:
[0021 ]在所述基板的正面形成第一光刻胶层；
[0022]曝光所述第一光刻胶层；
[0023]显影所述第一光刻胶层，形成图形化的第一掩膜层。
[0024]优选的，所述在所述基板的背面形成图形化的第二掩膜层，包括:
[0025]在所述基板的背面形成第二光刻胶层；
[0026]曝光所述第二光刻胶层；
[0027]显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二掩膜层。
[0028]优选的，所述形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面，包括:
[0029]在所述基板的正面形成第一光刻胶层；
[0030]在所述基板的背面形成第二光刻胶层；
[0031 ]分别对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光；
[0032]显影所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层。
[0033]—种盖板，所述盖板米用上述方法制作得到。
[0034]与现有技术相比，本发明的有益效果为:
[0035]本发明中的盖板及其制作方法，通过在所述基板的正面和背面分别形成图形化的第一掩膜层和第二掩膜层;其中，所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板，通过直接刻蚀得到独立的盖板，避免了 CNC工艺，从而提高了生产效率和成品合格率，降低了小尺寸盖板的生产成本。
【附图说明】
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1是现有技术中小尺寸盖板的制作方法流程图；
[0038]图2是本发明盖板的制作方法流程图；
[0039]图3是本发明实施例的盖板的制作方法流程图；
[0040]图4是本发明实施例中第一掩膜层和第二掩膜层的制作方法流程图；
[0041]图5是本发明实施例中第一掩膜层和第二掩膜层的另一制作方法流程图。
【具体实施方式】
[0042]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0043]现有的小尺寸盖板的制作方法，如图1所示，包括:
[0044]步骤SOl:提供基板；
[0045]步骤S02:切割基板，形成具有预设尺寸的待磨片；
[0046]步骤S03:采用CNC工艺打磨所述待磨片的边缘，形成盖板。
[0047]其中，所述预设尺寸的待磨片，指的是比盖板尺寸略大，且边缘为直线的小尺寸基板。所述CNC工艺，指的是将所述待磨片固定后(一般采用真空吸附的方式进行固定)，对待磨片的边缘进行打磨，最终形成具有预设形状的盖板。
[0048]可以看出，现有的小尺寸盖板的制作方法，需要对待磨片进行打磨，由于待磨片为小尺寸基板，不易固定，造成生产效率低，且CNC工艺形成的盖板，外形尺寸不精确，成品合格率低，最终造成该小尺寸盖板的生产成本过高。
[0049]基于此，本发明提出一种盖板的制作方法及采用该方法形成的盖板，如图2所示，包括:
[0050]步骤SlOl:提供基板，所述基板包括相对的正面和背面；
[0051]步骤S102:形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面;所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影；
[0052]步骤S103:以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板。
[0053]本发明通过直接刻蚀得到独立的小尺寸盖板，避免了CNC工艺，从而提高了生产效率和成品合格率，降低了小尺寸盖板的生产成本。
[0054]以上是本发明的中心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0055]下面，对本发明的盖板的制作方法进行详细的介绍，具体的，如图3所示，所述方法包括:
[0056]步骤S201:提供基板，所述基板包括相对的正面和背面；
[0057]其中，所述基板可以为玻璃，也可以为塑料板，或者其他硬质的透明基板。在本申请实施例中，优选为玻璃。
[0058]步骤S202:形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面;所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影。
[0059]在本步骤中，还可以包括:
[0060]步骤S2021:清洗所述基板。
[0061]具体的，可以采用异丙醇等清洗剂进行基板的清洗，以去除基板上的浮尘、油污等。
[0062]步骤S2022:形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面；。
[0063]其中，所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影。
[0064]具体的，所述预设掩膜的图形根据待形成盖板的形状和尺寸确定，例如，待形成盖板为圆形，则预设掩膜为圆形，带形成盖板为椭圆形，则预设掩膜为椭圆形。所述预设掩膜的图形为沿所述待形成盖板的横截面的边缘向外扩展所述待形成盖板横截面积的0.01%?1 %后的图形。具体的，在本申请实施例中，优选向外扩展的比例为I %，或者，在其他实施例中，所述预设掩膜的图形为所述待形成盖板的横截面，即，不向外扩展。本领域技术人员可以根据实际需求进行设置。
[0065]并且，所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，其中，一个预设掩膜可以对应形成一个盖板，在实际操作中，可以根据基板的大小确定预设掩膜的数量。一般情况下，一个基板可以形成1?100个盖板，因此，第一掩膜层可以包括30?80个预设掩膜。
[0066]所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影。具体的，由于基板的正面和背面为平行平面，第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影，可以使得第二掩膜层的图形与第一掩膜层的图形镜面对称。
[0067]其中，所述掩膜层可以为光阻层，所述第一掩膜层和第二掩膜层为第一光阻层和第二光阻层，具体的，所述第一掩膜层和第二掩膜层的形成方法可以包括两种。一种是分别单独形成第一掩膜层和第二掩膜层，一种为同时形成第一掩膜层和第二掩膜层。具体的，其过程如下:
[0068]单独形成第一掩膜层和第二掩膜层包括:
[0069]步骤Al:在所述基板的正面形成图形化的第一掩膜层；
[0070]其中，所述第一掩膜层可以采用光刻工艺，在所述基板的正面形成一图形化的光刻胶层，也可以采用沉积加刻蚀的工艺，在所述基板的正面形成一图形化的掩膜层。具体的，本实施例提供了光刻工艺的具体过程:
[0071]步骤All:在所述基板的正面形成第一光刻胶层；
[0072]步骤A12:曝光所述第一光刻胶层；
[0073]步骤A13:显影所述第一光刻胶层，形成图形化的第一掩膜层。
[0074]其中，所述第一光刻胶层可以为正性光刻胶，也可以为负性光刻胶，只要最终显影后得到掩膜层中保留有预设掩膜即可。
[0075]步骤A2:在所述基板的背面形成图形化的第二掩膜层
[0076]同样的，所述第二掩膜层也可以采用第一掩膜层的方法形成，也可以采用其他工艺形成，由于本领域中形成图形化的掩膜层的工艺很多，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择，本申请在此不做限定。
[0077]具体的，本实施例提供了光刻工艺的具体过程:
[0078]步骤A21:在所述基板的背面形成第二光刻胶层；
[0079]步骤A22:曝光所述第二光刻胶层；
[0080]步骤A23:显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二掩膜层。
[0081]其中，所述第二光刻胶层可以为正性光刻胶，也可以为负性光刻胶，只要最终显影后得到掩膜层中保留有预设掩膜即可。
[0082]另外，如图4所示，同时形成第一掩膜层和第二掩膜层的过程可以包括如下步骤:
[0083]步骤B1:在所述基板的正面形成第一光刻胶层；
[0084]步骤B2:在所述基板的背面形成第二光刻胶层；
[0085]步骤B3:分别对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光；
[0086]步骤B4:显影所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层。
[0087]其中，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层可以为正性光刻胶，也可以为负性光刻胶，只要最终显影后得到掩膜层中保留有预设掩膜即可。
[0088]并且，如图5所示，提供了一种采用沉积工艺形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层的方法，具体如下:
[0089]步骤Cl:在所述基板的正面和背面沉积第一掩膜层和第二掩膜层；
[0090]步骤C2:在所述基板的正面和背面分别形成图形化的光刻胶层；
[0091]步骤C3:刻蚀所述第一掩膜层和第二掩膜层，形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层；
[0092]步骤C4:去除图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层上的光刻胶层。
[0093]其中，步骤C2中的光刻胶层的图形与即将形成的图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层的图形相对应，以便后续刻蚀形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层。
[0094]步骤S203:以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板。
[0095]具体的，所述刻蚀可以为湿法刻蚀，也可以为干法刻蚀，其具体的选择依据基板的材料进行。在本实施例中，所述基板为玻璃，因此，本实施例中优选使用湿法刻蚀。其中，所述湿法刻蚀的刻蚀液为酸蚀液，具体的，该酸蚀液可以包括氢氟酸、盐酸、硝酸和/或硫酸的组合，其具体的配比根据基板的具体材料进行设置，本申请在此不做具体的限定。
[0096]其中，本步骤可以包括如下步骤:
[0097]步骤S2031:沿所述预设掩膜的外围切割所述基板，形成多个中片；
[0098]具体的，将所述基板进行切割，进而形成尺寸较小的中片，以便于进行后续的刻蚀步骤。所述的中片可以设置为包括10个预设掩膜或者其他数量的预设掩膜，在此不做具体的限定，以便于刻蚀过程中进行固定，其中，为保证刻蚀效果，还可以将中片放入特定的夹具中，使该夹具固定住基板被预设掩膜覆盖的部分，以便于取出后续刻蚀后得到的盖板。
[0099]步骤S2032:对所述中片进行双面刻蚀，形成独立的盖板。
[0100]具体的，如果是湿法刻蚀，将所述中片放入酸蚀液中，直至所述基板被刻蚀至仅剩第一掩膜层和第二掩膜层覆盖的部分，从而形成独立的盖板。或者，在干法刻蚀中，将所述中片放入刻蚀腔内进行刻蚀，直至所述基板被刻蚀穿透至仅剩第一掩膜层和第二掩膜层覆盖的部分，从而形成独立的盖板。
[0101]可以看出，本申请中通过刻蚀得到独立的盖板，避免了CNC工艺，从而提高了生产效率和成品合格率，降低了小尺寸盖板的生产成本。
[0102]在本申请的另一实施例中，提供了一种采用上述方法形成的盖板，所述盖板通过刻蚀得到独立的盖板，避免了 CNC工艺，从而提高了生产效率和成品合格率，降低了小尺寸盖板的生产成本。
[0103]需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置类实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
[0104]最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0105]本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
【主权项】
1.一种盖板的制作方法，其特征在于，包括: 提供基板，所述基板包括相对的正面和背面； 形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面;所述第一掩膜层包括至少一个预设掩膜，所述预设掩膜覆盖待形成盖板的区域;所述第二掩膜层的图形为所述第一掩膜层的图形在垂直于所述基板正面或背面方向的投影； 以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设掩膜的图形为沿所述待形成盖板的横截面的边缘向外扩展所述待形成盖板横截面积的O?10%后的图形。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为酸蚀液。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对所述基板进行双面刻蚀，形成独立的盖板，包括: 沿所述预设掩膜的外围切割所述基板，形成多个中片； 对所述中片进行双面刻蚀，形成独立的盖板。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面，包括: 在所述基板的正面形成图形化的第一掩膜层； 在所述基板的背面形成图形化的第二掩膜层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述基板的正面形成图形化的第一掩膜层，包括: 在所述基板的正面形成第一光刻胶层； 曝光所述第一光刻胶层； 显影所述第一光刻胶层，形成图形化的第一掩膜层。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述基板的背面形成图形化的第二掩膜层，包括: 在所述基板的背面形成第二光刻胶层； 曝光所述第二光刻胶层； 显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二掩膜层。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层位于所述基板的正面，所述第二掩膜层位于所述基板的背面，包括: 在所述基板的正面形成第一光刻胶层； 在所述基板的背面形成第二光刻胶层； 分别对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光； 显影所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，形成图形化的第一掩膜层和图形化的第二掩膜层。10.一种盖板，其特征在于，所述盖板采用权利要求1?9任一项制作得到。
【文档编号】H05K5/02GK106028716SQ201610565187
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月15日
【发明人】朱杰, 蔡良照, 郑志智, 谢康
【申请人】信利光电股份有限公司