一种屏蔽箱的制作方法

文档序号:8982805阅读:229来源:国知局
一种屏蔽箱的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电气设备技术领域,具体涉及一种屏蔽箱。
【背景技术】
[0002]屏蔽箱是利用导电或者导磁材料制成的各种形状的屏蔽体,将电磁能力限制在一定空间范围内,用于抑制辐射干扰的金属体。并对传导和辐射进行处理,以实现给被测无线通讯设备提供无干扰的测试环境的设备。
[0003]现有屏蔽箱结构较为复杂,特别是在箱体闭合时、箱体密封性能不好,影响屏蔽箱的屏蔽效果。

【发明内容】

[0004]发明目的:针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种屏蔽箱,结构简单,密封性能好、屏蔽效果好。
[0005]技术方案:本实用新型所述的屏蔽箱,包括上箱体、下箱体;所述下箱体、上箱体通过若干个凸起和凹槽配合相连、凹槽底部设有导电泡棉层,所述上箱体和下箱体的内壁设有吸波海绵层。通过模具将上箱体、下箱体压铸成的凹凸屏蔽槽,槽内用导电泡棉填充,增加开合密封效果;设置吸波海绵层,吸收电磁波,消除箱体内电磁波的来回反射,有效减少杂波对自身设备的干扰、防止电磁辐射对人体健康的伤害。
[0006]所述上箱体、下箱体均设有数据端口和电源端口,数据端口和电源端口均设有EMI滤波器。电源线是干扰传入设备和传出设备的主要途径,让低频的有用信号顺利通过,而对高频干扰有抑制作用,起到很好的屏蔽作用。
[0007]所述上箱体、下箱体均由五个面板组成,面板之间通过一条焊线满焊相连。通过一条焊线满焊相连,使得上箱体、下箱体的密封性能好、屏蔽效果好,焊接过程不受规格尺寸限制,可满足更多客户的需求。
[0008]所述下箱体设有5个凸起,所述上箱体上设有与所述下箱体凸起相配合的凹槽。通过如上设置凸起和凹槽,可以使得上箱体和下箱体之间的连接效果达到最佳。
[0009]所述上箱体、下箱体均采用5mm厚的纯铝板焊接制成。
[0010]所述吸波海绵层的厚度为5~10mm。
[0011]有益效果:与现有技术相比,本实用新型的优点:采用纯铝板以一条焊线满焊相连形成上箱体、下箱体,形成密封性能好、屏蔽效果好的主体结构,上箱体和下箱体通过凹槽和凸起配合连接,凹槽处设置导电泡棉层,进一步巩固屏蔽性能;设置EMI滤波器,增加传入设备和传出设备之间信号传输的稳定性。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图。
[0013]图2是本实用新型下箱体的俯视图。
【具体实施方式】
[0014]下面通过附图对本实用新型技术方案进行详细说明。
[0015]实施例1:如图1、图2所示的屏蔽箱,包括上箱体I和下箱体2,上箱体I和下箱体2均由五个面板组成、面板之间通过一条焊线满焊相连。下箱体2设有5个凸起21,上箱体I对应下箱体2的凸起21设有凹槽12,凹槽12底面处设有导电泡棉层13。将下箱体2的凸起21与上箱体I的凹槽12相配合相连;上箱体I和下箱体2内壁均设有吸波海绵层3,吸波海绵层3的厚度为8mm。上箱体1、下箱体2均设有数据端口和电源端口,数据端口和电源端口均设有EMI滤波器。
[0016]如上所述,尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本实用新型,但其不得解释为对本实用新型自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本实用新型的精神和范围前提下,可对其在形式上和细节上作出各种变化。
【主权项】
1.一种屏蔽箱,其特征在于:包括上箱体、下箱体;所述下箱体、上箱体通过若干个凸起和凹槽配合相连、凹槽底部设有导电泡棉层,所述上箱体和下箱体的内壁设有吸波海绵层O2.根据权利要求1所述屏蔽箱,其特征在于:所述上箱体、下箱体均设有数据端口和电源端口,数据端口和电源端口均设有EMI滤波器。3.根据权利要求1所述屏蔽箱,其特征在于:所述上箱体、下箱体均由五个面板组成,面板之间通过一条焊线满焊相连。4.根据权利要求1所述屏蔽箱,其特征在于:所述下箱体设有5个凸起,所述上箱体上设有与所述下箱体凸起相配合的凹槽。5.根据权利要求1所述屏蔽箱,其特征在于:所述上箱体、下箱体均采用5mm厚的纯铝板焊接制成。6.根据权利要求1所述屏蔽箱,其特征在于:所述吸波海绵层的厚度为5~10mm。
【专利摘要】本实用新型公开了一种屏蔽箱,包括上箱体、下箱体;所述下箱体、上箱体通过若干个凸起和凹槽配合相连、凹槽底部设有导电泡棉层,所述上箱体和下箱体的内壁设有吸波海绵层;所述上箱体、下箱体均设有数据端口和电源端口,数据端口和电源端口均设有EMI滤波器。本实用新型将上箱体、下箱体压铸成的凹凸屏蔽槽,槽内用导电泡棉填充,增加开合密封效果;设置吸波海绵层,吸收电磁波,消除箱体内电磁波的来回反射,有效减少杂波对自身设备的干扰、防止电磁辐射对人体健康的伤害。
【IPC分类】H05K9/00
【公开号】CN204634265
【申请号】CN201520366817
【发明人】王传峰
【申请人】南京亚通电力设备有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月1日
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