一种接收电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于集成技术领域，尤其涉及一种接收电路。
【背景技术】
[0002]芯片(晶粒、集成电路)是现代信息社会最重要的硬件基础之一。在电子装置中，会整合有多个芯片；这些芯片经由通道(channel，例如电路板上的绕线及/或传输线)彼此连接以交换信号。借着信号中携载的内容(如数据、消息及/或指令等等)，电子装置中的诸芯片便可相互协调运作，进而实现电子装置的整体功能。
[0003]然而，传统的接收电路，结构复杂、抗干扰能力差。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提供一种接收电路，以解决上述【背景技术】中然而，现有的接收电路，存在抗干扰能力差的问题。
[0005]本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:本实用新型提供一种接收电路，其特征在于:包括输入端J1、接收端J2、差分放大器单元、放电单元，所述差分放大器单元包括差分放大器Ul、差分放大器U2、电容Cl、电阻Rl，所述放电单元包括场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、电阻R1，所述输入端Jl接电阻R1、差分放大器U2的引脚2，所述差分放大器U2的引脚3接电容Cl的一端且都接地，其引脚I接场效应管Ql的G极，所述电阻Rl的另一端接差分放大器Ul的引脚2，所述差分放大器Ul的引脚3接电容Cl的另一端，其引脚I接场效应管Q2的G极，所述场效应管Ql的S极接场效应管Q3的G极，其D极接电阻Rl的一端且都接地，所述场效应管Q3的S极接场效应管Q2的D极且都接接收端J2，其D极接电阻Rl的另一端，所述场效应管Q2的S极接电压+12V。
[0006]所述场效应管Ql选用P道沟型场效应管。
[0007]所述场效应管Q2选用P道沟型场效应管。
[0008]所述场效应管Q3选用N道沟型场效应管。
[0009]本实用新型的有益效果为:
[0010]I本专利的输入端Jl的信号分别经过两个差分放大器来抵消电路中的噪声，大大提高电路的抗干扰能力。
[0011 ] 2本专利放电单元采用多个场效应管来将漏电流导通至工作电压，进而提高电路的稳定性，延长电路的使用寿命。
[0012]3本专利的结构简单，各元器件相对较少，制造成本低，可以大范围推广使用。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本实用新型做进一步描述:
[0015]实施例:
[0016]本实施例包括:输入端J1、接收端J2、差分放大器单元、放电单元，差分放大器单元包括差分放大器U1、差分放大器U2、电容Cl、电阻R1，放电单元包括场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、电阻Rl，输入端Jl接电阻R1、差分放大器U2的引脚2，差分放大器U2的引脚3接电容Cl的一端且都接地，其引脚I接场效应管Ql的G极，电阻Rl的另一端接差分放大器Ul的引脚2，差分放大器Ul的引脚3接电容Cl的另一端，其引脚I接场效应管Q2的G极，场效应管Ql的S极接场效应管Q3的G极，其D极接电阻Rl的一端且都接地，场效应管Q3的S极接场效应管Q2的D极且都接接收端J2，其D极接电阻Rl的另一端，场效应管Q2的S极接电压+12V。
[0017]场效应管Ql选用P道沟型场效应管。
[0018]场效应管Q2选用P道沟型场效应管。
[0019]场效应管Q3选用N道沟型场效应管。
[0020]本专利的输入端Jl的信号分别经过两个差分放大器来抵消电路中的噪声，大大提高电路的抗干扰能力；放电单元采用多个场效应管来将漏电流导通至工作电压，进而提尚电路的稳定性，延长电路的使用寿命。
[0021]利用本实用新型所述的技术方案，或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种接收电路，其特征在于:包括输入端J1、接收端J2、差分放大器单元、放电单元，所述差分放大器单元包括差分放大器Ul、差分放大器U2、电容Cl、电阻Rl，所述放电单元包括场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、电阻R1，所述输入端Jl接电阻R1、差分放大器U2的引脚2，所述差分放大器U2的引脚3接电容Cl的一端且都接地，其引脚I接场效应管Ql的G极，所述电阻Rl的另一端接差分放大器Ul的引脚2，所述差分放大器Ul的引脚3接电容Cl的另一端，其引脚I接场效应管Q2的G极，所述场效应管Ql的S极接场效应管Q3的G极，其D极接电阻Rl的一端且都接地，所述场效应管Q3的S极接场效应管Q2的D极且都接接收端J2，其D极接电阻Rl的另一端，所述场效应管Q2的S极接电压+12V。
2.根据权利要求1所述的一种接收电路，其特征在于:所述场效应管Ql选用P道沟型场效应管。
3.根据权利要求1所述的一种接收电路，其特征在于:所述场效应管Q2选用P道沟型场效应管。
4.根据权利要求1所述的一种接收电路，其特征在于:所述场效应管Q3选用N道沟型场效应管。
【专利摘要】本实用新型属于集成技术领域，尤其涉及一种接收电路：包括输入端J1、接收端J2、差分放大器单元、放电单元，所述差分放大器单元包括差分放大器U1、差分放大器U2、电容C1、电阻R1，所述放电单元包括场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、电阻R1。本专利的输入端J1的信号分别经过两个差分放大器来抵消电路中的噪声，大大提高电路的抗干扰能力；放电单元采用多个场效应管来将漏电流导通至工作电压，进而提高电路的稳定性，延长电路的使用寿命。
【IPC分类】H03K19-094
【公开号】CN204481791
【申请号】CN201520168471
【发明人】王江峰
【申请人】天津亿瑞电子商务有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年3月24日