一种采用移相逆变的x光机灯丝电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高频高压发生器，特别是指一种采用移相逆变的X光机灯丝电路。
【背景技术】
[0002]随着高频X线机的发展，灯丝单元电路至关重要，灯丝电路的合理性直接关系到X光线的质量，X光管芯的寿命，以及X线机整机的可靠性和稳定性。
[0003]在传统的灯丝单元设计中，国内外(如南宁一举医疗，CPI医疗)普遍采用硬开关技术，硬开关技术，开关损耗大，转换效率低，逆变M0SFET发热量大，M0SFET须大面积散热。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提出一种采用移相逆变的X光机灯丝电路，解决了现有技术中开关损耗大、转换效率低、发热量大，须大面积散热的问题。
[0005]本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0006]—种采用移相逆变的X光机灯丝电路，其特征在于:包括PI调节子电路、移相型PWM控制器、M0FET逆变子电路和灯丝变压器。
[0007]PI调节子电路包括参数设定端、参数反馈端和型号为LF353的运算放大器，参数设定端通过第三十三电阻与运算放大器的负输入端连接，参数反馈端通过第四十二电阻与运算放大器的负输入端连接，运算放大器的负输入端与输出端之间连接有第三十七电阻，第三十七电阻的两端连接有相串联的第三十二电阻和第二十六电容，运算放大器的输出端与PWM控制器的输入端连接。
[0008]M0FET逆变子电路包括脉冲变压器、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管，脉冲变压器具有四个次级绕组，第一、第二、第三、第四场效应管均为型号为IRF540N的金氧半场效晶体管，第四场效应管的漏极与第一场效应管的漏极连接，第四场效应管的源极与第三场效应管的漏极连接，第三场效应管的源极与第二场效应管的源极连接，第二场效应管的漏极与第一场效应管的源极连接。
[0009]第四场效应管的栅极连接第四电阻后与源极对应脉冲变压器的第一个次级绕组连接，第四场效应管的栅极与源极间连接有第十二电阻；第一场效应管的栅极连接第五电阻后与源极对应脉冲变压器的第二个次级绕组连接，第一场效应管的栅极与源极间连接有第十三电阻；第三场效应管的栅极连接第二十电阻后与源极对应脉冲变压器的第三个次级绕组连接，第三场效应管的栅极与源极间连接有第二十八电阻；第二场效应管的栅极连接第二十一电阻后与源极对应脉冲变压器的第四个次级绕组连接，第二场效应管的栅极与源极间连接有第二十九电阻。
[0010]灯丝变压器初级线圈的两端与第四场效应管的源极、第一场效应管的源极对应连接，灯丝变压器次级线圈的两端加载到X光机的灯丝上。
[0011]本灯丝电路采用移相逆变软开关技术，可大大减小开关损耗，提高转换效率，减小MOSFET发热量，提高灯丝单元电路的可靠性，稳定性，降低灯丝单元部分的成本。
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为本实用新型的一部分电路原理图；
[0014]图2为本实用新型包含图1以外的另一部分电路原理图。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0016]—种采用移相逆变的X光机灯丝电路，结合图1、图2所示，其包括PI调节子电路、移相型PWM控制器Pl、M0FET逆变子电路和灯丝变压器B1。
[0017]其中，PI调节子电路包括参数设定端SETMA、参数反馈端FBMA和型号为LF353的运算放大器U3B，参数设定端SETMA通过第三十三电阻R33与运算放大器U3B的负输入端连接，参数反馈端FBMA通过第四十二电阻R42与运算放大器U3B的负输入端连接，运算放大器U3B的负输入端与输出端之间连接有第三十七电阻R37，第三十七电阻R37的两端连接有相串联的第三十二电阻R32和第二十六电容C26，运算放大器U3B的输出端与PWM控制器P1的输入端连接。
[0018]其中，M0FET逆变子电路包括脉冲变压器Ml、第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3和第四场效应管Q4，脉冲变压器Ml具有四个次级绕组，第一、第二、第三、第四场效应管Q1、Q2、Q3、Q4均为型号为IRF540N的金氧半场效晶体管，第四场效应管Q4的漏极与第一场效应管Q1的漏极连接，第四场效应管Q4的源极与第三场效应管Q3的漏极连接，第三场效应管Q3的源极与第二场效应管Q2的源极连接，第二场效应管Q2的漏极与第一场效应管Q1的源极连接。
[0019]第四场效应管Q4的栅极连接第四电阻R4后与源极对应脉冲变压器Ml的第一个次级绕组连接，第四场效应管Q4的栅极与源极间连接有第十二电阻R12 ;第一场效应管Q1的栅极连接第五电阻R5后与源极对应脉冲变压器Ml的第二个次级绕组连接，第一场效应管Q1的栅极与源极间连接有第十三电阻R13 ;第三场效应管Q3的栅极连接第二十电阻R20后与源极对应脉冲变压器Ml的第三个次级绕组连接，第三场效应管Q3的栅极与源极间连接有第二十八电阻R28 ;第二场效应管Q2的栅极连接第二i^一电阻R21后与源极对应脉冲变压器Ml的第四个次级绕组连接，第二场效应管Q2的栅极与源极间连接有第二十九电阻R29。
[0020]其中，灯丝变压器B1初级线圈的两端与第四场效应管Q4的源极、第一场效应管Q1的源极对应连接，灯丝变压器B1次级线圈的两端加载到X光机的灯丝上。[0021 ] 本灯丝电路的参数设定端SETMA和参数反馈端FBMA与X线机的中央处理器CPU连接，根据中央处理器CPU传输的控制信号，经过PI调节子电路，使PWM控制器P1工作，PWM控制器P1的PWM波控制M0SFET逆变子电路，产生高频方波电压，经灯丝变压器B1耦合，加载到X线机的灯丝，使灯丝加热增温。
[0022]与国内外(如南宁一举医疗，CPI医疗)的技术相比，由于采用移相逆变软开关技术，可大大减小开关损耗，提尚转换效率，减小M0SFET发热量，提尚灯丝电路的可靠性，稳定性，降低灯丝部分的成本。
[0023]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种采用移相逆变的X光机灯丝电路，其特征在于:包括PI调节子电路、移相型PWM控制器(P1)、M0FET逆变子电路和灯丝变压器(B1)； PI调节子电路包括参数设定端(SETMA)、参数反馈端(FBMA)和型号为LF353的运算放大器(U3B)，参数设定端(SETMA)通过第三十三电阻(R33)与运算放大器(U3B)的负输入端连接，参数反馈端(FBMA)通过第四十二电阻(R42)与运算放大器(U3B)的负输入端连接，运算放大器(U3B)的负输入端与输出端之间连接有第三十七电阻(R37)，第三十七电阻(R37)的两端连接有相串联的第三十二电阻(R32)和第二十六电容(C26)，运算放大器(U3B)的输出端与PWM控制器(P1)的输入端连接； MOFET逆变子电路包括脉冲变压器(Ml)、第一场效应管(Q1)、第二场效应管(Q2)、第三场效应管(Q3)和第四场效应管(Q4)，脉冲变压器(Ml)具有四个次级绕组，第一、第二、第三、第四场效应管(Ql、Q2、Q3、Q4)均为型号为IRF540N的金氧半场效晶体管，第四场效应管(Q4)的漏极与第一场效应管(Q1)的漏极连接，第四场效应管(Q4)的源极与第三场效应管(Q3)的漏极连接，第三场效应管(Q3)的源极与第二场效应管(Q2)的源极连接，第二场效应管(Q2)的漏极与第一场效应管(Q1)的源极连接； 第四场效应管(Q4)的栅极连接第四电阻(R4)后与源极对应脉冲变压器(Ml)的第一个次级绕组连接，第四场效应管(Q4)的栅极与源极间连接有第十二电阻(R12);第一场效应管(Q1)的栅极连接第五电阻(R5)后与源极对应脉冲变压器(Ml)的第二个次级绕组连接，第一场效应管(Q1)的栅极与源极间连接有第十三电阻(R13);第三场效应管(Q3)的栅极连接第二十电阻(R20)后与源极对应脉冲变压器(Ml)的第三个次级绕组连接，第三场效应管(Q3)的栅极与源极间连接有第二十八电阻(R28);第二场效应管(Q2)的栅极连接第二十一电阻(R21)后与源极对应脉冲变压器(Ml)的第四个次级绕组连接，第二场效应管(Q2)的栅极与源极间连接有第二十九电阻(R29); 灯丝变压器(B1)初级线圈的两端与第四场效应管(Q4)的源极、第一场效应管(Q1)的源极对应连接，灯丝变压器(B1)次级线圈的两端加载到X光机的灯丝上。
【专利摘要】本实用新型涉及一种采用移相逆变的X光机灯丝电路，其包括PI调节子电路、移相型PWM控制器、MOFET逆变子电路和灯丝变压器。本灯丝电路采用移相逆变软开关技术，可大大减小开关损耗，提高转换效率，减小MOSFET发热量，提高灯丝单元电路的可靠性，稳定性，降低灯丝单元部分的成本。本方案解决了现有技术中开关损耗大、转换效率低、发热量大，须大面积散热的问题。
【IPC分类】H05G1/08, H02M7/537
【公开号】CN205017674
【申请号】CN201520817490
【发明人】甘立劲, 周奇, 胡长胜, 杨跃川, 廖兴恩
【申请人】重庆华伦弘力实业有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年10月21日