专利名称：超再生接收电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种超再生接收电路。
技术背景现有的超再生接收电路，接收灵敏度和电路自适应性能在个别应用中还达不到要求，如果要提高灵敏度或有效距离则需要提高电路的振荡强度，也提高了辐射量，同时因常规电路将天线信号注入点，与超再生接收电路高频振荡回路相连接，造成高频振荡信号通过天线在空中大量辐射，无法通过欧美国家的低辐射标准。
实用新型内容本实用新型克服了上述缺点，提供一种灵敏度高、自适应能力强、辐射低的超再生接收电路。
本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是包括顺次连接的接收电路、第一级低频放大电路、第二级低频放大电路和整形电路，还包括顺次连接的RC振荡电路和一个省电电路，所述省电电路相连的输出端也连接所述接收电路，用于给所述接收电路提供工作电压，所述接收电路中包括一个用于接收超再生信号的天线、一个包含有高频晶体管的电容三点式振荡器、一个低频退耦电路，所述天线的输出端经过一个隔直电容连接到所述电容三点式振荡器中，所述省电电路的输出经过一个电阻后连接到所述低频退耦电路的一端，一个电源滤波电容连接在所述省电电路的输出端和地端之间，所述高频晶体管的基极经过另一个电阻与所述低频退耦电路相连，所述高频晶体管的集电极经过一个并联谐振电路后输出到所述第一级低频放大电路中。
所述天线经过所述隔直电容后可连接到所述电容三点式振荡器中高频晶体管的发射极，所述低频退耦电路为串联的电阻和电容，所述高频电容三点式振荡器包括所述高频晶体管、所述并联谐振电路和一个电容，所述高频晶体管的基极经过一个电阻后连接到所述低频退耦电路中电阻和电容之间，集电极经过所述并联谐振电路所述低频退耦电路中电阻的另一端，所述电容并联在所述高频晶体管的集电极和发射极之间。
所述并联谐振电路可包括并联连接的一个电感和一个电容。
所述第一级低频放大电路可包括一个逻辑非门以及并联在所述逻辑非门输入输出端的负反馈电阻和电容。
本实用新型通过在所述电容三点式振荡器中高频晶体管的基极，连接有电阻和低频退耦电路，构成自适应电压负反馈基极偏置电路，使本实用新型能够适应较大范围的电压波动和温度变化，而且，所述天线经过隔直电容后直接连接到所述高频晶体管的发射极，对集电极并联谐振电路与天线进行了有效的隔离，增加了并联谐振电路的谐振峰值，即在同样振荡功率的情况下，谐振峰值可大幅度正加，极大地提高了接收的灵敏度，而且减少了通过天线向外辐射高频信号的能量，除了增加检波后的输出电压，同时也减少了振荡电路的工作电流，使整机耗电大为减少，在采用电池供电的场合，可以极大地延长电池的使用寿命。
图1为本实用新型的电路框图图2为本实用新型的电路原理图具体实施方式
如图1所示，包括顺次连接的接收电路、第一级低频放大电路、第二级低频放大电路和整形电路，还包括顺次连接的RC振荡电路和一个省电电路，所述省电电路相连的输出端也连接所述接收电路，用于给所述接收电路提供工作电压。
具体电路原理如图2中所示，所述接收电路中包括一个用于接收超再生信号的天线T、一个包含了高频晶体管Q1的电容三点式振荡器、一个由串联的电阻R2和电容C2构成的低频退耦电路，所述天线的输出端经过一个隔直电容C3连接到所述高频晶体管Q1的发射极，所述省电电路的输出经过一个电阻R1后连接到所述低频退耦电路中电阻R2的一端，一个电容C1连接在所述电阻R1的冷端(图中R1的左端)和地之间，电阻R3的一端连接在所述电阻R2、电容R2之间。另一端连接到所述高频晶体管Q1基极，所述电容C2的另一端接地。所述高频电容三点式振荡器包括所述高频晶体管Q1、一个电感L2和两个电容C6、C7，所述高频晶体管Q1的集电极经过所述电感L2后连接到所述电阻R1的热端(图中R1的右端)，所述电容C6与所述电感L2并联，电容C7并联在所述高频晶体管Q1的集电极和发射极之间。所述高频晶体管Q1的发射极依次串联电感L3和电阻R4后接地，一个电容C8并联在所述电阻R4的两端。高频正反馈耦合电容C4的两端分别连接在所述三极管Q1的基极和电阻R1的热端，间歇振荡电容C5的两端分别连接在所述三极管Q1的基极和地端之间。
其中，所述高频晶体管Q1，第一作用为433MHz高频振荡器，第二作用为超再生间歇振荡器，第三作用为高频载波的包络线检波器。所述电容C1为电源滤波电容，并使R1的冷端(即图中电阻R1左端)保持交流地电位。所述电容C2、电阻R2组成低频退藕电路，阻止所述电阻R1热端(即图中电阻R1右端)上的低频输出信号通过所述电阻R2、R3加到所述高频晶体管Q1基极，并避免了与电容C4组成微分电路，改变检波后的输出波型。所述电容C3为天线耦合和隔直流电容，因与三极管Q1发射极的高频高电位端相连接，参与了高频振荡，其容量以不影响高频振荡，又能将天线信号注入为原则。所述电容C4为高频正反馈耦合电容，将所述电感L2、电容C5并联谐振回路上的高频信号反馈回高频晶体管Q1的基极。所述电容C5为自熄灭状态的间歇振荡电容，与电阻R3相连并跨接在所述高频晶体管Q1的基极、发射极组成自熄灭状态的充、放电回路，增大电容容量，可降低自熄灭状态的频率，减少电容容量，可提高自熄灭状态的频率，其容量需依所需解调的低频信号而确定。虽然电容C5与C4共同接入Q1基极，但因C5为大容量电容，在制造工艺上有等效电感的存在，故C5对高频信号有一定的阻抗，同时因晶体管Q1通过电容C4所需回输的高频正反馈能量很少，即能维持正常的振荡，故电容C5的存在，不会将Q1基极的高频电位完全旁路到地。
所述电容C6、C7、电感L2与高频晶体管Q1组成的电容三点式振荡器，将所需的433MHz高频信号接收进行选频谐振，接收机的接收灵敏度，主要取决于该回路的品质因数Q和振荡强度，Q值高则灵敏度高，同样，振荡强则灵敏度也高。所述电感L3使高频晶体管Q1发射极保持高频高电位状态，同时保持着Q1发射极的直流通道。电阻R4为Q1发射极的直流负反馈电阻，保持Q1电路的直流和温度变化后的稳定性，改变该电阻可改变振荡电路的振荡强度。电容C8为R4的交流旁路电容，使R4上不产生高频压降。电阻R1为Q1电路的交直流负载，同时与电阻R2、R3对高频晶体管Q1组成电压负反馈电路，电阻R1数值大，输出的低频信号幅值就高，但太大会影响Q1集电极的供电电压，使高频振荡幅值降低，故在实际电路中需根据实际使用需要，以实验数值为准。
上述接收电路中，将所述三极管Q1的基极，由两电阻分压电路构成的直流偏置电阻，改为由电阻R1、R2、R3构成的自适应电压负反馈基标偏置电路，使电路能适应较大范围的电压波动和温度变化，原理分析如下如因电源电压上升或温度升高，引起Q1基极电流Ib增大，使发射级电流Ie也增大，集电极电流Ic也相应增大，则流经R1上的电流Ir1也增加，则R1上的电压Vr1也增大，使Vr2、Vr3两端电压下降，Q1基极电流Ib也随之减少，引起Ie、Ic、Ir1电流减少，当电路各部份电压达到相对平衡后，电路就稳定下来，反之亦然。通过以上分析可知，该电路改动，可在很大程度上提高了电路的稳定性，特别对于大批量流水线生产场合，即使各批次元器件有很大的误差，也较容易保证批量生产出来产品品质的一致性。同样，对运送到世界各个地区的产品，也较能适应各地的不同使用温度。
同时，本电路中，将天线注入点放置于所述高频晶体管Q1发射极端，使Q1集电极的高频并联振荡电路不受天线回路反射阻抗的影响，可保持较高的谐振回路Q值，增加高频并联振荡电路的谐振峰值，在同样振荡功率的情况下，谐振峰值可大幅度增加，极大地提高了接收灵敏度。而且，由于天线注入点放置于Q1发射极端，使Q1集电极上的高频振荡回路与发射极上的天线回路进行了隔离，使Q1集电极的振荡回路，减少了通过天线向外辐射高频份量的能力，可达到欧美国家的低辐射标准。再者，由于Q1集电极谐振回路与天线回路分离后，谐振回路品质因数Q值的提高，使谐振回路维持振荡的能量大为减少，故可将负载电阻R1阻值增大，除可增加检波后的输出电压，同时也减少了振荡电路的工作电流，使整机耗电大为减少，在采用电池供电的场合，可极大地延长电池的使用寿命。
所述第一级低频放大电路中包括一个逻辑非门IC1A，一个电阻R6、电容C10都并联在所述逻辑非门的输入输出端。电阻R5、电容C9依次串联后连接在所述接收电路的输出端和第一级低频放大电路的输入端。其中，电阻R5、电容C9为经接收电路解调后的低频信号输出回路，电阻R5的数值不能太小，否则会影响高频振荡回路的品质因数Q值，R5的数值太大时，低频输出信号在R5上的压降会增大，故需按实际需求情况选取。电容C9为隔直流藕合电容，在隔断前后级直流通道的同时，将低频信号送至下一级。所述电阻R6、电容C10为逻辑非门IC1A的负反馈电阻、电容，与IC1A组成第一级低频放大电路，使IC1A将Q1电路解调出来的低频信号进行放大，同时通过C10将不需要的高频信号进行负反馈处理，使下一级放大器收到的基本上只有低频信号，几乎没有高频信号。所述电容C10未按现有常规电路将检波后的高频信号直接旁路下地，而是通过接入逻辑非门IC1A的负反馈电路进行高频负回输，使高频信号在IC1A上无放大作用，以达到高频信号通过第二级放大后，还达不到推动下一级整形电路的1/2电源电压翻转电平，由于低频输出电路没有下地滤波大电容，IC1A的输入阻抗就可以做得很高，电阻R5的大数值电阻对第一级放大器的高输入阻抗来说，几乎可以忽略不计，检波后的低频信号，即可几乎无衰减进入第一级放大器进行放大，为提高整机灵敏度及信噪比起了很大的作用。
电阻R7、R8与逻辑非门IC1B组成第二级低频放大电路，将低频信号再进行一次放大，以便满足下一级波形整形的电压幅值。逻辑非门IC1C为低频电路波形整形电路，主要将前级送来的信号进行限幅整形后输出，以使下一级的解码电路能正确识别。
电阻R9、R10、电容C12、逻辑非门IC1F、IC1E组成所述RC振荡器，所述逻辑非门IC1F、IC1E串联连接，电阻R9、R10、电容C12的一端都相连，另一端分别连接在所述逻辑非门IC1F的输入、输出和IC1E的输出端。通过改变R10、C12的数值可改变振荡频率，若通过取数值构成2Hz的振荡电路，则能够为省电电路提供0.5秒的控制周期。
所述省电电路包括单稳态延时控制电路和省电状态执行电路，电容C13、电阻R11、逻辑非门IC1D组成单稳态延时控制电路，当IC1E输出端的输出高电平时，通过电容C13连接到逻辑非门IC1D的输入端提供高电平，使IC1D的输出翻转为低电平，驱动所述省电状态执行电路中的三极管Q2导通，给接收电路中的Q1提供工作电压。当电阻R11将电容C13的高电平放电至1/2VCC以下时，IC1D的输出端回复高电平，三极管Q2的CE间截止，Q1无电压供应，停止工作，并等待下一个工作周期。其中单稳态的延迟时间可通过C13和R11的取值而定，可设定为0.2秒。电阻R12、R13和所述三极管Q2组成省电状态执行电路，所述三极管Q2的基极通过电阻R12连接到所述逻辑非门IC1D的输出端控制，当IC1D的输出端低电位时工作，高电位时截止。电阻R13为三极管Q2的Icbo提供泄放通道，保证了Q2的可靠截止。还有一个电解电容E1为电源滤波电容，连接在所述三极管Q2的发射极和地端之间，使电源的正负端保持等电位。
以上对本实用新型所提供的超再生接收电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
权利要求1.一种超再生接收电路，包括顺次连接的接收电路、第一级低频放大电路、第二级低频放大电路和整形电路，还包括顺次连接的RC振荡电路和一个省电电路，所述省电电路相连的输出端也连接所述接收电路，用于给所述接收电路提供工作电压，其特征在于所述接收电路中包括一个用于接收超再生信号的天线、一个包含有高频晶体管的电容三点式振荡器、一个低频退耦电路，所述天线的输出端经过一个隔直电容连接到所述电容三点式振荡器中，所述省电电路的输出经过一个电阻后连接到所述低频退耦电路的一端，一个电源滤波电容连接在所述省电电路的输出端和地端之间，所述高频晶体管的基极经过另一个电阻与所述低频退耦电路相连，所述高频晶体管的集电极经过一个并联谐振电路后输出到所述第一级低频放大电路中。
2.根据权利要求1所述的超再生接收电路，其特征在于所述天线经过所述隔直电容后连接到所述电容三点式振荡器中高频晶体管的发射极，所述低频退耦电路为串联的电阻和电容，所述高频电容三点式振荡器包括所述高频晶体管、所述并联谐振电路和一个电容，所述高频晶体管的基极经过一个电阻后连接到所述低频退耦电路中电阻和电容之间，集电极经过所述并联谐振电路所述低频退耦电路中电阻的另一端，所述电容并联在所述高频晶体管的集电极和发射极之间。
3.根据权利要求2所述的超再生接收电路，其特征在于所述并联谐振电路包括并联连接的一个电感和一个电容。
4.根据权利要求1或2或3所述的超再生接收电路，其特征在于所述第一级低频放大电路包括一个逻辑非门以及并联在所述逻辑非门输入输出端的负反馈电阻和电容。
专利摘要本实用新型涉及一种超再生接收电路。本实用新型通过在所述电容三点式振荡器中高频晶体管的基极，连接有电阻和低频退耦电路，构成自适应电压负反馈基极偏置电路，使本实用新型能够适应较大范围的电压波动和温度变化，而且，所述天线经过隔直电容后直接连接到所述高频晶体管的发射极，对集电极并联谐振电路与天线进行了有效的隔离，增加了集电极并联谐振电路的谐振峰值，即在同样振荡功率的情况下，谐振峰值可大幅度增加，极大地提高了接收的灵敏度，而且减少了通过天线向外辐射高频信号的能量，除了增加检波后的输出电压，同时也减少了振荡电路的工作电流，使整机耗电大为减少，在采用电池供电的场合，可以极大地延长电池的使用寿命。
文档编号H04B1/16GK2831618SQ20052013342
公开日2006年10月25日 申请日期2005年11月22日 优先权日2005年11月22日
发明者林周明 申请人:珠海市柔乐电器有限公司