一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及振荡器。
【背景技术】
[0002]振荡器的振荡频率是由电容充电和放电的时间决定的，而充电和放电时间是由电容的充电电流和放电电流的大小决定的，这样就可以通过调节电流的大小来调节振荡频率，为此设计了一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路。
[0004]—种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路，包括第一电阻、第一 NMOS管、第一PMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二 PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七匪OS管、第三PMOS管、第八匪OS管、第九匪OS管、第十匪OS管、第四PMOS管和第^^一匪OS管:
[0005]所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一匪OS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极；
[0006]所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，源极接地；
[0007]所述第一PMOS管的栅极接所述第二匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八匪OS管的漏极和所述第十匪OS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第二匪OS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC;
[0008]所述第二匪OS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八匪OS管的漏极和所述第十匪OS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接地；
[0009]所述第三匪OS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一匪OS管的栅极和漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；
[0010]所述第四匪OS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二匪OS管的漏极和所述第二 PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；
[0011 ]所述第二 PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二匪OS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第五WOS管的漏极和所述第七匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八WOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC;
[0012]所述第五匪OS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第二WOS管的漏极和所述第七匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八WOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接地；
[0013]所述第六匪OS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一匪OS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第二匪OS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八匪OS管的栅极，源极接地；
[0014]所述第七匪OS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第五匪OS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；
[0015]所述第三PMOS管的栅极接所述第七匪OS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二匪OS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十WOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一 NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC;
[0016]所述第八匪OS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第七匪OS管的栅极和所述第二 PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十WOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一 NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接地；
[0017]所述第九匪OS管的栅极接所述第六匪OS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十匪OS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一 NMOS管的栅极，源极接地；
[0018]所述第十匪OS管的栅极接所述第八匪OS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第^^一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；
[0019]所述第四PMOS管的栅极接所述第十匪OS管的栅极和所述第八匪OS管的漏极和所述第一 PMOS管的栅极和所述第二匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第^^一WOS管的栅极和所述第九匪OS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端0SC0UT，源极接电源电压 VCC;
[0020]所述第^^一匪OS管的栅极接所述第十匪OS管的栅极和所述第八匪OS管的漏极和所述第一 PMOS管的栅极和所述第二匪OS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。
[0021]所述第一电阻和所述第一匪OS管构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第三NMOS管、所述第六NMOS管和所述第九NMOS管;所述第四NMOS管、所述第七NMOS管和所述第十NMOS管这三个NMOS管接成NMOS管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第四NMOS管形成的电容充电电流由所述第一 PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第四NMOS管形成的电容放电电流由所述第三NMOS管漏极流出的电流和所述第二NMOS管导通时漏极流出的电流共同决定;对所述第七NMOS管形成的电容充电电流由所述第二PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第七NMOS管形成的电容放电电流由所述第六NMOS管漏极流出的电流和所述第五NMOS管导通时漏极流出的电流共同决定；对所述第十NMOS管形成的电容充电电流由所述第三PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第十NMOS管形成的电容放电电流由所述第九NMOS管漏极流出的电流和所述第九NMOS管导通时漏极流出的电流共同决定;通过调节偏置电流的大小来调节放电电流的大小达到调节振荡器的频率。
【附图说明】
[0022]图1为本实用新型的通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路的电路图。
【具体实施方式】
[0023]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0024]—种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一匪OS管102、第一 PMOS管201、第二匪OS管202、第三匪OS管203、第四匪OS管204、第二PMOS管205、第五NMOS管206、第六匪OS管207、第七NMOS管208、第三PMOS管209、第八NMOS管210、第九 NMOS 管 211、第十 NMOS 管 212、第四PMOS 管 301 和第 ^^一NMOS 管 302:
[0025]所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 NMOS管102的栅极和漏极和所述第三NMOS管203的栅极和所述第六NMOS管207的栅极和所述第九匪OS管211的栅极；
[0026]所述第一NMOS管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第三匪OS管203的栅极和所述第六匪OS管207的栅极和所述第九NMOS管211的栅极，源极接地；
[0027]所述第一 PMOS管201的栅极接所述第二 NMOS管202的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第十NMOS管212的栅极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第i^一匪OS管302的栅极和所述第九匪OS管211的漏极，漏极接所述第二 NMOS管202的漏极和所述第四匪OS管204的栅极和所述第二 PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极和所述第三NMOS管203的漏极，源极接电源电压VCC;
[0028]所述第二 NMOS管202的栅极接所述第一 PMOS管201的栅极和所述第三PMOS管209的漏极和所述第八NMOS管210的漏极和所述第十NMOS管212的栅极和所述第四PMOS管301的栅极和所述第i^一匪OS管302的栅极和所述第九匪OS管211的漏极，漏极接所述第一 PMOS管201的漏极和所述第四匪OS管204的栅极和所述第二 PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极和所述第三NMOS管203的漏极，源极接地；
[0029]所述第三匪OS管203的栅极接所述第一电阻101的一端和所述第一 NMOS管102的栅极和漏极和所述第六NMOS管207的栅极和所述第九NMOS管211的栅极，漏极接所述第二 NMOS管202的漏极和所述第一 PMOS管201的漏极和所述第四NMOS管204的栅极和所述第二 PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极，源极接地；
[0030]所述第四NMOS管204的栅极接所述第一 PMOS管201的漏极和所述第二 NMOS管202的漏极和所述第二 PMOS管205的栅极和所述第五NMOS管206的栅极和所述第三NMOS管203的漏极，漏极接地，源极接地；
[0031 ]所述第二 PMOS管205的栅极接所述第一 PMOS管201的漏极和所述第二 NMOS管202的漏极和所述第四NMOS管204的栅极和所述第五NMOS管206的栅极和所述第三NMOS管203的漏极，漏极接所述第五匪OS管206的漏极和所述第七NMOS管208的栅极和所述第三PMOS管209的栅极和所述第八NMOS管210的栅极和所述第六NMOS管207的漏极，源极接电源电压VCC;
[0032]所述第五NMOS管206的栅极接所述第二 PMOS管205的栅极和所述第一 PMOS管201的漏极和所述第二 NMOS管202的漏极和所述第四NMOS管204的栅极和所述第三NMOS管203的漏极，漏极接所述第二匪OS管205的