一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及功率放大器技术领域，具体涉及一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构。
【背景技术】
[0002]在某些特殊领域，比如通讯、军用领域，对功率放大器设备的电磁兼容性能有着严格的要求，必须通过相关的第三方测试，其中电磁辐射发射(RE)和电磁辐射抗干扰(RS)尤其关键，否则很容易造成对周围敏感电子设备的电磁干扰或者被其他电子设备干扰而无法正常工作。
[0003]功率放大器设备里面有IGBT、MOSFET等功率开关元器件，正常工作时会产生大量的功率损耗，因此需要通风孔散热，而通风孔会造成电磁辐射泄漏。
[0004]为了解决上述问题，必须对功率放大器结构进行新的设计，使其能够满足自身散热需要，同时实现电磁屏蔽。
【发明内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构，利用热管将功率放大器内部的热量传导至箱体外部的散热片上，从而箱体可以完全密封，解决了因为通风孔而造成电磁泄漏的问题。
[0006]本实用新型解决技术问题所采用的技术方案为:一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构，包括功率放大器的箱体、功率开关元器件、内部散热片、外部散热片，箱体为封闭结构，功率开关元器件和内部散热片设置于封闭的箱体内部，功率开关元器件与内部散热片之间添加电缘层并压紧，内部散热片的另一侧面与箱体固定，热管从内部散热片穿过，热管的外表面与内部散热片之间的接触面采用焊接方式，热管从箱体中穿出，与设置在箱体外部的外部散热片连接。
[0007]进一步，所述热管从箱体中穿出部位用导电胶带完全密封。
[0008]进一步，所述外部散热片上设置有散热筋，散热筋呈垂直方向布置。
[0009]进一步，所述外部散热片的下方安装有风扇。
[0010]进一步，所述内部散热片和外部散热片采用铝或铜等导热性能良好的金属或非金属导热材料制成。
[0011]进一步，所述内部散热片与热管的蒸发端焊接连接，热管的冷凝端与外部散热片焊接连接，焊接连接部位需要保证足够的接触面，尽量减小热阻。
[0012]进一步，所述功率放大器的箱体采用钢、铁或铝等金属材料制成。
[0013]进一步，所述功率放大器的箱体是长方体结构，或其他便于部件布置的形状。
[0014]本实用新型提出了一种新型的功率放大器散热结构，利用热管的超级导热性，将内部功率开关元器件的热量传导至箱体之外的散热片上进行冷却，箱体采用全封闭结构，解决了功率放大器箱体由于增加通风散热孔带来的电磁泄漏问题，具有良好的电磁屏蔽性會K。
【附图说明】
[0015]图1是功率放大器主视图；
[0016]图2是功率放大器A-A剖面图；
[0017]1-箱体；2-内部散热片；3-功率开关兀器件；4-热管；5-外部散热片；6-风
Ho
【具体实施方式】
[0018]参见图1、图2，本实用新型提供了一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构，功率放大器的箱体1，为封闭结构，功率开关元器件3贴在内部散热片2上，功率开关元器件3与内部散热片2之间添加电缘层并压紧，内部散热片2的另一面与箱体I固定，热管4从内部散热片2中穿过，热管4的外表面与内部散热片2之间的接触面采用焊接方式连接，并保证良好的接触，热管4从箱体I穿出，可以用导电胶带完全密封增强屏蔽效果，热管4的箱体外面部分与外部散热片5连接并保证良好的接触，外部散热片5上面有散热筋，散热筋的为垂直方向，如果散热面积不足，可以在散热片5的下面装风扇6，进行强迫冷却。
[0019]功率放大器的箱体I可以是长方体结构，也可以为其他形状，材料为钢、铁或者铝等材料，除了必要的引出线和热管4的穿孔，为全封闭结构，可以保证具有良好的电磁屏蔽特性。功率开关元器件3在工作时会产生大量的热，热量通过接触传导至内部散热片2上，散热片2为铝或者铜等良好导热材料制成，内部散热片2又与热管4的蒸发端接触，将热量传导至热管4的蒸发端上，热管内部的液体吸收热量而产生汽化，蒸汽在压力差下(沿着图1中所示的空心箭头方向)向热管的冷凝端移动，释放热量后冷凝为液体，液体沿着管内壁在重力下又返回至蒸发端(返回路径见管内黑色箭头)形成循环。热管4的冷凝端与外部散热片5充分接触，外部散热片5为铝或者铜等良好导热材料制成，热管4冷凝端释放的热量传导至外部散热片5上，外部散热片5上有散热筋，可以增加对流散热面积，散热筋为垂直方向，更利于对流散热。如果散热面积有限，可以考虑在外部散热片5的下面安装风扇6，风扇6将空气从下方往上吹，经过散热筋，形成强迫风冷。
[0020]以上内容仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，或者对权利要求的任意从属权利要求进行重新组合，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构，其特征在于:包括功率放大器的箱体(I)、功率开关兀器件(3)、内部散热片(2)、外部散热片(5)，箱体(I)为封闭结构，功率开关元器件(3)和内部散热片(2)设置于封闭的箱体(I)内部，功率开关元器件(3)与内部散热片(2)之间添加电缘层并压紧，内部散热片(2)的另一侧面与箱体(I)固定，热管(4)从内部散热片穿过，热管(4)的外表面与内部散热片之间的接触面采用焊接方式，热管(4)从箱体(I)中穿出，与设置在箱体(I)外部的外部散热片(5)连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器散热结构，其特征在于:热管(4)从箱体(I)中穿出部位用导电胶带完全密封。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大器散热结构，其特征在于:外部散热片(5)上设置有散热筋，散热筋呈垂直方向布置。
4.根据权利要求3所述的功率放大器散热结构，其特征在于:外部散热片(5)的下方安装有风扇(6)。
5.根据权利要求1或4所述的功率放大器散热结构，其特征在于:内部散热片(2)和外部散热片(5)采用金属导热材料制成。
6.根据权利要求5所述的功率放大器散热结构，其特征在于:内部散热片(2)和外部散热片(5)采用铝或铜制成。
7.根据权利要求1或2所述的功率放大器散热结构，其特征在于:热管(4)的冷凝端与外部散热片(5)焊接连接。
8.根据权利要求1或2所述的功率放大器散热结构，其特征在于:内部散热片(2)与热管(4)的蒸发端焊接连接。
9.根据权利要求1所述的功率放大器散热结构，其特征在于:功率放大器的箱体(I)采用金属材料制成。
10.根据权利要求9所述的功率放大器散热结构，其特征在于:功率放大器的箱体(I)采用为钢、铁或铝制成。
11.根据权利要求1所述的功率放大器散热结构，其特征在于:功率放大器的箱体(I)是长方体结构。
【专利摘要】本实用新型提供一种具有电磁屏蔽性能的功率放大器散热结构，包括功率放大器的箱体、功率开关元器件、内部散热片、外部散热片，箱体为封闭结构，功率开关元器件和内部散热片设置于封闭的箱体内部，功率开关元器件贴在内部散热片上，内部散热片的一侧面与功率开关元器件贴合，另一侧面与箱体固定，热管从内部散热片通过，并从箱体中穿出，与设置与箱体外部的外部散热片连接。该功率放大器散热结构利用热管的导热性，将内部功率开关元器件的热量传导至箱体之外的散热片上进行冷却，箱体采用全封闭结构，解决了功率放大器箱体由于增加通风散热孔带来的电磁泄漏问题，具有良好的电磁屏蔽性能。
【IPC分类】H05K9-00, H05K7-20
【公开号】CN204482211
【申请号】CN201520132726
【发明人】于溯源, 毕刘新
【申请人】清华大学
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年3月9日