一种超极结mos应用的保护电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWM IC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWM IC1的公共端电性连接，所述PWM IC1的另一个引脚与IC1 Comp 1脚引脚电性连接，IC1 Comp 1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1 Comp 1脚引脚。本实用新型电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
【专利说明】
一种超极结MOS应用的保护电路
技术领域
[0001]本实用新型属于LED电源技术领域，尤其涉及一种超极结MOS应用的保护电路，具体应用到可以用到超极结MOS的电路里，保护超极结M0S。
【背景技术】
[0002]随着技术的进步，现在的CooIMOS的发展朝着Rds(ON)小，电流大，芯片小，生产工艺更成熟，成本更低的方向发展，但因为芯片面积小，其耐冲击电流的能力，抗雪崩的能力也会随着下降。高温下的电流冲击及生产中的打火电流冲击等等会产生不良，在实际应用过程中，会因此而受到限制，更严重时产生相当严重的客户投诉或赔款，在此情况下，现已实用新型一种CoolM0S(超极结M0S)的保护电路，可以有效的保护到CoolMOS.有效的解决此问题。
【发明内容】
[0003]本实用新型实用新型是提供一种超极结MOS应用的保护电路，特别是应用在单级PFC LED电源里的CooIMOS (超极结MOS)提供保护电路，防止MOS在生产及测试及客户端因各种较恶劣的应用情况下对MOS提供保护，防止CoolMOS因此情况下的崩溃，而产生不良，充分用到Coo 1M0S优式，使产品竞争能力强。
[0004]为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案:
[0005]—种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻Rl和PWM ICl，所述电阻Rl分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Zl和R5串联，所述二极管Zl和R5并联，所述二极管Zl分别与电阻RlO和NPN型三极管串联，所述电阻RlO和NPN型三极管Q2并联，所述电阻RlO与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个弓丨脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PffM IC(SD6**)的公共端电性连接，所述PffM ICl的另一个引脚与ICl Comp I脚引脚电性连接，IClComp I脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于ICl Comp I脚引脚。
[0006]优选的，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWM ICl的公共端。
[0007]本实用新型提供的一种超极结MOS应用的保护电路，与LED电路相比，本实用新型通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏;本实用新型电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOS RDS(0N)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的结构不意图。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0010]请参照图1，本实用新型采用了如下技术方案:
[0011]一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻Rl和PWM ICl，所述电阻Rl分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Zl和R5串联，所述二极管Zl和R5并联，所述二极管Zl分别与电阻RlO和NPN型三极管串联，所述电阻RlO和NPN型三极管Q2并联，所述电阻RlO与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个弓丨脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和P丽ICl的公共端，所述电容C3与PWM ICl的公共端电性连接，所述PWM ICl的另一个引脚与ICl Comp I脚引脚电性连接，ICl Comp I脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于ICl Comp I脚引脚。
[0012]本实用新型通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏;本实用新型增加了防雷电路能有效保护MOS，以免MOS在电压应力电流应力超标，而损坏。700VCoo 1M0S应用了防雷击电路后，由超过电压应力785V降到574V，完全可以满足设计余量的10%电压应力要求;本实用新型电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决Coo 1M0S同类问题，相对于同规格的MOS，Coo 1M0S RDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
[0013]以上所述，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻Rl和PffM ICl，其特征在于:所述电阻Rl分另IJ与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Zl和R5串联，所述二极管Zl和R5并联，所述二极管Zl分别与电阻RlO和NPN型三极管串联，所述电阻RlO和NPN型三极管Q2并联，所述电阻RlO与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容〇3与1^? ICl的公共端电性连接，所述P丽ICl的另一个引脚与ICl Comp I脚引脚电性连接，ICl Comp I脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IClComp I脚引脚。2.根据权利要求1所述的一种超极结MOS应用的保护电路，其特征在于:所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PffM ICl的公共端。
【文档编号】H03K17/081GK205566251SQ201620269837
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月5日
【发明人】朱俊高, 王斌, 黄斌
【申请人】深圳市莱福德光电有限公司