低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统的制作方法

文档序号:9190749阅读:485来源:国知局
低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电场屏蔽技术领域,尤其是一种低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统。
【背景技术】
[0002]桑拿房通过发热空间提供治疗和洁肤效果,热量使人体出汗,也能减轻肌肉和关节的痛苦,达到治疗的效果。传统的桑拿发热方法利用明火、封闭的炉子产生蒸汽,但直接使用明火的热辐射时会使得桑拿房烟雾腾腾,明火产生的热持续时间短,需要源源不断地消耗易燃材料。柴炉虽然可以较长时间保持热度,但是炉子本身也屏蔽了部分热量。
[0003]为了克服上述缺陷,人们研制了电发热器用于桑拿,广受人们青睐。这些电发热器包括电阻发热器、热辐射发热器等,例如红外发热板在红外线光谱内产生红外辐射,红外辐射激活桑拿人的体内分子产生热量。通过研究发现:蒸汽或者温暖的空气只是利用导热使皮肤及皮下组织发热,而红外辐射在没有使用传导介质的情况下能更深入地进入人体约2-4厘米,从而更为有效更为舒适地温暖人体,以达到出汗的温度。
[0004]众所周知,电流通过导体产生电磁场。通常电磁场被认为包括电场和相互作用的磁场。电场源于电荷,电场的强度通常以伏特/米来衡量。电磁辐射是由运动电荷的电流引起的,电磁辐射的密度单位通常是高斯,术语电磁辐射(EMR)有时也用来定义与电磁场辐射源的空间间隔。
[0005]上述热辐射发热系统通常采用交流电,如在美国用110伏60赫兹的交流电,在欧洲用230伏60赫兹的交流电,这样的发热系统除了所需要的用于发热的红外辐射外,还会产生一定量的低频率(例如50~60赫兹)的电磁辐射。据估计,在某些情况下,红外桑拿系统会产生的低频电磁辐射,磁场强度高达60毫高斯。相比较之下,在高压输电线路下方的区域内测到的低频率磁场强度为较高的1.9毫高斯,户外地区测到的低频率磁场强度为较低的0.3毫高斯。除了电磁辐射的磁性组成外,红外桑拿发热系统也会发出电磁场(EF)分量。
[0006]人们采用多种尝试以降低桑拿发热系统产生的低频电磁辐射,包括增加发散源的距离或减少暴露辐射的时间。此外,人们试图通过电磁干扰消除方案来降低低频率电磁辐射的量,比如人为产生多个能互相抵消的低频率电磁场。
【实用新型内容】
[0007]本申请人针对上述现有红外桑拿发热系统的低频辐射与电场较高的缺点,提供一种结构合理的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,从而可以有效地降低桑拿房的电场和电磁辐射。
[0008]本实用新型所采用的技术方案如下:
[0009]—种低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,包括:一块与导电绝缘的绝缘基板;一根电源导线;设置有至少一个与电源导线电耦合的红外发热元件的发热层,当电流通过时,配置的该红外发热元件发射红外线辐射热;至少一个屏蔽层,所述屏蔽层设置在发热层的前部,屏蔽层接地,用于屏蔽所述红外发热元件发出的电场与电磁辐射。
[0010]作为上述技术方案的进一步改进:
[0011]所述屏蔽层包括电耦合的印刷碳膜与接地框架,屏蔽层接地框架连通到电源导线的地线上接地。
[0012]屏蔽层接地框架采用铜箔或导电材料,制作成为水平与竖直正交的结构框架。
[0013]印刷碳膜在接地框架表面印刷一定阻值的导电材料,并与接地框架完全导通接触。
[0014]印刷碳膜为与接地框架成重叠相交的接触融合。
[0015]印刷碳膜的线宽约10_15mm,相邻间隔约150_200mm。
[0016]还包括至少一个与电源导线电耦合的抵消层,所述抵消层平行设置在所述红外发热元件背部。
[0017]抵消层的形状与排列与发热层相对应。
[0018]发热层与电源导线的正极连通,抵消层与电源导线的负极连通,屏蔽层与电源导线的地线连通。
[0019]本实用新型的有益效果如下:
[0020]本实用新型通过设置屏蔽层,有效地屏蔽红外发热元件发出的低频电场辐射,屏蔽层中正交的接地框架与地线相连通,形成一个阻值基本为零欧姆的接地;接地框架上表面印刷碳膜形成的平行线,既可以达到显著的电场全面高屏蔽效果,而且对于发热效果也没有影响。
[0021]本实用新型在发热层背部设置有抵消层,抵消层的形状与排列与发热层相对应,抵消层与电源导线的负极电连通,通过产生相反的低频率电磁场用以抵消发热层产生的电磁辐射。
[0022]通过上述屏蔽与抵消结构,本实用新型的桑拿房发热系统的电磁辐射与电场辐射可以显著得以降低,从而有效地保障使用者的人身安全。
【附图说明】
[0023]图1为本实用新型的桑拿发热系统的分解示意图。
[0024]图2为本实用新型的中剖剖视图。
[0025]图3为本实用新型的屏蔽层的主视图。
[0026]图中:1、面板层;2、印刷碳膜;3、接地框架;4、中间基板层;5、发热元件;6、发热层基板;7、抵消层;8、背板层。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图,说明本实用新型的【具体实施方式】。
[0028]桑拿房电发热系统一般采用阵列的数块红外发热板设计成能够在桑拿房内发出红外辐射。如图1、图2所示,本实用新型所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统包括面板层1、屏蔽层、中间基板层4、发热层、抵消层7、背板层8,其中面板层I通常是一个黑色的高热绝缘保护层,中间基板层4与背板层8也是高热绝缘的中部与底部的保护层,此处所称的高热绝缘材料是不易燃烧,且与电和热绝缘的材料,例如通常应用于印刷电路板中的FR-4强化玻璃环氧树脂。
[0029]发热层包括在发热层基板6上设置的发热元件5,红外发热元件5与电源导线的正极相连,电源是由电气控制系统控制,电气控制系统用来监控并保持房间温度,以防温度过冷或过热而超出人体忍受能力。在使用过程中,供给红外发热元件5的电源与发热元件5会产生电磁场(EF)与电磁辐射(EMR)。本实用新型在发热层背部设置有抵消层7,抵消层7的形状与排列与发热层相对应,抵消层7与电源导线的负极电连通,通过产生相反的低频率电磁场用以抵消发热层产生的电磁辐射。
[0030]在发热层与面板层I之间增加设置有屏蔽层,旨在形成一个有效的屏蔽平面,以覆盖屏蔽红外发热层和导电的电源导线产生的电场。屏蔽层包括电耦合的印刷碳膜2与接地框架3,接地框架3连通到电源导线的地线上接地,以创建有效的电场屏蔽。
[0031]如图3所示,接地框架3采用铜箔或类似的导电材料制作,制成水平与竖直正交的结构框架,通过与电源导线的地线相连通后成为一个阻值基本为零欧姆的接地,印刷碳膜2为在接地框架3表面印刷具有一定导电阻值的材料,并与接地框架3完全接触,形成极低的网屏蔽栅极电阻密度。本实用新型的印刷碳膜2的线宽约10-15mm,相邻间隔约150-200mm,这种排列密度既可以达到全面覆盖的屏蔽效果,而且对于发热效果也没有影响。该印刷碳膜2具有欧姆/平方厘米的特性,因此电阻率受到距离的影响。通过与接地框架3叠交印刷,使整个印刷屏蔽平面内各个点到相邻最接近的零欧姆接地框架3的距离减到最小,从而确保了显著的高屏蔽效果。
[0032]以上描述是对本实用新型的解释,不是对实用新型的限定,在不违背本实用新型精神的情况下,本实用新型可以作任何形式的修改。
【主权项】
1.一种低电场与低电磁福射的桑拿房发热系统,其特征在于包括: 一块电绝缘的绝缘基板; 一根电源导线; 设置有至少一个与电源导线电耦合的红外发热元件的发热层,当电流通过时,配置的该红外发热元件发射红外线辐射热; 至少一个屏蔽层,所述屏蔽层设置在发热层的前部,屏蔽层接地,用于屏蔽所述红外发热元件发出的电场与电磁辐射。2.按照权利要求1所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:所述屏蔽层包括电耦合的印刷碳膜与接地框架,屏蔽层接地框架连通到电源导线的地线上接地。3.按照权利要求2所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:屏蔽层接地框架采用铜箔或导电材料,制作成为水平与竖直正交的结构框架。4.按照权利要求2所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:印刷碳膜在接地框架表面印刷一定阻值的导电材料,并与接地框架完全导通接触。5.按照权利要求2所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:印刷碳膜为与接地框架成重叠相交的接触融合。6.按照权利要求5所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:印刷碳膜的线宽约10_15mm,相邻间隔约150-200mmo7.按照权利要求1所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:还包括至少一个与电源导线电耦合的抵消层,所述抵消层平行设置在所述红外发热元件背部。8.按照权利要求7所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:抵消层的形状与排列与发热层相对应。9.按照权利要求7所述的低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,其特征在于:发热层与电源导线的正极连通,抵消层与电源导线的负极连通,屏蔽层与电源导线的地线连通。
【专利摘要】本实用新型公开了一种低电场与低电磁辐射的桑拿房发热系统,包括一块与导电绝缘的绝缘基板,一根电源导线,设置有至少一个与电源导线电耦合的红外发热元件的发热层,当电流通过时,配置的该红外发热元件发射红外线辐射热;至少一个屏蔽层,所述屏蔽层设置在发热层的前部,屏蔽层接地,用于屏蔽所述红外发热元件发出的电场与电磁辐射。本实用新型在发热层背部设置有抵消层,抵消层的形状与排列与发热层相对应,抵消层与电源导线的负极电连通,通过产生相反的低频率电磁场用以抵消发热层产生的电磁辐射。通过上述屏蔽与抵消结构,本实用新型的桑拿房发热系统的电磁辐射与电场辐射可以显著得以降低,从而有效地保障使用者的人身安全。
【IPC分类】H05B3/22, H05B3/02
【公开号】CN204859585
【申请号】CN201520589600
【发明人】高晖昭, 史蒂夫班帝
【申请人】高晖昭
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月4日
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