输出电路、检测传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及输出电路、检测传感器。
【背景技术】
[0002]以往，如遮光式、反射式那样使用光的检测传感器具有输出电路，该输出电路用于输出与有无检测对象相应的信号。输出电路具有连接到输出端子的晶体管，通过该输出晶体管使电流流动。连接到检测传感器的控制器根据连接到输出晶体管的负载中的电平来判定检测传感器的输出信号的电平。在这样的输出电路中有如下电路:为了确保输出晶体管相对于施加于输出端子的噪声、静电放电(ESD:Electric Static Discharge)的耐性，在驱动例如电机等负载的驱动电路(输出电路)中具备保护输出晶体管的保护电路(例如，参照专利文献I)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:(日本)特开2008 - 35067号公报【实用新型内容】
[0006]但是，在输出电路中，有可能发生晶体管意外地导通、即误动作。例如，为了减少功耗等，有时在上述的输出晶体管中使用例如MOS晶体管。该MOS晶体管的漏极端子连接到传感器的输出端子，构成所谓的开漏极输出电路。在这样的输出电路中，当噪声等施加于输出端子时，由于MOS晶体管的漏极-栅极间的耦合电容，MOS晶体管的栅极电压变动，晶体管意外地导通。
[0007]本实用新型是为了解决上述课题而完成的，其目的在于抑制输出晶体管的误动作。
[0008]解决上述课题的输出电路是设于检测传感器的输出电路，具备:输出晶体管，其第I端子连接到输出端子，第2端子连接到低电位侧的第I配线；第I有源钳位电路，其连接到所述输出端子与所述输出晶体管的控制端子之间；第I电阻，其连接到所述输出晶体管的控制端子与所述第I配线之间；缓冲电路，其输出控制信号向输入端子提供；第I晶体管，其第2端子连接到高电位侧的第2配线，第I端子连接到所述输出晶体管的控制端子，控制端子被提供所述缓冲电路的输出信号；第2晶体管，其第I端子连接到所述输出晶体管的控制端子，第2端子连接到所述第I配线，控制端子被提供所述缓冲电路的输出信号，相对于所述第I晶体管互补地导通截止；以及第2电阻，其插入连接到所述输出晶体管的控制端子与所述第2晶体管的第I端子之间、以及所述第2晶体管的第2端子与所述第I配线之间中的至少一方。
[0009]根据该构成，在第2晶体管导通时，通过该第2晶体管和第2电阻，输出晶体管的控制端子连接到低电位侧的第I配线，输出晶体管截止。并且，第2晶体管和第2电阻的串联电路相对于第I电阻并联连接。因此，输出晶体管的控制端子与第I配线之间的合成电阻的电阻值仅比第I电阻的情况小。该合成电阻和第I有源钳位电路将由于施加于输出端子的电涌导致的该输出端子的电压钳位到规定电压，保护输出晶体管。另外，输出晶体管的控制端子与第I配线之间的合成电阻抑制由于噪声等使输出晶体管的控制端子中的电压变动，减少输出晶体管意外导通、即输出晶体管的误动作。
[0010]在上述的输出电路中，优选所述第I电阻的电阻值设定为大于所述第2电阻的电阻值。
[0011]根据该构成，在第2晶体管截止、第I晶体管导通时，输出晶体管的控制端子仅利用第I电阻连接到第I配线。因此，通过增大第I电阻的电阻值，减少输出晶体管的控制端子与第I配线之间的电流量，抑制功耗的增加。
[0012]在上述的输出电路中，优选具备:第3晶体管，其第2端子连接到所述第2晶体管的控制端子，第I端子连接到所述第I配线；第2有源钳位电路，其连接到所述输出端子与所述第3晶体管的控制端子之间；以及第3电阻，其连接到所述第3晶体管的控制端子与所述第I配线之间。
[0013]根据该构成，利用在第2有源钳位电路中流动的电流导通的第3晶体管将第2晶体管的控制端子连接到低电位侧的第I配线，第2晶体管截止。因此，当向输出端子施加电涌时，使第2晶体管截止，通过利用第I有源钳位电路和第I电阻导通的输出晶体管，电涌向第I配线流动，可确保输出晶体管的耐性。
[0014]在上述的输出电路中，优选所述第2晶体管的控制端子通过第4电阻连接到所述缓冲电路的输出端子。
[0015]根据该构成，能利用第3晶体管容易地使第2晶体管截止。
[0016]在上述的输出电路中，优选所述输出晶体管是所述第I端子为漏极端子、所述第2端子为源极端子的MOS型的晶体管。
[0017]根据该构成，用于驱动作为MOS型的晶体管的输出晶体管的功耗与使用双极晶体管的情况相比减少。
[0018]在上述的输出电路中，优选所述第I有源钳位电路具备相对于从所述输出端子朝向所述输出晶体管的控制端子的方向而正向连接的二极管和反向连接的齐纳二极管。
[0019]根据该构成，利用施加于输出端子的电涌，有源钳位电路的齐纳二极管击穿。通过在有源钳位电路中流动的电流和利用第I电阻导通的输出晶体管，电涌向低电位侧的第I配线流动。因此，可确保输出晶体管的耐性。
[0020]解决上述课题的检测传感器具备:检测电路，其输出与检测对象的物理量相应的检测信号；判定电路，其输出与所述检测信号相应的判定信号；信号处理电路，其基于所述判定信号将输出控制信号输出；以及上述的输出电路。
[0021]根据该构成，在输出电路中，可确保相对于输出晶体管中的电涌的耐性。另外，在输出电路中，可减少由于噪声导致的输出晶体管的误动作。
[0022]并且，可提供具备该输出电路的检测传感器。
[0023]根据本实用新型，能抑制输出晶体管的误动作。
【附图说明】
[0024]图1是第I实施方式的检测传感器的方框电路图。
[0025]图2是第I实施方式的输出电路的电路图。
[0026]图3是第2实施方式的输出电路的电路图。
[0027]附图标记说明
[0028]10:检测传感器、13:受光电路(检测电路)、14:受光判定电路(判定电路)、15:信号处理电路、16、17、31:输出电路、21:缓冲电路、22:有源钳位电路(第I有源钳位电路)、23:有源钳位电路(第2有源钳位电路)、DS:受光信号(判定信号)、KS:检测信号、Ml:输出晶体管、M2:晶体管(第I晶体管)、M3:晶体管(第2晶体管)、M4:晶体管(第3晶体管)、R1:电阻(第I电阻)、R2:电阻(第2电阻)、R11:电阻(第I电阻)、R12:电阻(第2电阻)、R13:电阻(第4电阻)、R14:电阻(第3电阻)、ZD1、ZD2:齐纳二极管、D1、D2: 二极管、T2:外部端子(输出端子)、GND:配线(第I配线)、VDD:配线(第2配线)。
【具体实施方式】
[0029](第I实施方式)
[0030]以下说明第I实施方式。
[0031]图1所示的检测传感器10连接到未图示的控制器。例如，检测传感器10的外部端子Tl?T4通过未图示的电线连接到控制器。外部端子Tl、T4是电源端子，从控制器被提供驱动电压(高电位电压VC、低电位电压GND)。外部端子T2、T3是输出端子。
[0032]检测传感器10具有电源电路11、投光电路12、受光电路13、受光判定电路14、信号处理电路15、输出电路16、17。检测传感器10基于所提供的驱动电压工作，使输出电路16,17的输出晶体管导通截止。控制器接收与输出晶体管的导通截止相应的信号。
[0033]电源电路11连接到检测传感器10的外部端子Tl。外部端子Tl从该检测传感器10所连接的控制器(图示省略)被提供检测传感器10的驱动电压。电源电路11基于驱动电压生成用于各电路工作的高电位电压VDD。关于高电位电压VDD的提供，在图1中省略。
[0034]投光电路12包含投光元件(例如发光二极管)。投光电路12基于从电源电路11提供的工作电压(例如高电位电压VDD)工作，投射光。受光电路13包含受光元件(例如光晶体管)，输出与入射光量相应的电平的检测信号KS。该检测传感器10是例如在I个壳体中将投光元件和受光元件相互相对配置的光传感器(光电传感器)。检测对象将从投光电路12到受光电路13的光遮断(遮光)。
[0035]受光判定电路14基于从受光电路13输出的检测信号KS，输出与相对于受光电路13的光的入射/遮光相应的电平(高电平/低电平)的受光信号DS。因此，受光信号DS的电平与有无检测对象对应。例如，受光判定电路14在入射时输出高电平的受光信号DS，在遮光时输出低电平的受光信号DS。
[0036]在信号处理电路15上连接着模式设定开关SWl和显示用发光二极管roi。信号处理电路15输入与模式设定开关SWl的导通截止相应的模式设定信号MS。模式设定开关Sffi设定信号处理电路15中的动作模式(显示模式)。显示用发光二极管roi的点亮/熄灭表不受光电路13的入射遮光状态。
[0037]例如，信号处理电路15基于低电平的模式设定信号MS(模式设定开关SWl接通)判定为第I模式(MODE:1)，基于高电平的模式设定信号MS (模式设定开关SWl断开)判定为第2模式(MODE:0)?第I模式(MODE:1)是在入射时使显示用发光二极管PDl点亮(遮光时熄灭)的模式(入射时导通模式)，第2模式(MODE:0)是在遮光时使显示用发光二极管roi点亮(入射时熄灭)的模式(遮光时导通模式)。
[0038]在第I模式(M0DE:1)时，信号处理电路15基于高电平的受光信号DS输出高电平的控制信号PC