一种功率放大器的制造方法
【专利摘要】本实用新型属于放大器电路领域，尤其涉及一种功率放大器。该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容C1作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流，实际中的开关类功率放大器的效率都因为元件等因素而不能达到理想的值。本实用新型通过解决上述这些问题，降低电路中的功率损耗，将开关类功率放大器的到更多的发展空间。
【专利说明】
一种功率放大器
技术领域
[0001]本实用新型属于放大器电路领域，尤其涉及一种功率放大器。
【背景技术】
[0002]现代社会随着信息产业的快速发展，无线能量传输在生活中有了更广泛的应用，人们有了越来越高的要求。射频功率放大器正在起到越来越重要的角色，怎样制造出效率高、性能好的功率放大器已经引起了人们越来越多的关注。现代电子设备正在向集成化方向进展，因此提出了对于功率放大器的新要求，这样既可以提高系统可靠性，并且减小功率损耗。无线能量传输领域的，工作频率10k到30MHz之间，远低于过去多用于手机等无线通信领域(10MHz以上)，E类功率放大器理论上具备100 %的集电极效率。射频功率放大器的功能影响了无线能量传输的效果，直接关系到整个东西性能发挥，成功设计制作高效的E类功率放大器也就成为了当今社会一个重要问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种功率放大器，具有功率损耗小，高效的优点。
[0004]本实用新型是这样实现的，一种功率放大器，该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2用于滤波，提高抗干扰能力，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容Cl作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流。
[0005 ]进一步地，晶体管M采型号为用RD16HHFI的场效应管。
[0006]进一步地，并联电容C2为680pF，谐振电感L为220μΗ，谐振电容Cl为120pF。
[0007]进一步地，并联电容C2为1.5nF，谐振电感L为470μΗ，谐振电容Cl为230pF。
[0008]本实用新型与现有技术相比，有益效果在于:实际中的开关类功率放大器的都因为元件等因素不能达到理想的值而导致放大器的效率变低，功率损耗变大。本实用新型通过解决上述这些问题，降低电路中的功率损耗，将开关类功率放大器的到更多的发展空间。开关类功率放大器有着广阔的研究空间，这可以促进无线能量传输上的不断发展，满足人们在社会生产生活中的需要。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型实施例提供的电路原理图。
【具体实施方式】
[0010]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0011]实施例1
[0012]该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2，并联电容C2的作用是滤波，提高抗干扰能力，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容Cl作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流。
[0013]晶体管M采型号为用RD16HHF1的场效应管。高功率增益:Pcmt=16W，Vdd = 12.5V，f =30MHz ο
[0014]采用并联电容C2为680pF，谐振电感L为220μΗ，谐振电容Cl为120pF。实现IMHz频率E类功率放大器的参数设计。
[0015]实施例2
[0016]与实施例1不同之处在于，并联电容C2为1.5nF，谐振电感L为470μΗ，谐振电容Cl为230pF得到220kHz频率E类功率放大器的各元件参数。
[0017]进行测试，当电路工作时集电极处的电压和电流波形不同时出现。即电压为零时电流出现，电流为零时电压才出现，满足E类放大器的ZVS和ZDS条件。
[0018]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种功率放大器，其特征在于，该放大器包括晶体管M作为功放管，晶体管M的漏极上连接并联电容C2用于滤波，并联电容C2的另一端接地，晶体管M的漏极上依次串联有谐振电感L与谐振电容Cl作为谐振回路，谐振回路与晶体管M的源极之间连接负载电阻R，晶体管M的漏极上连接有电感线圈RFC，电感线圈RFC的另一端连接有电源DC，电感线圈RFC用于过滤交流电流。2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，晶体管M采型号为用RD16HHF1的场效应管。3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，并联电容C2为680pF，谐振电感L为220μΗ，谐振电容Cl为120pF。4.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，并联电容C2为1.5nF，谐振电感L为470μΗ，谐振电容Cl为230pF。
【文档编号】H03F1/02GK205681380SQ201620605453
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月21日 公开号201620605453.1, CN 201620605453, CN 205681380 U, CN 205681380U, CN-U-205681380, CN201620605453, CN201620605453.1, CN205681380 U, CN205681380U
【发明人】孙淑琴, 王翀, 曹华松
【申请人】吉林大学