双向可控硅过零触发电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及交流电路双向可控硅触发技术领域，尤其是一种双向可控硅过零触发电路。
【背景技术】
[0002]双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:基于上述问题，提供一种双向可控硅过零触发电路。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种双向可控硅过零触发电路，包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器、双向可控硅BCR和RC阻容吸收电路，所述三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管T1的发射极连接直流电平，三极管T1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器的输入端，且三极管T1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电耦合双向可控硅驱动器的第一输出端连接双向可控硅BCR，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路，双向可控硅BCR的门极连接有门极电阻R4。
[0005]进一步地，所述RC阻容吸收电路由电容C1和电阻R5串联组成。
[0006]本实用新型的有益效果是:本实用新型工作稳定、安全、可靠性高，适用于单片机控制系统的交流负载控制电路，可以控制电炉、交流电机等大功率交流设备。
【附图说明】
[0007]下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
[0008]图1是本实用新型的结构示意图。
[0009]图中:1.光电耦合双向可控硅驱动器，2.双向可控硅BCR，3.RC阻容吸收电路。
【具体实施方式】
[0010]现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
[0011]如图1所示，一种双向可控硅过零触发电路，包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器1、双向可控硅BCR2和RC阻容吸收电路3，三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管ΤΙ的发射极连接直流电平，三极管Τ1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器1的输入端，且三极管Τ1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电親合双向可控娃驱动器1的第一输出端连接双向可控娃BCR2，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR2的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路3，双向可控硅BCR3的门极连接有门极电阻R4。RC阻容吸收电路3由电容C1和电阻R5串联组成。
[0012]光电親合双向可控娃驱动器1，也属于光电親合器的一种，用来驱动双向可控娃BCR2并且起到隔离的作用，BCR门极电阻R4，防止误触发，提高抗干扰能力。
[0013]当输出负脉冲信号时，三极管Τ1导通，光电親合双向可控娃驱动器1导通，触发双向可控硅BCR2导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势作用，使得双向可控硅BCR2承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅BCR2反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅BCR2能承受这种反向电压。一般在双向可控硅BCR2两主电极间并联一个RC阻容吸收电路3，实现双向可控硅BCR2过电压保护，电容C1和电阻R5组成RC阻容吸收电路3。
[0014]以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【主权项】
1.一种双向可控硅过零触发电路，其特征在于:包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器(1)、双向可控硅BCR(2)和RC阻容吸收电路(3)，所述三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管T1的发射极连接直流电平，三极管T1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器(1)的输入端，且三极管T1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电耦合双向可控硅驱动器(1)的第一输出端连接双向可控硅BCR(2)，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR(2)的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路(3)，双向可控硅BCR(2)的门极连接有门极电阻R4。2.根据权利要求1所述的双向可控硅过零触发电路，其特征在于:所述RC阻容吸收电路⑶由电容C1和电阻R5串联组成。
【专利摘要】本实用新型涉及一种双向可控硅过零触发电路，包括三极管T1、光电耦合双向可控硅驱动器、双向可控硅BCR和RC阻容吸收电路，所述三极管T1的基极接入脉冲信号，且三极管T1的基极上连接有基极偏置电阻R1，三极管T1的发射极连接直流电平，三极管T1的集电极连接光电耦合双向可控硅驱动器的输入端，且三极管T1的集电极上连接有集电极供电电阻R2，光电耦合双向可控硅驱动器的第一输出端连接双向可控硅BCR，其第二输出端连接触发限流电阻R3，双向可控硅BCR的两个主电极之间并联RC阻容吸收电路，双向可控硅BCR的门极连接有门极电阻R4。本实用新型工作稳定、安全、可靠性高，适用于单片机控制系统的交流负载控制电路，可以控制电炉、交流电机等大功率交流设备。
【IPC分类】H03K17/72, H03K17/78
【公开号】CN204967783
【申请号】CN201520744505
【发明人】沈富德
【申请人】江苏矽莱克电子科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年9月23日