一种高频板的叠层封边结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种PCB板的叠层封边结构，尤其是涉及一种高频板的叠层封边结构。
【背景技术】
[0002]传统的高频板材一般采用C0RE+C0RE的夹板结构，CORE指的是芯板高频层压板之间的半固化片流动性较差，层压生产过程中采用高频板专用压程(高频板专用压程比普通压程的压力大10 %以上)，并使用层压垫或PE膜进行覆形(覆形材料压在芯板上面起到均压作用)，以提高PP胶体的填充性，避免PP胶体填胶不良引起的分层起泡及相关的孔铜渗镀问题。然而上述方法存在如下缺陷:一、上述操作使得高频板材层压步骤后，高频板面凹凸不平；二、若对高频板进行树脂塞孔流程，在高频板进行陶瓷磨板时，高频板面的树脂难以打磨干净，且非常容易导致基材裸露。
【发明内容】
[0003]基于此，本实用新型在于克服现有技术的缺陷，提供一种高频板的叠层封边结构，它能提高层压板间的PP胶体的流动性，使得层压板之间的PP胶体填充性更好，高频板的板面更加平整。
[0004]其技术方案如下:
[0005]—种高频板的叠层封边结构，包括:第一芯板，所述第一芯板包括位于所述第一芯板中部的第一线路图形区与环绕在所述第一线路图形区外围的第一板边区，所述第一线路图形区布置有线路图形，所述第一板边区上布置有若干第一阻流片；及第二芯板，所述第二芯板包括位于所述第二芯板中部的第二线路图形区与环绕在所述第二线路图形区外围的第二板边区，所述第二线路图形区布置有线路图形，所述第二板边区上布置有若干第二阻流片；相邻所述第一阻流片之间的间隙能够容纳所述第二阻流片，相邻所述第二阻流片之间的间隙能够容纳所述第一阻流片；所述第一芯板与所述第二芯板层压形成层压板后，所述第一阻流片位于相邻所述第二阻流片之间，所述第二阻流片位于相邻所述第一阻流片之间。
[0006]在其中一个实施例中，所述第一阻流片与所述第二阻流片均为圆形的铜片。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一阻流片与所述第二阻流片均为多边形的铜片。
[0008]在其中一个实施例中，若干个所述第一阻流片均匀布置在所述第一板边区，若干个所述第二阻流片均匀布置在所述第二板边区。
[0009]在其中一个实施例中，所述第一阻流片与所述第二阻流片均与所述线路图形处的铜层厚度保持一致。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一阻流片与所述第二阻流片的内径均为10?50milo
[0011]下面结合上述技术方案对本实用新型的原理、效果进一步说明:
[0012]上述的高频板的叠层封边结构，在第一芯板上设置有若干第一阻流片，在第二芯板上设置若干第二阻流片，并使第一阻流片与第二阻流片交错布置。如此，第一芯板与第二芯板进行层压操作后，使得第一阻流片装入到相邻第二阻流片之间，第二阻流片装入到相邻第一阻流片之间，同时半固化片胶体便于在第一芯板与第二芯板之间流动，半固化片填充性较好，如此能消除板边和图形单元内的压差，有利于排走层压板中的空气，第一芯板与第二芯板粘接牢固，能避免填胶不良引起的分层起泡及相关的孔铜渗镀现象，提高层压良率，大大节约了成本。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型实施例一所述第一芯板的示意图；
[0014]图2为本实用新型实施例一所述第二芯板的示意图；
[0015]图3为本实用新型实施例一所述层压板的示意图；
[0016]图4为本实用新型实施例二所述第一芯板的示意图；
[0017]图5为本实用新型实施例二所述第二芯板的示意图；
[0018]图6为本实用新型实施例二所述层压板的示意图；
[0019]附图标记说明:
[0020]10、层压板，11、第一芯板，111、第一板边区，112、第一线路图形区，12、第二芯板，121、第二板边区，122、第二线路图形区，13、第一阻流片，14、第二阻流片。
【具体实施方式】
[0021]下面对本实用新型的实施例进行详细说明:
[0022]图1-3示意出了实施例一的高频板的叠层封边结构，图4-6则示意出了实施例二的高频板的叠层封边结构。本实用新型所述的高频板的叠层封边结构，包括第一芯板11及第二芯板12。请参阅图1或4，所述第一芯板11包括位于所述第一芯板11中部的第一线路图形区112与环绕在所述第一线路图形区112外围的第一板边区111。所述第一线路图形区112布置有线路图形，所述第一板边区111上布置有若干第一阻流片13。请参阅图2或5，所述第二芯板12包括位于所述第二芯板12中部的第二线路图形区122与环绕在所述第二线路图形区122外围的第二板边区121。所述第二线路图形区122布置有线路图形。所述第二板边区121上布置有若干第二阻流片14。请参阅图3或6，相邻所述第一阻流片13之间的间隙能够容纳所述第二阻流片14，相邻所述第二阻流片14之间的间隙能够容纳所述第一阻流片13。所述第一芯板11与所述第二芯板12层压形成层压板10后，所述第一阻流片13位于相邻所述第二阻流片14之间，所述第二阻流片14位于相邻所述第一阻流片13之间。
[0023]上述的高频板的叠层封边结构，在第一芯板11上设置若干第一阻流片13，在第二芯板12上设置若干第二阻流片14，并使第一阻流片13与第二阻流片14交错布置。如此，第一芯板11与第二芯板12进行层压操作后，使得第一阻流片13装入到相邻第二阻流片14之间，第二阻流片14装入到相邻第一阻流片13之间，同时半固化片胶体便于在第一芯板11与第二芯板12之间流动，半固化片填充性较好，如此能消除板边和线路图形单元内的压差，有利于排走层压板10中的空气，第一芯板11与第二芯板12粘接牢固，能避免填胶不良引起的分层起泡及相关的孔铜渗镀现象，提高层压良率，大大节约了成本。
[0024]如图1-3中任一所示，所述第一阻流片13与所述第二阻流片14均为圆形的铜片。在另一个实施例中，如图4-6中任一所示，所述第一阻流片13与所述第二阻流片14均为正五边形的铜片。如此，将第一阻流片13与第二阻流片14设置为圆形或正多边形状，能便于半固化片在相邻第一阻流片13或相邻第二阻流片14之间流动，半固化片在层压板10中的填充效果好。
[0025]若干个所述第一阻流片13均匀布置在所述第一板边区111，若干个所述第二阻流片14均匀布置在所述第二板边区121。如此，半固化片在第一芯板11与第二芯板12之间的填充更加均匀，填充效果好。所述第一阻流片13与所述第二阻流片14均与所述线路图形处的铜层厚度保持一致。如此，能便于将层压板10之间的空气排出，避免层压板10之间混有空气，并能避免填胶不良引起的分层起泡及相关的孔铜渗镀现象，提高层压良率。所述第一阻流片13与所述第二阻流片14的内径均为10?50mil。
[0026]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0027]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种高频板的叠层封边结构，其特征在于，包括: 第一芯板，所述第一芯板包括位于所述第一芯板中部的第一线路图形区与环绕在所述第一线路图形区外围的第一板边区，所述第一线路图形区布置有线路图形，所述第一板边区上布置有若干第一阻流片；及 第二芯板，所述第二芯板包括位于所述第二芯板中部的第二线路图形区与环绕在所述第二线路图形区外围的第二板边区，所述第二线路图形区布置有线路图形，所述第二板边区上布置有若干第二阻流片；相邻所述第一阻流片之间的间隙能够容纳所述第二阻流片，相邻所述第二阻流片之间的间隙能够容纳所述第一阻流片；所述第一芯板与所述第二芯板层压形成层压板后，所述第一阻流片位于相邻所述第二阻流片之间，所述第二阻流片位于相邻所述第一阻流片之间。2.根据权利要求1所述的高频板的叠层封边结构，其特征在于，所述第一阻流片与所述第二阻流片均为圆形的铜片。3.根据权利要求1所述的高频板的叠层封边结构，其特征在于，所述第一阻流片与所述第二阻流片均为多边形的铜片。4.根据权利要求1所述的高频板的叠层封边结构，其特征在于，若干个所述第一阻流片均匀布置在所述第一板边区，若干个所述第二阻流片均匀布置在所述第二板边区。5.根据权利要求1-4任一项所述的高频板的叠层封边结构，其特征在于，所述第一阻流片与所述第二阻流片均与所述线路图形处的铜层厚度保持一致。6.根据权利要求5所述的高频板的叠层封边结构，其特征在于，所述第一阻流片与所述第二阻流片的内径均为10?50mil。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高频板的叠层封边结构，包括第一芯板及第二芯板。第一板边区上布置有若干第一阻流片。第二板边区上布置有若干第二阻流片。相邻第一阻流片之间的间隙能够容纳第二阻流片，相邻第二阻流片之间的间隙能够容纳第一阻流片。第一芯板与第二芯板层压形成层压板后，第一阻流片位于相邻第二阻流片之间，第二阻流片位于相邻第一阻流片之间。本实用新型半固化片胶体便于在第一芯板与第二芯板之间流动，半固化片填充性较好，并能消除板边和图形单元内的压差，有利于排走层压板中的空气，第一芯板与第二芯板粘接牢固，能避免填胶不良引起的分层起泡及相关的孔铜渗镀现象，提高层压良率，大大节约了成本。
【IPC分类】H05K1/02
【公开号】CN205029959
【申请号】CN201520763041
【发明人】谢维鑫, 李白艳, 邓智河
【申请人】广州兴森快捷电路科技有限公司, 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司, 宜兴硅谷电子科技有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年9月25日