一种led智能保护驱动控制器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种控制器，具体是一种LED智能保护驱动控制器。
【背景技术】
[0002]近年来，半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。按固体发光物理学原理，发光效率能接近100%，具有工作电压低、耗电量小、响应时间短、发光效率高、抗冲击、使用寿命长、光色纯、性能稳定可靠及成本低等优点。随着LED价格的不断降低，发光亮度的不断提高，半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。LED的伏安特性与普通二极管的伏安特性相同，正向电压的较小波动就会导致正向电流的急剧变化。LED正向电流的大小会随环境温度变化而改变，环境达到一定温度，LED允许正向电流会急剧降低;在此情况下，如果仍旧通过大电流，容易造成LED老化，缩短使用寿命，因此LED在应用过程中需要一个具有恒流控制的和具有可靠保护功能的LED驱动系统。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种LED智能保护驱动控制器，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种LED智能保护驱动控制器，包括变压器T、整流桥Q、M0S管VTl、电阻R1、电感L、电位器RPl和电容Cl，所述变压器T线圈LI两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2两端分别连接整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接二极管D8负极、电阻R1、三极管VT2发射极、二极管D5负极、电容Cl和MOS管VTl的S极，MOS管VTl的G极分别连接二极管D8正极、电阻Rl另一端、三极管VT2集电极和电阻R2，三极管VT2基极分别连接二极管D5正极、电阻R3、电阻R9和电阻RlO，电阻R3另一端连接电容C2，电阻RlO另一端连接三极管VT4集电极，三极管VT4基极通过电阻R4连接三极管VT3集电极，电阻R9另一端连接三极管VT5集电极，三极管VT5发射极分别连接二极管D7正极和电阻R6，所述MOS管VTl的D极分别连接电容C2另一端、二极管D6负极和电感L，电感L另一端分别连接三极管VT3发射极和电阻R5，三极管VT3基极连接电阻Rl I，电阻Rl I另一端分别连接电阻R5另一端、电阻R6另一端、电位器RP一端、电容C3和发光二极管LED正极，电位器RP滑片连接三极管VT5基极，电位器RP另一端分别连接发光二极管LED负极、电容C3另一端、二极管D7负极、三极管VT4发射极、二极管D6正极、电阻R2另一端、电容Cl另一端和整流桥Q引脚4并接地。
[0006]作为本实用新型进一步的方案:所述MOS管VTl采用VMOS管。
[0007]作为本实用新型再进一步的方案:所述二极管D8为稳压二极管。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型LED智能保护驱动控制器具有短路和过流保护功能，另外没有采用任何芯片元件控制，抗干扰能力强，电路结构简单，成本低，体积小。
【附图说明】
[0009]图1为LED智能保护驱动控制器的电路图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0011]请参阅图1，本实用新型实施例中，一种LED智能保护驱动控制器，包括变压器T、整流桥Q、M0S管VTl、电阻Rl、电感L、电位器RPl和电容Cl，所述变压器T线圈LI两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2两端分别连接整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接二极管D8负极、电阻Rl、三极管VT2发射极、二极管D5负极、电容Cl和MOS管VTl的S极，MOS管VTl的G极分别连接二极管D8正极、电阻Rl另一端、三极管VT2集电极和电阻R2，三极管VT2基极分别连接二极管D5正极、电阻R3、电阻R9和电阻R10，电阻R3另一端连接电容C2，电阻RlO另一端连接三极管VT4集电极，三极管VT4基极通过电阻R4连接三极管VT3集电极，电阻R9另一端连接三极管VT5集电极，三极管VT5发射极分别连接二极管D7正极和电阻R6，所述MOS管VTl的D极分别连接电容C2另一端、二极管D6负极和电感L，电感L另一端分别连接三极管VT3发射极和电阻R5，三极管VT3基极连接电阻Rl I，电阻Rl I另一端分别连接电阻R5另一端、电阻R6另一端、电位器RP—端、电容C3和发光二极管LED正极，电位器RP滑片连接三极管VT5基极，电位器RP另一端分别连接发光二极管LED负极、电容C3另一端、二极管D7负极、三极管VT4发射极、二极管D6正极、电阻R2另一端、电容Cl另一端和整流桥Q引脚4并接地;MOS管VTl采用VMOS管;二极管D8为稳压二极管。
[0012]本实用新型的工作原理是:请参阅图1，VT1为开关管，VT2用作脉宽调制，VT3、VT4组成限流短路保护，VT5作为误差放大管，开关管VTl采用VMOS场效应管，开关频率在80kHz左右，从而可减小电感L体积和输出纹波电压;接通电源后，由Q整流的直流电压在R1、R2上产生分压，D8稳压，此电压加到VTI栅极上，VTI很快饱和导通，通过VT1、电感L、限流电阻R2向C3充电，并向LED供电，同时误差放大管VT5集电极电流增大，此电流经R9、R3向C2充电，C3的充电极性为上正下负，此时VT2导通，于是VTl无负偏压而截止，VTl截止后电感L中的磁能变为极性相反(左负右正)的电能，续流二极管VD6导通，电流通过VD6继续向LED供电，使LED获得平滑的直流;与此同时，C2从充电状态转变为放电状态，C2的极性为上负下正，此时VT2截止，VTl又很快饱和导通，上述过程周而复始形成振荡，振荡频率由C2、R3决定，VD5反向并联于VT2基射两极，防止VT2基射极受反向电压击穿，VD6作基准电压，
[0013]当LED短路或LED上电流超过一定值时，在R2上产生的电压使VT3导通，VT4也导通，调制管VT2亦随之导通，最终迫使VTl截止，限制了VTl的输出，从而保护了VTl。
[0014]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0015]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种LED智能保护驱动控制器，包括变压器T、整流桥Q、MOS管VTl、电阻R1、电感L、电位器RPl和电容Cl，其特征在于，所述变压器T线圈LI两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2两端分别连接整流桥Q引脚I和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接二极管D8负极、电阻R1、三极管VT2发射极、二极管D5负极、电容Cl和MOS管VTl的S极，MOS管VTl的G极分别连接二极管D8正极、电阻Rl另一端、三极管VT2集电极和电阻R2，三极管VT2基极分别连接二极管D5正极、电阻R3、电阻R9和电阻RlO，电阻R3另一端连接电容C2，电阻RlO另一端连接三极管VT4集电极，三极管VT4基极通过电阻R4连接三极管VT3集电极，电阻R9另一端连接三极管VT5集电极，三极管VT5发射极分别连接二极管D7正极和电阻R6，所述MOS管VTl的D极分别连接电容C2另一端、二极管D6负极和电感L，电感L另一端分别连接三极管VT3发射极和电阻R5，三极管VT3基极连接电阻Rl I，电阻Rl I另一端分别连接电阻R5另一端、电阻R6另一端、电位器RP—端、电容C3和发光二极管LED正极，电位器RP滑片连接三极管VT5基极，电位器RP另一端分别连接发光二极管LED负极、电容C3另一端、二极管D7负极、三极管VT4发射极、二极管D6正极、电阻R2另一端、电容Cl另一端和整流桥Q引脚4并接地。2.根据权利要求1所述的LED智能保护驱动控制器，其特征在于，所述MOS管VTl采用VMOS 管。3.根据权利要求1所述的LED智能保护驱动控制器，其特征在于，所述二极管D8为稳压二极管。
【专利摘要】本实用新型公开了一种LED智能保护驱动控制器，包括变压器T、整流桥Q、MOS管VT1、电阻R1、电感L、电位器RP1和电容C1，所述变压器T线圈L1两端分别连接220V交流电两端，变压器T线圈L2两端分别连接整流桥Q引脚1和整流桥Q引脚3，整流桥Q引脚2分别连接二极管D8负极、电阻R1、三极管VT2发射极、二极管D5负极、电容C1和MOS管VT1的S极，MOS管VT1的G极分别连接二极管D8正极、电阻R1另一端、三极管VT2集电极和电阻R2，三极管VT2基极分别连接二极管D5正极、电阻R3、电阻R9和电阻R10，电阻R3另一端连接电容C2。本实用新型LED智能保护驱动控制器具有短路和过流保护功能，另外没有采用任何芯片元件控制，抗干扰能力强，电路结构简单，成本低，体积小。
【IPC分类】H05B33/08
【公开号】CN205232518
【申请号】CN201521117513
【发明人】张春鹏
【申请人】黑龙江大学
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月29日