低功耗超宽带低噪声放大器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及射频集成电路技术领域，特别是指一种低功耗超宽带低噪声放大器。
【背景技术】
[0002]随着射频通信技术的发展，人们对高速射频通信质量的要求越来越高，作为射频前端接收机的第一级，传统的低噪声放大器显然满足不了人们对于数据传输的多种要求。由于超宽带射频通信系统是更高质量、更安全以及更快速度的短距离无线通信技术，所以超宽带低噪声放大器可以更好的满足人们的需求。
[0003]由于承载射频信息功能的接收机需要持续处于等待状态或者信息收发的状态，低噪声放大器又是整个接收机中功耗较大的模块，所以它的功耗问题一直是人们研究的焦点，因此设计并实现低功耗的低噪声放大器是解决射频接收机续航能力的核心问题。
[0004]然而，现有的低噪声放大器存在功耗高，频带窄的问题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型要解决的技术问题是提供一种低功耗超宽带低噪声放大器，该放大器可以工作在3-SGHz频段，得以解决了传统低噪声放大器功耗高、带宽窄的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供一种低功耗超宽带低噪声放大器，包括:
[0007]输入级电路，该输入级电路的输入端接收信号输入端输入的输入信号；
[0008]两级共射阻容耦合放大级电路，该两级共射阻容耦合放大级电路的输入端连接所述输入级电路的输出端，对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；
[0009]输出缓冲级电路，该输出缓冲级电路的输入端与所述两级共射阻容耦合放大级电路的输出端连接，输出所述放大后的信号至信号输出端。
[0010]其中，所述输入级电器包括:第一异质结双极型晶体管以及第二异质结双极型晶体管；其中，
[0011]所述第一异质结双极型晶体管的基极分别与第三电阻的第二端、第五电感的第二端以及第五电容的第一端连接；
[0012]所述第一异质结双极型晶体管的发射极分别与第五电容的第二端和第七电感的第一端连接；
[0013]所述第一异质结双极型晶体管的集电极与第二异质结双极型晶体管的发射极连接;
[0014]所述第二异质结双极型晶体管的集电极分别与第三电感的第二端和第四电容的第一端，且所述第三电感的第一端与第一电阻的第二端连接。
[0015]其中，所述两级共射阻容耦合放大级电路包括:第三异质结双极型晶体管以及第四异质结双极型晶体管；其中，
[0016]所述第三异质结双极型晶体管的基极与第四电容的第二端连接；
[0017]所述第三异质结双极型晶体管的集电极分别与第三电容的第二端和第四电感的第二端连接；
[0018]所述第三异质结双极型晶体管的发射极与第六电感的第一端连接；
[0019]所述第四异质结双极型晶体管的基极分别与第三电容的第一端和第二电阻的第二端连接，所述第二电阻的第一端与所述第二电感的第一端连接；
[0020]所述第四异质结双极型晶体管的集电极分别与第二电感的第二端和第一电感的第二端及第二电容的第一端连接；
[0021]所述第四异质结双极型晶体管的发射极分别与第一电容的第一端和第四电感的第一端连接。
[0022]其中，所述输出缓冲级电路包括:第五异质结双极型晶体管；其中，
[0023]所述第五异质结双极型晶体管的基极分别与第二电容的第二端和第四电阻的第二端连接；
[0024]所述第五异质结双极型晶体管的集电极分别与第六电感的第二端和第六电容的第一端连接；
[0025]所述第五异质结双极型晶体管的发射极与第五电阻的第一端连接。
[0026]其中，所述第二异质结双极型晶体管的基极和第一电阻的第一端均与第一电压源连接；
[0027]所述第一电感的第一端连接第二电压源；
[0028]所述第三电阻的第一端连接第三电压源；
[0029]所述第四电阻的第一端连接第四电压源；
[0030]所述第七电感的第二端、第一电容的第二端、第六电容的第二端及第五电阻的第二端均与接地端连接；
[0031]所述信号输入端连接第五电感的第一端；
[0032]所述第五异质结双极型晶体管的发射极和第五电阻的第一端均与信号输出端连接。
[0033]其中，所述第一异质结双极型晶体管、第二异质结双极型晶体管、第三异质结双极型晶体管、第四异质结双极型晶体管以及第五异质结双极型晶体管均为硅锗异质结双极型晶体管。
[0034]其中，所述第二电压源提供直流偏置电压，第二电压源的电压等于2.84V。
[0035]本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:
[0036]本实用新型电路结构通过采用Cascode结构作为输入级电路，在提高系增益的同时，实现了输入阻抗匹配和噪声匹配；两级共射阻容耦合放大级对信号进行了二次放大，其中第四异质结双极型晶体管(Q4)的负载采用并联峰化电感LI及L2和R2的并联反馈，增加了电路系统的增益平坦度，并拓展了系统的带宽；输出缓冲级电路实现了系统的输出阻抗匹配。两级共射阻容耦合放大级和输出缓冲级采用电流复用技术级联，工作在一个直流通路上，大大降低了系统的功耗。
【附图说明】
[0037]图1为本实用新型的3-SGHz低功耗超带宽低噪声放大器的结构框图；
[0038]图2为本实用新型所述的3-SGHz低功耗超带宽低噪声放大器的电路图；
[0039]图3为本实用新型所述的3-SGHz低功耗超带宽低噪声放大器的输入匹配、输出匹配的仿真结果；
[0040]图4为本实用新型所述的3-SGHz低功耗超带宽低噪声放大器增益的仿真结果；
[0041]图5为本实用新型所述的3-SGHz低功耗超带宽低噪声放大器噪声系数的仿真结果O
【具体实施方式】
[0042]为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0043]如图1所示，一种低功耗超宽带低噪声放大器，可以工作在3-8GHZ频带内，包括:
[0044]输入级电路，该输入级电路的输入端连接信号输入端RFin，接收信号输入端RF1Jii入的输入信号；
[0045]两级共射阻容耦合放大级电路，该两级共射阻容耦合放大级电路的输入端连接所述输入级电路的输出端，对所述输入信号进行放大，并输出放大后的信号；
[0046]输出缓冲级电路，该输出缓冲级电路的输入端与所述两级共射阻容耦合放大级电路的输出端连接，输出所述放大后的信号至信号输出端RF-。
[0047]本实用新型的实施例中，所述的放大器由Cascode输入级、两级共射阻容耦合放大级和输出缓冲级构成。采用电流复用技术把两级共射阻容耦合放大级和输出缓冲级连接起来，大大降低了本低噪声放大器的功耗。其中两级共射阻容耦合放大级的负载采用并联峰化电感LI及L2和R2的并联反馈，增加了电路系统的增益平坦度，并拓展了系统的带宽。
[0048]如图2所示，所述输入级电器包括:第一异质结双极型晶体管Ql以及第二异质结双极型晶体管Q2 ;其中，所述第一异质结双极型晶体管Ql的基极分别与第三电阻R3的第二端、第五电感L5的第二端以及第五电容C5的第一端连接；
[0049]所述第一异质结双极型晶体管Ql的发射极分别与第五电容C5的第二端和第七电感L7的第一端连接；
[0050]所述第一异质结双极型晶体管Ql的集电极与第二异质结双极型晶体管Q2的发射极连接；
[0051]所述第二异质结双极型晶体管Q2的集电极分别与第三电感L3的第二端和第四电容C4的第一端，且所述第三电感L3的第一端与第一电阻Rl的第二端连接。
[0052]本实用新型的实施例中，第一异质结双极型晶体管Ql和第二异质结双极型晶体管Q2构成的Cascode结构作为输入级电路，在提高系增益的同时，实现了输入阻抗匹配和噪声匹配，偏置电压分别由V3和Vl提供，使其工作在在饱和状态，提高了电路的增益，L5、R3、C5以及L7组成输入匹配网络，实现了系统的输入阻抗匹配和噪声匹配。其中Vl =1.54V，V3 = 0.97V，Rl = 2 Ω，R3 = 245 Ω，L3 = 7.26nH，L5 = 0.9nH，L7 = 0.4nH，C5 =0.18pF0
[0053]如图2所示，所述两级共射阻容耦合放大级电路包括:第三异质结双极型晶体管Q3以及第四异质结双极型晶体管Q4;其中，所述第三异质结双极型晶体管Q3的基极与第四电容C4的第二端连接；
[0054]所述第三异质结双极型晶体管Q3的集电极分别与第三电容C3的第二端和第四电感L4的第二端连接；
[0055]所述第三异质结双极型晶体管Q3的发射极与第六电感L6的第一端连接；
[0056]所述第四异质结双极型晶体管Q4的基极分别与第三电容C3的第一端和第二电阻R2的第二端连接，所述第二电阻R2的第一端与所述第二电感L2的第一端连接；
[0057]所述第四异质结双极型晶体管Q4的集电极分别与第二电感L2的第二端和第一电感LI