毫米波下变频模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种毫米波下变频模块。
【背景技术】
[0002]考虑到杂散等因素，毫米波下变频模块一般采用是固定输出中频的方式，这样带来的弊端就是频率源部分实现非常复杂，前置预选滤波器和混频后的选频滤波器很复杂，这样在体积和功耗方面就大打折扣，往往都是很大的体积和非常大的功耗，这在小体积的接收机的应用方面很受限制。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种毫米波下变频模块，解决了传统毫米波下变频模块中，在频率源部分实现非常复杂，前置预选滤波器和混频后的选频滤波器复杂，且体积大、功耗高等技术问题。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:毫米波下变频模块，它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。
[0005]所述低噪声放大单元包括依次连接的低噪声放大器B和低噪声放大器C。
[0006]所述低频信道包括依次连接的低通滤波器A、混频器A、低通滤波器E、低噪声放大器E和低通滤波器D。
[0007]所述高频信道包括依次连接的高通滤波器B、混频器B、低通滤波器B、低噪声放大器D和低通滤波器C。
[0008]所述高通滤波器A包括JDWHF180400H2200芯片，低噪声放大器A包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器B包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器C包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器F包括HMC462芯片，射频开关A、射频开关B、射频开关C和射频开关D包括AMMC-2008芯片，低通滤波器F包括LPF-1900芯片。
[0009]所述低通滤波器A包括LPF-2600芯片，混频器A包括HMC773芯片，低通滤波器E包括LPF-1900芯片，低噪声放大器E包括HMC462芯片，低通滤波器D包括LPF-1900芯片。
[0010]所述高通滤波器B包括JDWHF250400H1500芯片，混频器B包括HMC560芯片，低通滤波器B包括LPF-1100芯片，低噪声放大器D包括HMC462芯片，低通滤波器C包括LPF-1100 芯片。
[0011]本实用新型的有益效果是:本实用新型采用高选择性高通滤波器，且有两种工作模式可选，再加上采用分段一次变频的方式，频率源为两个可切换的点频源，解决了传统的毫米波变频模块体积大、功耗大的问题。本实用新型具有体积小、功耗小、镜频抑制高、中频抑制高等优点。解决了传统的毫米波下变频模块体积大、功耗大，从而影响在小体积的接收机的应用方面的难题。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型毫米波下变频模块的结构框图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0014]如图1所示，毫米波下变频模块，它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器
A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。
[0015]所述低噪声放大单元包括依次连接的低噪声放大器B和低噪声放大器C。
[0016]所述低频信道包括依次连接的低通滤波器A、混频器A、低通滤波器E、低噪声放大器E和低通滤波器D。
[0017]所述高频信道包括依次连接的高通滤波器B、混频器B、低通滤波器B、低噪声放大器D和低通滤波器C。
[0018]所述高通滤波器A包括JDWHF180400H2200芯片，低噪声放大器A包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器B包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器C包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器F包括HMC462芯片，射频开关A、射频开关B、射频开关C和射频开关D包括AMMC-2008芯片，低通滤波器F包括LPF-1900芯片。
[0019]所述低通滤波器A包括LPF-2600芯片，混频器A包括HMC773芯片，低通滤波器E包括LPF-1900芯片，低噪声放大器E包括HMC462芯片，低通滤波器D包括LPF-1900芯片。
[0020]所述高通滤波器B包括JDWHF250400H1500芯片，混频器B包括HMC560芯片，低通滤波器B包括LPF-1100芯片，低噪声放大器D包括HMC462芯片，低通滤波器C包括LPF-1100 芯片。
[0021]本实用新型的毫米波下变频模块，输入18?40GHz的信号经高通滤波器A(JDWHF180400H2200)的输出端连接低噪声放大器A (HMC-ALH445)的输入端，射频开关A (AMMC-2008)的第一输出端顺次串接低噪声放大器B (HMC-ALH445)、低噪声放大器C(HMC-ALH445 )、射频开关 B (AMMC-2008 )、射频开关 C (AMMC-2008 )。
[0022]其中，18?25GHz的低频信号经射频开关C(AMMC_2008)的第一输出端顺次串接低通滤波器A(LPF-2600)、混频器A(HMC773)，混频器A(HMC773)的IF端口产生的3?1GHz信号经低通滤波器E (LPF-1900)、低噪声放大器E (HMC462)、低通滤波器D (LPF-1900)、射频开关D (AMMC-2008)、低噪声放大器F (HMC462)，最后信号经低通滤波器F (LPF-1900)的输出端口输出。
[0023]其中，25?40GHz的高频信号经射频开关C的第二输出端顺次串接低通滤波器B(LPF-1100)、混频器B (HMC560)，混频器B (HMC560)的IF端口产生的3?18GHz信号经低通滤波器B (LPF-1100)、低噪声放大器D (HMC462)、低通滤波器C (LPF-1100)、射频开关D(AMMC-2008)、低噪声放大器F (HMC462)，最后信号经低通滤波器F (LPF-1900)的输出端口输出3?18GHz的信号。
[0024]混频器A的频率源可为15GHz、+13dBm，混频器B的频率源可为22GHz、+13dBm。
[0025]本实用新型采用高选择性高通滤波器，且有两种工作模式可选，再加上采用分段一次变频的方式，频率源为两个可切换的点频源，解决了传统的毫米波变频模块体积大、功耗大的问题。本实用新型具有体积小、功耗小、镜频抑制高、中频抑制高等优点。解决了传统的毫米波下变频模块体积大、功耗大，从而影响在小体积的接收机的应用方面的难题。
【主权项】
1.毫米波下变频模块，其特征在于:它包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。2.根据权利要求1所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述低噪声放大单元包括依次连接的低噪声放大器B和低噪声放大器C。3.根据权利要求1所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述低频信道包括依次连接的低通滤波器A、混频器A、低通滤波器E、低噪声放大器E和低通滤波器D。4.根据权利要求3所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述高频信道包括依次连接的高通滤波器B、混频器B、低通滤波器B、低噪声放大器D和低通滤波器C。5.根据权利要求1所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述高通滤波器A包括JDWHF180400H2200芯片，低噪声放大器A包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器B包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器C包括HMC-ALH445芯片，低噪声放大器F包括HMC462芯片，射频开关A、射频开关B、射频开关C和射频开关D包括AMMC-2008芯片，低通滤波器F包括LPF-1900芯片。6.根据权利要求3所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述低通滤波器A包括LPF-2600芯片，混频器A包括HMC773芯片，低通滤波器E包括LPF-1900芯片，低噪声放大器E包括HMC462芯片，低通滤波器D包括LPF-1900芯片。7.根据权利要求4所述的毫米波下变频模块，其特征在于:所述高通滤波器B包括JDWHF250400H1500芯片，混频器B包括HMC560芯片，低通滤波器B包括LPF-1lOO芯片，低噪声放大器D包括HMC462芯片，低通滤波器C包括LPF-1100芯片。
【专利摘要】本实用新型公开了一种毫米波下变频模块，包括依次连接的高通滤波器A、低噪声放大器A、射频开关A、低噪声放大单元、射频开关B、射频开关C、低频信道、射频开关C、低噪声放大器F和低通滤波器F，射频开关A的另一输出端还与射频开关B的另一输入端连接，射频开关C还通过高频信道与射频开关C的另一输入端连接。本实用新型采用高选择性高通滤波器，且有两种工作模式可选，再加上采用分段一次变频的方式，解决了传统的毫米波变频模块体积大、功耗大的问题。本实用新型具有体积小、功耗小、镜频抑制高、中频抑制高等优点。解决了传统的毫米波下变频模块体积大、功耗大，从而影响在小体积的接收机的应用方面的难题。
【IPC分类】H03D7/16
【公开号】CN204886877
【申请号】CN201520562807
【发明人】蒋德龙, 赵天新, 王文军
【申请人】成都九洲迪飞科技有限责任公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月30日