一种等离子体震源隔离电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种等离子体震源隔离电路，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，MOS管Q3，电阻R7和电容C1，所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4，所述滤波电路包括电阻R4和电容C2，本实用新型提供的等离子体震源隔离电路，采用变压器隔离方案替换现有的光耦隔离，既解决了控制信号与被控制信号间的物理隔离，又提高了控制信号的驱动能力。实现弱信号与强电系统控制信号间的隔离。
【专利说明】
_种等禹子体震源隔禹电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及海洋地震勘测技术领域，特别涉及一种等离子体震源隔离电路。 【背景技术】
[0002]等离子体震源因具有震源子波重复性好、能量传输效率高、安全可靠、寿命长等优点而广泛应用于海洋工程地震勘探中。根据水深、地质类型、所需地层穿透深度等要求的不同，震源的输出能量可以在几十到数千焦之间，穿透深度可达100?250m，并能达到0.3?lm的分辨率。
[0003]现有海洋地震勘探测量接收系统与震源控制之间隔离侨联技术中，采用弱信号控制高电压，大电流常采用光耦隔离进行实现，这种电路简单易行，要求不高。但当被控制的信号电压、电流很大时，光耦器件极易损坏，而导致系统功能失效。【实用新型内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型提供一种等离子体震源隔离电路，解决现有光电耦合电路在被控制信号电压、电流较大时，光耦合器件极易损坏的技术问题。
[0005]本实用新型通过以下技术手段解决上述问题:
[0006]—种等离子体震源隔离电路，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；
[0007]所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，M0S管Q3，电阻R7和电容 C1，所述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述M0S管Q3的栅极连接，所述M0S管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述M0S管Q3的源极通过电阻R7接地，所述 M0S管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；
[0008]所述输出电路包括电阻R1，电阻R2,电阻R3，M0S管Q1，三极管Q2和二极管D2,二极管D4,所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述M0S管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所述二极管D2与所述三极管Q2发射极连接，所述三极管Q2集电极与所述M0S管Q1栅极连接，所述M0S管Q1漏极与第二电源连接，所述M0S管Q1源极分别与所述三极管Q2发射极、所述二极管D2正极和所述二极管D4正极连接，所述二极管D4负极通过电阻R3与信号输出端连接；
[0009]所述滤波电路包括电阻R4和电容C2,所述电阻R4—端与所述M0S管Q1源极连接，所述电阻R4另一端通过所述电容C2接地。
[0010]进一步的，所述变压器T1为耦合变压器或脉冲变压器。[〇〇11]进一步的，所述二极管D1，二极管D2,二极管D3型号为IN914。
[0012] 进一步的，所述M0S管Q1，M0S管Q3型号为TN2460T。[〇〇13]进一步的，所述三极管Q2型号为2N222。
[0014]本实用新型提供的等离子体震源隔离电路，采用变压器隔离方案替换现有的光耦隔离，既解决了控制信号与被控制信号间的物理隔离，又提高了控制信号的驱动能力。实现弱信号与强电系统控制信号间的隔离。【附图说明】
[0015]图1是本实用新型等离子体震源隔离电路的电路图。【具体实施方式】
[0016]以下将结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成，并不限制本实用新型与现有结构的结合。
[0017]参见图1，本实施例提供一种等离子体震源隔离电路，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；
[0018]其中，所述输入电路包括二极管D1，二极管D3,电阻R5,电阻R6，M0S管Q3,电阻R7和电容C1，所述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述M0S管 Q3的栅极连接，所述M0S管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述M0S管Q3的源极通过电阻R7接地， 所述M0S管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；[〇〇19] 所述输出电路包括电阻R1，电阻R2,电阻R3，M0S管Q1，三极管Q2和二极管D2,二极管D4,所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述M0S管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所述二极管D2与所述三极管Q2发射极连接，所述三极管Q2集电极与所述M0S管Q1栅极连接，所述M0S管Q1漏极与第二电源连接，所述M0S管Q1源极分别与所述三极管Q2发射极、所述二极管D2正极和所述二极管D4正极连接，所述二极管D4负极通过电阻R3与信号输出端连接；
[0020]所述滤波电路包括电阻R4和电容C2,所述电阻R4—端与所述M0S管Q1源极连接，所述电阻R4另一端通过所述电容C2接地。
[0021]在一个具体的实施方式中，所述变压器T1为耦合变压器或脉冲变压器。所述二极管D1，二极管D2,二极管D3型号为IN914。所述M0S管Q1，M0S管Q3型号为TN2460T。所述三极管 Q2型号为2N222。电阻R1为10Q，电阻R2为10KQ，电阻R3为100Q，电阻R4为200Q，电阻R5 为100Q，电阻R6为1KQ，电阻R7为100Q，电容C1和电容C2为0.1UF。[〇〇22]参见图1，S_IN为信号输入端，具体可以是系统内部信号或外部弱电系统输入控制信号；S_0UT为信号输出端，具体可以是被强电系统的控制信号输入。其中，S_IN端和S_0UT 端的输入信号和输出信号均为脉冲触发控制。采用变压器T1将脉冲电压控制输出端打开， 形成脉冲控制信号。R4和C2形成滤波器对脉冲信号进行整形。其中，F1_GND与F1_VCC为系统内部电源系统。F2_GND与F2_VCC为系统隔离电源。
[0023]本实用新型提供的一种等离子体震源隔离电路，采用变压器隔离方案替换现有的光耦隔离，既解决了控制信号与被控制信号间的物理隔离，又提高了控制信号的驱动能力。 实现弱信号与强电系统控制信号间的隔离。
[0024]最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【主权项】
1.一种等离子体震源隔离电路，其特征在于，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所 述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；所述输入电路包括二极管D1，二极管D3,电阻R5,电阻R6，M0S管Q3,电阻R7和电容C1，所 述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述MOS管Q3的栅极 连接，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述MOS管Q3的源极通过电阻R7接地，所述MOS 管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极 管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4， 所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述MOS管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通 过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所述二极管D2与所述三 极管Q2发射极连接，所述三极管Q2集电极与所述MOS管Q1栅极连接，所述MOS管Q1漏极与第 二电源连接，所述MOS管Q1源极分别与所述三极管Q2发射极、所述二极管D2正极和所述二极 管D4正极连接，所述二极管D4负极通过电阻R3与信号输出端连接；所述滤波电路包括电阻R4和电容C2,所述电阻R4—端与所述MOS管Q1源极连接，所述电 阻R4另一端通过所述电容C2接地。2.根据权利要求1所述的一种等离子体震源隔离电路，其特征在于:所述变压器T1为耦 合变压器或脉冲变压器。3.根据权利要求2所述的一种等离子体震源隔离电路，其特征在于:所述二极管D1，二 极管D2,二极管D3型号为IN914。4.根据权利要求3所述的一种等离子体震源隔离电路，其特征在于:所述MOS管Q1，M0S 管Q3型号为TN2460T。5.根据权利要求1所述的一种等离子体震源隔离电路，其特征在于:所述三极管Q2型号 为2N222。
【文档编号】H03K19/0175GK205657673SQ201620272262
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年4月5日 公开号201620272262.8, CN 201620272262, CN 205657673 U, CN 205657673U, CN-U-205657673, CN201620272262, CN201620272262.8, CN205657673 U, CN205657673U
【发明人】陈自力, 连艳红, 史明星, 龚云翔
【申请人】西安虹陆洋机电设备有限公司