一种不易变形的高密度积层电路板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高密度电路板技术领域，具体指一种不易变形的高密度积层电路板。
【背景技术】
[0002]目前，各种电子产品的功能日渐全面、多能、复杂化，而电子产品的设计日趋轻、薄、短、小；导致电路板的小型化和轻量化趋向与电子元件的搭载需求出现矛盾，从而对电路板的高密度和高集成度设计提出了更高的要求。为了提高电路板搭载能力，通常采用在电路板表面印刷多层电路以提高电路的密度，多层电路之间通过激光或机械钻孔的方式在层间互连位置形成介质孔，再在介质孔上形成电导通的电镀层。再将电路板相互叠加形成高密度的复合多层积层电路板，但是电路板在叠加后受到工作温度的影响会产生弯曲形变，严重的话则导致电路板接触故障进而报废。因此现有的多层电路板集成模式还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构合理、加工方便、稳定可靠的不易变形的高密度积层电路板。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]本实用新型所述的一种不易变形的高密度积层电路板，包括N层的基板，所述N为大于2的整数，所述基板上设有若干效应孔，且若干效应孔在基板上等距间隔设置。
[0006]根据以上方案，所述N/2层基板上的效应孔数最多，N/2+X层基板与N/2-X层基板上的效应孔数相等。
[0007]根据以上方案，所述X越大则该层基板上的效应孔数越少。
[0008]根据以上方案，所述效应孔呈“十”字形孔设置。
[0009]根据以上方案，所述效应孔的开口直径为D，则X越大则该层基板上的效应孔直径D越大。
[0010]本实用新型有益效果为:本实用新型结构简单合理，通过均匀分布在基板上的效应孔，消除电路板工作时发热对基板产生的形变，多层叠加的高密度电路板出现拱起开裂导致损坏的现象，提高电路板的层数、布线密度、结构强度和集成度。
【附图说明】
[0011 ]图1是本实用新型的整体剖面结构示意图。
[0012]图中:
[0013]1、基板；11、效应孔。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。
[0015]如图1所示，本实用新型所述的一种不易变形的高密度积层电路板，包括N层的基板I，所述N为大于2的整数，所述基板I上设有若干效应孔11，且若干效应孔11在基板I上等距间隔设置，所述效应孔11均匀分布在基板I上，从而在电路板工作发热情况下，缓解基板I的形变导致的拱起开裂问题，避免对电路板造成断路损坏情况;且应力得到消除的情况下，可提高基板I的叠加层数，从而有效提高电路板的布线密度、结构强度和集成度。
[0016]所述N/2层基板I上的效应孔11数最多，~2+乂层基板1与~24层基板1上的效应孔11数相等。
[0017]所述X越大则该层基板I上的效应孔11数越少。
[0018]所述效应孔11呈“十”字形孔设置，“十”字形的效应孔11能更好的消除各方向的形变压力，优选的效应孔11形状还可以是花型、星形等。
[0019]所述效应孔11的开口直径为D，则X越大则该层基板I上的效应孔11直径D越大。
[0020]以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。
【主权项】
1.一种不易变形的高密度积层电路板，包括N层的基板(I)，所述N为大于2的整数，其特征在于:所述基板(I)上设有若干效应孔(11)，且若干效应孔(11)在基板(I)上等距间隔设置。2.根据权利要求1所述的不易变形的高密度积层电路板，其特征在于:所述N/2层基板(I)上的效应孔(11)数最多，N/2+X层基板(I)与N/2-X层基板(I)上的效应孔(11)数相等。3.根据权利要求2所述的不易变形的高密度积层电路板，其特征在于:所述X越大则该层基板(I)上的效应孔(11)数越少。4.根据权利要求1-3任一所述的不易变形的高密度积层电路板，其特征在于:所述效应孔(11)呈“十”字形孔设置。5.根据权利要求4任一所述的不易变形的高密度积层电路板，其特征在于:所述效应孔(II)的开口直径为D，则X越大则该层基板(I)上的效应孔(11)直径D越大。
【专利摘要】本实用新型涉及高密度电路板技术领域，具体指一种不易变形的高密度积层电路板。包括N层的基板，所述N为大于2的整数，所述基板上设有若干效应孔，且若干效应孔在基板上等距间隔设置。本实用新型结构简单合理，通过均匀分布在基板上的效应孔，消除电路板工作时发热对基板产生的形变，多层叠加的高密度电路板出现拱起开裂导致损坏的现象，提高电路板的层数、布线密度、结构强度和集成度。
【IPC分类】H05K1/02
【公开号】CN205266011
【申请号】CN201521042562
【发明人】张涛
【申请人】东莞联桥电子有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2015年12月14日