一种单端输入迟滞比较电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及的是迟滞比较器技术领域，具体涉及一种单端输入迟滞比较电路。
【背景技术】
[0002]在发光二极管驱动芯片设计中，传统的迟滞比较器电路为双端输入差动对结构，不仅需要从外部引入参考电平，往往还需要外部电路为其提供偏置电压，这样的比较电路在芯片上会占用较大的面积，而且电路性能还会受到参考电平和偏置电压的波动的影响，基于此，设计一种新型的单端输入迟滞比较电路还是很有必要的。
【实用新型内容】
[0003]针对现有技术上存在的不足，本实用新型目的是在于提供一种单端输入迟滞比较电路，结构简单，设计合理，能自身产生偏置电流，具有很强的独立性和稳定性，且占用面积小，消耗的功率低。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种单端输入迟滞比较电路，包括第一绝缘栅双极型晶体管-第十七绝缘栅双极型晶体管、第一电阻-第五电阻、电容、第一反相器和第二反相器，第一绝缘栅双极型晶体管的门极分别接第十六绝缘栅双极型晶体管、第十七绝缘栅双极型晶体管的集电极，第十六绝缘栅双极型晶体管的门极、发射极均接电源VDD端，第十七绝缘栅双极型晶体管的门极、发射极均接地端，第一绝缘栅双极型晶体管的门极还接第五电阻至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管的集电极、第二绝缘栅双极型晶体管的门极及集电极均接地端，第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管、第五绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管的门极，第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的集电极，第十三绝缘栅双极型晶体管、第十四绝缘栅双极型晶体管的门极均与第六绝缘栅双极型晶体管、第八绝缘栅双极型晶体管-第十一绝缘栅双极型晶体管的门极连接，第六绝缘栅双极型晶体管、第八绝缘栅双极型晶体管、第十三绝缘栅双极型晶体管-第十五绝缘栅双极型晶体管的发射极均接电源VDD端，第六绝缘栅双极型晶体管的门极、集电极均接第七绝缘栅双极型晶体管的发射极，第七绝缘栅双极型晶体管的集电极接第一电阻至地端，第八绝缘栅双极型晶体管-第十一绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接第九绝缘栅双极型晶体管-第十二绝缘栅双极型晶体管的发射极，第十二绝缘栅双极型晶体管的集电极接第二电阻至第一绝缘栅双极型晶体管的发射极，第五绝缘栅双极型晶体管的发射极接第十五绝缘栅双极型晶体管的门极，第十五绝缘栅双极型晶体管的门极接电容至电源VDD端，第十五绝缘栅双极型晶体管的发射极接电源VDD端，第十五绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接地端、第一反相器的输入端，第一反相器的输出端分别接第二反相器的输入端、第十二绝缘栅双极型晶体管的门极。
[0005]作为优选，所述的第六绝缘栅双极型晶体管、第七绝缘栅双极型晶体管、第一电阻组成了偏置电流源，为电路中的三个电流源提供镜像源。
[0006]本实用新型的有益效果:电路在不需要芯片中任何其他模块的支持的条件下就能完成迟滞比较的功能，能自身产生偏置电流，具有很强的独立性和稳定性，而且在电路结构上完个CMOS工艺实现，电路中没有特殊的大尺寸器件，因此所占用的面积较小，电路消耗的功率低。
【附图说明】
[0007]下面结合附图和【具体实施方式】来详细说明本实用新型；
[0008]图1为本实用新型的电路图；
[0009]图2为本实用新型的原理图；
[0010]图3为本实用新型偏置电流源的电路图。
【具体实施方式】
[0011]为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本实用新型。
[0012]参照图1-3，本【具体实施方式】采用以下技术方案:一种单端输入迟滞比较电路，包括第一绝缘栅双极型晶体管Ml-第十七绝缘栅双极型晶体管M17、第一电阻Rl-第五电阻R5、电容C、第一反相器INVl和第二反相器INV2，第一绝缘栅双极型晶体管Ml的门极分别接第十六绝缘栅双极型晶体管M16、第十七绝缘栅双极型晶体管M17的集电极，第十六绝缘栅双极型晶体管M16的门极、发射极均接电源VDD端，第十七绝缘栅双极型晶体管Ml7的门极、发射极均接地端，第一绝缘栅双极型晶体管Ml的门极还接第五电阻R5至输入电压端，第一绝缘栅双极型晶体管Ml的集电极、第二绝缘栅双极型晶体管M2的门极及集电极均接地端，第一绝缘栅双极型晶体管M1、第二绝缘栅双极型晶体管M2的发射极分别接第三绝缘栅双极型晶体管M3、第四绝缘栅双极型晶体管M4的发射极，第三绝缘栅双极型晶体管M3、第五绝缘栅双极型晶体管M5的门极、集电极均接第四绝缘栅双极型晶体管M4的门极，第三绝缘栅双极型晶体管M3、第四绝缘栅双极型晶体管M4的集电极分别接第三电阻R3、第四电阻R4至第十三绝缘栅双极型晶体管M13、第十四绝缘栅双极型晶体管M14的集电极，第十三绝缘栅双极型晶体管M13、第十四绝缘栅双极型晶体管M14的门极均与第六绝缘栅双极型晶体管M6、第八绝缘栅双极型晶体管M8-第^^一绝缘栅双极型晶体管Ml I的门极连接，第六绝缘栅双极型晶体管M6、第八绝缘栅双极型晶体管M8、第十三绝缘栅双极型晶体管Ml 3-第十五绝缘栅双极型晶体管M15的发射极均接电源VDD端，第六绝缘栅双极型晶体管M6的门极、集电极均接第七绝缘栅双极型晶体管M7的发射极，第七绝缘栅双极型晶体管M7的集电极接第一电阻Rl至地端，第八绝缘栅双极型晶体管M8-第十一绝缘栅双极型晶体管Mll的集电极分别接第九绝缘栅双极型晶体管M9-第十二绝缘栅双极型晶体管M12的发射极，第十二绝缘栅双极型晶体管M12的集电极接第二电阻R2至第一绝缘栅双极型晶体管Ml的发射极，第五绝缘栅双极型晶体管M5的发射极接第十五绝缘栅双极型晶体管M15的门极，第十五绝缘栅双极型晶体管M15的门极接电容C至电源VDD端，第十五绝缘栅双极型晶体管M15的发射极接电源VDD端，第十五绝缘栅双极型晶体管M15的集电极分别接地端、第一反相器INVl的输入端，第一反相器INVl的输出端分别接第二反相器INV2的输入端、第十二绝缘栅双极型晶体管M12的门极。
[0013]本【具体实施方式】的电路原理图如图2所示，第一绝缘栅双极型晶体管Ml-第四绝缘栅双极型晶体管M4此电路的核心部分，在电流源Il和12的配合下，可完成电压比较和翻转阀值电压设定的功能，第五绝缘栅双极型晶体管M5为二极管连接，用于在第三绝缘栅双极型晶体管M3截止时钳位第三绝缘栅双极型晶体管M3和第四绝缘栅双极型晶体管M4发射极的电压，并提高电路的翻转速度，电路的基本工作原理是:当CTRL端的输入电压Vcm低于电路所设置的阈值电压时，第三绝缘栅双极型晶体管M3导通，电流源Il通过第三绝缘栅双极型晶体管M3流经第一绝缘栅双极型晶体管M1，同时第四绝缘栅双极型晶体管M4上的电流很小，使得OUT电位为高，第五绝缘栅双极型晶体管M5截止，OUT产