一种功率放大器的功率控制电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及手机通信技术领域，尤其涉及一种功率放大器的功率控制电路。
【背景技术】
[0002]在GSM(GlobalSystem for Mobile Communicat1n，全球移动通信系统)系统中，为了降低干扰，需要在保证电平强度和信号质量的前提下，对基站收发信台BTS和移动台MS的功率放大器的功率进行控制。此外，对功率控制也可以延长手机的待机时间，并且在通话质量变差的情况下，能够适当提高手机的发射功率，从而保障通话质量。
[0003]目前，对功率放大器的功率控制主要通过电流控制来实现。具体如图1所示，图1为现有技术中通过电流控制功率放大器功率的电路图。通过三极管Q4与三极管Q3镜像来采集放大级的电流，利用采集到的电流再经PMOS管Ml和M2镜像后，利用电阻R4转化为电压信号，该电压信号与Vramp共同作用后再控制放大级的偏置实现对功率放大器的功率控制。
[0004]然而，由于该实现方式存在控制环路大，在M1/M2镜像单元会产生两个比较大的极点，M3的漏极也会存在一个很大极点，多个较大极点会导致整个环路稳定系数差，在电路设计过程中稳定性补偿难度大，环路带宽很难做宽，使得稳定时间长，而这使得在Vramp刚开始爬坡的前一段时间内由于功率控制环路还没稳定，这时输出功率随Vramp的关系很弱，进而影响手机功率切换时的开关谱性能。
【实用新型内容】
[0005]有鉴于此，本申请提供了一种功率放大器的功率控制电路，以克服现有技术中功率控制电路极点数量多导致环路稳定性差，环路带宽窄，稳定时间长，进而影响手机功率切换时的开关谱性能的问题。
[0006]为了实现上述目的，本申请提供了以下技术方案:
[0007]—种功率放大器的功率控制电路，包括:
[0008]输入端接收基带控制电压Vramp，输出端与第二运算放大器A2的第二输入端相连，以及通过第三电阻R3与第四N型MOS管MN4的漏极相连的缓冲电路；
[0009]所述第四N型MOS管MN4的漏极同时连接并联的电感LI和第二电容C2，通过所述第二电容C2接地，通过所述电感LI与匹配网络的输入端相连；
[0010]所述第四N型MOS管MN4的栅极与所述第二运算放大器A2的输出端相连，所述第四N型MOS管MN4的源极与驱动电路的第二输入端相连；
[0011]所述驱动电路的第一输入端接收射频信号，输出端分别与第一放大管Ml的输入端和第二放大管M2的输入端相连；
[0012]所述第一放大管Ml的接地端与所述第二放大管M2的接地端相连并接地；
[0013]所述第一放大管Ml的输出端通过第二电阻R2和第一电阻Rl与所述第四N型MOS管MN4的漏极相连，所述第二电阻R2并联一个接地的第一电容Cl，所述第二电阻R2与所述第一电阻Rl的连接端与所述第二放大器A2的第一输入端连接；
[0014]所述第二放大管M2的输出端通过第三N型MOS管MN3与所述匹配网络的输入端相连；
[0015]所述匹配网络的输出端输出射频信号。
[0016]优选的，所述缓冲电路包括:第一运算放大器Al、第四电阻R4、系统函数电路H(s)以及P型MOS管MP，其中，
[0017]所述第一运算放大器Al的第一输入端作为所述缓冲电路的输入端，第二输入端通过所述第四电阻R4接地，输出端与所述P型MOS管MP的栅极相连；
[0018]所述P型MOS管MP的漏极通过所述系统函数电路H(S)与所述第一运算放大器Al的第二输入端相连，所述P型MOS管MP的源极作为所述缓冲电路的输出端。
[0019]优选的，所述第一放大管Ml为第一N型MOS管MNl，所述第二放大管M2为第二N型MOS管 MN2，
[0020]所述第一N型MOS管MNl的栅极作为所述第一放大管Ml的输入端，源极作为所述第一放大管的接地端，漏极作为所述第一放大管Ml的输出端；
[0021]所述第二N型MOS管MN2的栅极作为所述第二放大管Ml的输入端，源极作为所述第二放大管M2的接地端，漏极作为所述第二放大管M2的输出端。
[0022]优选的，所述第一放大管Ml为第一N型三极管Ql，所述第二放大管M2为第二N型三极管Q2时，
[0023]所述第一N型三极管Ql的基极作为所述第一放大管Ml的输入端，发射极作为所述第一放大管Ml的接地端，集电极作为所述第一放大管Ml的输出端；
[0024]所述第二N型三极管Q2的基极作为所述第二放大管M2的输入端，发射极作为所述第二放大管M2的接地端，集电极作为所述第二放大管M2的输出端。
[0025]优选的，所述驱动电路包括:前置驱动器和第一驱动器，其中，
[0026]所述前置驱动器的输入端作为所述驱动电路的第一输入端；
[0027]所述第一驱动器的第一输入端与所述前置驱动器的输出端相连，第二输入端作为所述驱动电路的第二输入端，输出端作为所述驱动电路的输出端。
[0028]优选的，所述驱动电路包括:第二驱动器和偏置电路，其中，
[0029]所述第二驱动器的输入端作为所述驱动电路的第一输入端，输出端通过第三电容与所述偏置电路的输出端相连后作为所述驱动电路的输出端；
[0030]所述偏置电路的输入端作为所述驱动电路的第二输入端。
[0031]由以上技术方案可知，本申请提供的一种功率放大器的功率控制电路中号通过缓冲电路后再与第二运算放大器相连，从而使得Vramp信号在控制环路外，进而降低对控制环路的影响，提升了环路稳定性，并且，不再使用现有技术中的PMOS镜像单元，而是将采集到的电流信号经电阻转换为电压信号后，直接输入到第二运算放大器的输入端，从多个方面减少了环路极点的个数，极点数目减少易于实现环路稳定性补偿，环路带宽也相应容易做大，减少了环路的稳定时间，避免影响手机功率切换时的开关谱性能。并且，第二运算放大器输出接NMOS管，有助于提高环路的电源抑制比。
【附图说明】
[0032]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0033]图1为现有技术中通过电流控制功率放大器功率的电路图；
[0034]图2为本申请实施例一提供的一种功率放大器的功率控制电路的原理图；
[0035]图3为本申请实施例二提供的一种功率放大器的功率控制电路的原理图；
[0036]图4为本申请实施例三提供的一种功率放大器的功率控制电路的原理图；
[0037]图5为本申请实施例四提供的一种功率放大器的功率控制电路的原理图。
【具体实施方式】
[0038]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0039]为克服现有技术中功率控制电路极点数量多导致环路稳定性差，稳定时间长，进而影响手机功率切换时的开关谱性能的问题，本申请提供了一种功率放大器的功率控制电路，具体方案如下所述:
[0040]实施例一
[0041]本申请实施例一提供了一种功率放大器的功率控制电路，如图2所示，图2为本申请实施例一提供的一种功率放大器的功率控制电路的原理图。该控制电路包括:
[0042]缓冲电路，缓冲电路的输入端接收基带控制信号Vramp，输出端与第二运算放大器A2的第二输入端相连，以及通过第三电阻R3与第四N型MOS管MN4的漏极相连；
[0043]第四N型MOS管MN4的漏极同时连接并联的电感LI和第二电容C2，通过第二电容C2接地，通过电感LI与匹配网络的输入端相连；
[0044]第四N型MOS管MN4的栅极与第二运算放大器A2的输出端相连，第四N型MOS管MN4的源极与驱动电路的第二输入端相连；
[0045]驱动电路的第一输入端接收射频信号，输出端分别与第一放大管Ml的输入端和第二放大管M2的输入端相连；
[0046]第一放大管Ml的接地端与第二放大管M2的接地端相连并接地；
[0047]第一放大管Ml的输出端通过第二电阻R2和第一电阻Rl与第四N型MOS管丽4的漏极相连，第二电阻R2并联一个接地的第一电容Cl，第二电阻R2与第一电阻Rl的连接端与第二放大器A2的第一输入端连接；
[0048]第二放大管M2的输出端通过第三N型MOS管MN3与匹配网络的输入端相连；
[0049]匹配网络的输出端输出射频信号。
[0050]在本申请中，如图2中虚