一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，包括真空室，所述真空室的左右两侧设置有靶，所述数据显示器的左下方安装有电压调节旋钮，所述电压调节旋钮的下方设置有通电时间控制旋钮，所述电压调节旋钮的右侧安装有电源接口，所述电源接口的右侧设置有电压出口，所述控制面板与电极是通过电性连接。本实用新型采用了脉冲磁控溅射法镀膜，在装置下部设置有控制面板，可以很精确稳定的控制电压和时间，从而精确控制镀膜的厚度，使石英晶体的电极膜得到精确的控制，从而使振动效果好，且在装置内设置有转向架，可以随意改变方向。
【专利说明】
一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器
技术领域
[0001]本实用新型涉及谐振器技术领域，具体为一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器。
【背景技术】
[0002]谐振器就是指产生谐振频率的电子元件，常用的分为石英晶体谐振器和陶瓷谐振器。产生频率的作用，具有稳定，抗干扰性能良好的特点，广泛应用于各种电子产品中。石英晶体谐振器的频率精度要高于陶瓷谐振器，但成本也比陶瓷谐振器高。谐振器主要起频率控制的作用，所有电子产品涉及频率的发射和接收都需要谐振器。谐振器的类型按照外形可以分为直插式和贴片式两种。
[0003]石英晶体谐振器的性能对通信设备和研究仪有重要的作用，但是一般的真空镀膜无法准确控制，导致薄膜沉淀不均匀，影响谐振器的性能。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的在于提供一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，以解决上述【背景技术】中提出的镀膜不均匀的问题。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，包括真空室，所述真空室的左右两侧设置有靶，所述靶的左侧安装有电极，所述电极的左侧设置有电压进口，所述电极的上下方设置有沉淀池，所述沉淀池的下方安装有石英晶片，所述石英晶片上设置有镀膜，所述真空室的内部设置有转向架，所述转向架的下方安装有转向架驱动器，所述真空室的下方的左侧设置有出气口，所述真空室的下方的右侧安装有进气口，所述转向架驱动器的下方设置有控制面板，所述控制面板上设置有数据显示器，所述数据显示器的左下方安装有电压调节旋钮，所述电压调节旋钮的下方设置有通电时间控制旋钮，所述电压调节旋钮的右侧安装有电源接口，所述电源接口的右侧设置有电压出口，所述控制面板与电极是通过电性连接。
[0006]优选的，真空室为圆柱形结构。
[0007]优选的，所述沉淀池共设置有四个，且四个沉淀池分别安装在电极的上下方。
[0008]优选的，所述电压出口共设置有两个，且两个电压出口分别安装在控制面板的左右两侧。
[0009]优选的，所述转向架与转向架驱动器是通过转动轴转动连接。
[0010]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:该一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，结构科学合理，使用安全方便，采用了脉冲磁控溅射法镀膜，在装置下部设置有控制面板，可以很精确稳定的控制电压和时间，从而精确控制镀膜的厚度，使石英晶体的电极膜得到精确的控制，从而使振动效果好，且在装置内设置有转向架，可以随意改变方向。
【附图说明】
[0011 ]图1为本实用一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器的结构示意图；
[0012]图2为本实用一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器的谐振器的结构示意图。
[0013]图中:1-真空室；2-电极;3-靶;4-电压进口； 5-沉淀池;6_石英晶片；7_出气口； 8_电压调节旋钮;9-通电时间控制旋钮;I O-转向架；11 -进气口 ； 12-转向架驱动器;13-数据显示器;14-电源接口； 15-电压出口； 16-镀膜;17-控制面板。
【具体实施方式】
[0014]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0015]请参阅图1和图2，本实用新型提供的一种实施例:一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，包括真空室I，真空室I的左右两侧设置有靶3，靶3的左侧安装有电极2，电极2的左侧设置有电压进口4，电极2的上下方设置有沉淀池5，沉淀池5的下方安装有石英晶片6，石英晶片6上设置有镀膜16，真空室I的内部设置有转向架10，转向架10的下方安装有转向架驱动器12，真空室I的下方的左侧设置有出气口 7，真空室I的下方的右侧安装有进气口11，转向架驱动器12的下方设置有控制面板17，控制面板17上设置有数据显示器13，数据显示器13的左下方安装有电压调节旋钮8，电压调节旋钮8的下方设置有通电时间控制旋钮9，电压调节旋钮8的右侧安装有电源接口 14，电源接口 14的右侧设置有电压出口 15，控制面板17与电极2是通过电性连接，真空室I为圆柱形结构，沉淀池5共设置有四个，且四个沉淀池5分别安装在电极2的上下方，电压出口 15共设置有两个，且两个电压出口 15分别安装在控制面板17的左右两侧，转向架10与转向架驱动器12是通过转动轴转动连接。
[0016]工作原理；该设备在使用时，通过控制面板17上的电压出口 15接通电压进口 4，接通电源，通过进气口 11通入气体，通过电压调节旋钮8调节电压，在真空室内产生磁控异常辉光放电，使气体电离，电离产生的离子轰击靶3的表面，将靶材表面的原子溅射出来，沉积在沉淀池5下的石英晶片6上产生薄膜，将产生的薄膜用作石英机体谐振器的镀膜16。
[0017]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
【主权项】
1.一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，包括真空室(I)，其特征在于:所述真空室(I)的左右两侧设置有靶(3)，所述靶(3)的左侧安装有电极(2)，所述电极(2)的左侧设置有电压进口(4)，所述电极(2)的上下方设置有沉淀池(5)，所述沉淀池(5)的下方安装有石英晶片(6)，所述石英晶片(6)上设置有镀膜(16)，所述真空室(I)的内部设置有转向架(10)，所述转向架(10)的下方安装有转向架驱动器(12)，所述真空室(I)的下方的左侧设置有出气口(7)，所述真空室(I)的下方的右侧安装有进气口(11)，所述转向架驱动器(12)的下方设置有控制面板(17)，所述控制面板(17)上设置有数据显示器(13)，所述数据显示器(13)的左下方安装有电压调节旋钮(8)，所述电压调节旋钮(8)的下方设置有通电时间控制旋钮(9)，所述电压调节旋钮(8)的右侧安装有电源接口(14)，所述电源接口(14)的右侧设置有电压出口(15)，所述控制面板(17)与电极(2)是通过电性连接。2.根据权利要求1所述的一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，其特征在于:真空室(I)为圆柱形结构。3.根据权利要求1所述的一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，其特征在于:所述沉淀池(5)共设置有四个，且四个沉淀池(5)分别安装在电极(2)的上下方。4.根据权利要求1所述的一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，其特征在于:所述电压出口(15)共设置有两个，且两个电压出口(15)分别安装在控制面板(17)的左右两侧。5.根据权利要求1所述的一种基于脉冲磁控溅射法石英晶体谐振器，其特征在于:所述转向架(1 )与转向架驱动器(12 )是通过转动轴转动连接。
【文档编号】H03H9/19GK205657661SQ201620418555
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年5月10日 公开号201620418555.2, CN 201620418555, CN 205657661 U, CN 205657661U, CN-U-205657661, CN201620418555, CN201620418555.2, CN205657661 U, CN205657661U
【发明人】赵庸桓
【申请人】深圳市凯越翔电子有限公司