一种led调光增强电路的制作方法

文档序号:10847089阅读:502来源:国知局
一种led调光增强电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种LED调光增强电路,属电学领域,它包括:PWM控制器、恒流驱动芯片、MOS管Q1、MOS管Q2、上拉电阻R1、储能电感L1、续流二极管D2、恒流电阻RS和LED负载;采用本实用新型提供的LED调光增强电路,当PWM控制器输出低电平时,LED负载被导通的MOS管Q2短路无电流通过,电感L1放电电流通过MOS管Q2快速泄放掉,调光线性度得到优化。同时通过调整上拉电阻R1的值更改放电斜率,将其导通斜率放缓,流经LED负载的电流在低灰时增长变缓,LED发光亮度增长变缓,实现更好的调光效果。
【专利说明】
一种LED调光増强电路
技术领域
[0001]本实用新型属于电学领域,具体涉及一种LED调光增强电路。
【背景技术】
[0002]LED光源因具有易调光调色的特点,目前在舞台灯光、外景广告灯光等方面得到了广泛应用。在实际使用过程中,利用PffM控制调光时,当PWM控制输出为低电平时,因电感储能放电原因,影响到流经LED的电流变化,导致LED光源调光时线性度变差,视觉上造成LED亮度变化不连续,甚至闪烁的情况;同时在低灰时人眼对调光亮度变化非常敏感,在低灰阶段因负载电流增长过快,会出现一个亮度突然变化到另外一个亮度的跳灰现象。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此,本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种调光效果平顺柔和的LED调光增强电路。
[0004]为实现以上目的,本实用新型采用如下技术方案:
[0005]一种LED调光增强电路,包括控制器、恒流驱动芯片、MOS管Ql、M0S管Q2、上拉电阻Rl、储能电感L1、续流二极管D2、恒流电阻RS和LED负载;
[0006]所述恒流驱动芯片包括第一至五端口,所述恒流驱动芯片第一端口分别连接到所述恒流电阻RS—端和VCC,所述恒流电阻RS另一端连接到所述LED负载正极,所述LED负载负极连接到所述储能电感LI 一端,所述储能电感LI另一端分别连接到所述恒流驱动芯片第二端口和所述续流二极管D2正极,所述续流二极管D2负极连接到所述恒流电阻RS—端,所述恒流驱动芯片第三端口接地,所述恒流驱动芯片第四端口连接到所述PWM控制器,所述恒流驱动芯片第五端口连接到所述恒流电阻RS另一端;
[0007]所述MOS管Ql的D极和所述上拉电阻Rl—端均连接到所述MOS管Q2的G极,所述MOS管QI的G极连接到所述PffM控制器,所述MOS管QI的S极接地,所述上拉电阻Rl另一端连接到VCC,所述MOS管Q2的D极连接到所述LED负载的正极,所述MOS管Q2的S极连接到所述LED负载的负极。
[0008]所述上拉电阻Rl为可调电阻。
[0009]所述恒流驱动芯片型号为MBI6661。
[0010]作为进一步优选,为了使电路电流更加稳定,所述LED调光增强电路还包括电解电容ECl和电容Cl,所述电解电容ECl正极连接到所述恒流驱动芯片第一端口,所述电解电容ECl负极接地,所述电容Cl并联连接到所述电解电容ECl的两端。
[0011]本实用新型采用以上技术方案,当所述PffM控制器输出为高电平时,所述恒流驱动芯片工作,所述MOS管Ql导通,所述MOS管Q2的G极被拉低为低电平,所述MOS管Q2截止,所述LED负载工作,此时所述恒流驱动芯片控制第二端口导通和截止。当所述恒流驱动芯片控制第二端口导通时,电流经所述恒流电阻RS、所述LED负载、所述储能电感L1、所述恒流驱动芯片第二端口后接地,此时所述储能电感LI处于储能阶段,回路中电流呈现增长趋势;当所述恒流驱动芯片控制第二端口截止时,由所述储能电感LI供电,电流经所述储能电感L1、所述续流二极管D2、所述恒流电阻RS、所述LED负载后回到所述储能电感LI形成回路,此时所述储能电感LI处于放电阶段,回路中电流呈现降低趋势。
[0012]当所述PWM控制器输出为低电平时,所述MOS管Ql截止,所述MOS管Q2的G极通过所述上拉电阻Rl上拉至Vin电压,为高电平,所述MOS管Q2导通,所述LED负载被导通的所述MOS管Q2短路,此时回路中因所述储能电感LI产生的放电电流通过所述MOS管Q2快速泄放掉。从而LED光源的调光线性度得到优化,调光时不会出现闪烁现象,人眼感觉LED亮度变化柔和;同时可以根据调光要求,通过调整上拉电阻Rl的值更改放电斜率,从而将其导通斜率放缓,实现流经LED负载的电流在低灰时增长变缓,LED发光亮度增长变缓,避免出现跳灰现象,从而使人眼感觉光线变化更柔和细腻,实现更好的调光效果。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型LED调光增强电路实施之一;
[0014]图2为本实用新型LED调光增强电路实施之二。
【具体实施方式】
[0015]下面通过附图和实施例,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
[0016]如图1所示,本实用新型提供一种LED调光增强电路,包括:PWM控制器、恒流驱动芯片、MOS管Ql、M0S管Q2、上拉电阻Rl、储能电感L1、续流二极管D2、恒流电阻RS和LED负载;
[0017]所述恒流驱动芯片包括第一至五端口,所述恒流驱动芯片第一端口分别连接到所述恒流电阻RS—端和VCC,所述恒流电阻RS另一端连接到所述LED负载正极,所述LED负载负极连接到所述储能电感LI 一端,所述储能电感LI另一端分别连接到所述恒流驱动芯片第二端口和所述续流二极管D2正极,所述续流二极管D2负极连接到所述恒流电阻RS—端,所述恒流驱动芯片第三端口接地,所述恒流驱动芯片第四端口连接到所述PWM控制器,所述恒流驱动芯片第五端口连接到所述恒流电阻RS另一端;
[0018]所述MOS管Ql的D极和所述上拉电阻Rl—端均连接到所述MOS管Q2的G极,所述MOS管QI的G极连接到所述PffM控制器,所述MOS管QI的S极接地,所述上拉电阻Rl另一端连接到VCC,所述MOS管Q2的D极连接到所述LED负载的正极,所述MOS管Q2的S极连接到所述LED负载的负极。
[0019]为了详述本实用新型,现就本实施例提供的LED调光增强电路的工作原理说明如下:
[0020]当所述PffM控制器输出为高电平时,所述恒流驱动芯片工作,所述MOS管Ql导通,所述MOS管Q2的G极被拉低为低电平,所述MOS管Q2截止,所述LED负载工作,此时所述恒流驱动芯片控制第二端口导通和截止。当所述恒流驱动芯片控制第二端口导通时,电流经所述恒流电阻RS、所述LED负载、所述储能电感L1、所述恒流驱动芯片第二端口后接地,此时所述储能电感LI处于储能阶段,回路中电流呈现增长趋势;当所述恒流驱动芯片控制第二端口截止时,由所述储能电感LI供电,电流经所述储能电感L1、所述续流二极管D2、所述恒流电阻RS、所述LED负载后回到所述储能电感LI形成回路,此时所述储能电感LI处于放电阶段,回路中电流呈现降低趋势。
[0021]当所述PWM控制器输出为低电平时,所述MOS管Ql截止,所述MOS管Q2的G极通过所述上拉电阻Rl上拉至Vin电压,为高电平,所述MOS管Q2导通,所述LED负载被导通的所述MOS管Q2短路,此时回路中因所述储能电感LI产生的放电电流通过所述MOS管Q2快速泄放掉。
[0022]作为进一步改进,如图2所示,所述LED调光增强电路还包括电解电容ECl和电容Cl,所述电解电容ECl正极连接到所述恒流驱动芯片第一端口,所述电解电容ECl负极接地,所述电容CI并联连接到所述电解电容ECI的两端。
[0023]本实用新型中,所述MOS管Ql,M0S管Q2可分别用三极管代替。
[0024]本实用新型不局限于上述最佳实施方式,任何人在本实用新型的启示下都可得出其他各种形式的产品,但不论在其形状或结构上作任何变化,凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案,均落在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种LED调光增强电路,其特征在于:包括PffM控制器、恒流驱动芯片、MOS管Q1、M0S管Q2、上拉电阻Rl、储能电感L1、续流二极管D2、恒流电阻RS和LED负载; 所述恒流驱动芯片包括第一至五端口,所述恒流驱动芯片第一端口分别连接到所述恒流电阻RS—端和VCC,所述恒流电阻RS另一端连接到所述LED负载正极,所述LED负载负极连接到所述储能电感LI 一端,所述储能电感LI另一端分别连接到所述恒流驱动芯片第二端口和所述续流二极管D2正极,所述续流二极管D2负极连接到所述恒流电阻RS—端,所述恒流驱动芯片第三端口接地,所述恒流驱动芯片第四端口连接到所述PWM控制器,所述恒流驱动芯片第五端口连接到所述恒流电阻RS另一端; 所述MOS管Ql的D极和所述上拉电阻Rl—端均连接到所述MOS管Q2的G极,所述MOS管Ql的G极连接到所述PWM控制器,所述MOS管Ql的S极接地,所述上拉电阻Rl另一端连接到VCC,所述MOS管Q2的D极连接到所述LED负载的正极,所述MOS管Q2的S极连接到所述LED负载的负极。2.根据权利要求1所述的LED调光增强电路,其特征在于:所述上拉电阻Rl为可调电阻。3.根据权利要求1所述的LED调光增强电路,其特征在于:所述恒流驱动芯片型号为MBI6661。4.根据权利要求1至3任一项所述的LED调光增强电路,其特征在于:所述LED调光增强电路还包括电解电容ECl和电容Cl,所述电解电容ECl正极连接到所述恒流驱动芯片第一端口,所述电解电容ECl负极接地,所述电容Cl并联连接到所述电解电容ECl的两端。
【文档编号】H05B33/08GK205546099SQ201620323724
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月18日
【发明人】张吉
【申请人】张吉
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