一种高可靠金属陶瓷封装外壳的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及隔离放大器的封装外壳技术领域，具体涉及一种高可靠耐高压金属陶瓷封装外壳。
【背景技术】
[0002]目前，常用的隔离放大器采用陶瓷粘接形成封装外壳，保护内部电路，但存在密封性能差、易受外界外部物理环境和化学环境变化的影响，可靠性差，难于满足电子器件高可靠、长寿命稳定工作的要求。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有电路封装外壳的非密封、可靠性差的问题，本实用新型提供一种高可靠金属陶瓷封装外壳，满足器件对外壳密封、高可靠、轻质和高介质耐电压的要求。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案:
[0005]一种高可靠金属陶瓷封装外壳，包括陶瓷底板、金属环框和盖板，所述陶瓷底板上开设有引线孔，该引线孔内嵌入引脚，所述陶瓷底板与金属环框以及引线孔与引脚均通过钎焊密封，所述金属环框与所述盖板平行缝焊，所述陶瓷底板、金属环框和盖板形成用于保护电路的腔体。
[0006]进一步地，所述引脚与引线孔钎焊表面金属化，形成金属化区一，所述金属环框与陶瓷底板钎焊表面金属化，形成金属化区二，所述金属化区一与所述金属化区二的爬电距离满足高介质耐电压的爬电要求。
[0007]优选地，所述金属环框为矩形薄壁结构。
[0008]由以上技术方案可知，本实用新型满足隔离放大器对外壳的可靠性要求，满足隔离放大器电路对密封和高介质耐电压要求，且结构简单。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的分解示意图；
[0010]图2为本实用新型的侧面剖视图；
[0011]图3为本实用新型去除盖板后的结构示意图。
[0012]图中:1、陶瓷底板，2、金属环框，3、盖板，4、引线孔，5、引脚，6、金属化区一，7、金属化区二。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型的一种优选实施方式作详细的说明。
[0014]如图1所示，所述金属陶瓷封装外壳包括陶瓷底板1、金属环框2和盖板3。
[0015]所述陶瓷底板I自身是绝缘体的陶瓷材料，为内部电路提供机械支撑和实现绝缘、密封。所述陶瓷底板I上开设有引线孔4，该引线孔内嵌入引脚5，引脚为封装器件的内外电路提供电信号连接。所述陶瓷底板I与金属环框2通过钎焊密封，所述引线孔4与引脚5也通过钎焊密封。所述金属环框2与盖板3平行缝焊，所述陶瓷底板1、金属环框2和盖板3形成用于保护电路的腔体，金属壳体在一定程度上能够隔离电磁信号，避免电磁干扰。所述金属环框2为矩形薄壁结构，壁厚满足外壳对电路的密封支撑要求和平行缝焊要求，且重量较轻。
[0016]如图2所示，所述引脚5与引线孔4钎焊表面金属化，形成金属化区一 6，所述金属环框2与陶瓷底板I钎焊表面金属化，形成金属化区二 7，所述金属化区一与所述金属化区二的爬电距离满足3500VDC高介质耐电压的爬电要求，保证外壳的绝缘性能和介质耐电压性能。
[0017]如图3所示，陶瓷底板I的表面积比金属环框2的表面积大，引线孔4位于金属环框2所围区域内，陶瓷底板I金属化不超出陶瓷外边沿，满足金属陶瓷钎焊的高可靠要求。
[0018]以上所述实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
【主权项】
1.一种高可靠金属陶瓷封装外壳，其特征在于，包括陶瓷底板(I)、金属环框(2)和盖板(3)，所述陶瓷底板(I)上开设有引线孔(4)，该引线孔内嵌入引脚(5)，所述陶瓷底板(I)与金属环框(2)以及引线孔(4)与引脚(5)均通过钎焊密封，所述金属环框(2)与所述盖板(3)平行缝焊，所述陶瓷底板(I)、金属环框(2)和盖板(3)形成用于保护电路的腔体。2.根据权利要求1所述的高可靠金属陶瓷封装外壳，其特征在于，所述引脚(5)与引线孔(4)钎焊表面金属化，形成金属化区一(6)，所述金属环框(2)与陶瓷底板(I)钎焊表面金属化，形成金属化区二(7)，所述金属化区一与所述金属化区二的爬电距离满足高介质耐电压的爬电要求。3.根据权利要求1所述的高可靠金属陶瓷封装外壳，其特征在于，所述金属环框(2)为矩形薄壁结构。
【专利摘要】本实用新型提供一种高可靠金属陶瓷封装外壳，包括陶瓷底板、金属环框和盖板，所述陶瓷底板上开设有引线孔，该引线孔内嵌入引脚，所述陶瓷底板与金属环框以及引线孔与引脚均通过钎焊密封，所述金属环框与所述盖板平行缝焊，所述陶瓷底板、金属环框和盖板形成用于保护电路的腔体。本实用新型满足隔离放大器对外壳的可靠性要求，满足隔离放大器电路对密封和高介质耐电压要求，且结构简单。
【IPC分类】H03F1/00
【公开号】CN204615765
【申请号】CN201520447734
【发明人】张志成, 何素珍, 李凯亮, 孙刚, 周泽香
【申请人】中国电子科技集团公司第四十三研究所
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月28日