专利名称：电视调谐器与其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电视调谐器的装置以及方法，且特别是涉及一种超高频/ 特高频电视调谐器的装置或方法。
背景技术：
随着通信技术及压缩技术进步，电视广播已从模拟电视广播逐渐地替换 成数字电视广播。数字广播的变革带动相关产业的迅速发展，数字电视及机
顶盒(Set-Top-Box, STB)就是其中一环，而调谐器(tuner)电路在数字电 视机及机顶盒或移动接收系统中皆占着举足轻重的地位。调谐器，俗称选台 器，其功能是先将接收的射频信号放大，然后选择想要的频道并滤除不要的 频道，以避免不要的频道在降频过程中干扰到想要的频道，之后再将此经过 过滤的射频信号降频到中频范围。
由于移动式数字电视的迅速发展，对于小体积的数字电视及机顶盒的要 求与日俱增，然而电视调谐器中所使用的空心线圏，不仅需要大的空间以及 印刷电路板面积，更需要人工插件，因此使得生产成本提高，其过大体积亦 使得数字电视的移动化变为困难。
因此，需要一种体积小、不需人工插件、能够降低生产成本，并且使数 字电视移动化成为可能的电视调谐器。
发明内容
因此本发明一方面就是在提供一种电视调谐器，使得此电视调谐器体积 减小，数字电视及机顶盒得以移动化。
根据本发明的一较佳实施例，此电视调谐器具有一超高频跟踪滤波器、 一超高频阻抗匹配电路以及一单一转换调谐器集成电路，其中，超高频跟踪 滤波器包括一第一低温共烧陶瓷电感、 一第一变容二极管以及一微调电容相 互电性连接；超高频阻抗匹配电路则包括一第二低温共烧陶瓷电感、 一第二 变容二极管以及一 电容相互电性连接。 超高频跟踪滤波器的微调电容以及第一低温共烧陶瓷电感用以决定超高
频跟踪滤波器的共振频率；超高频阻抗匹配电路内的第二低温共烧陶瓷电感
以及第二变容二极管用以决定超高频阻抗匹配电路的振荡频率；单一转换调
谐器集成电路所产生的调制电压用以调整超高频跟踪滤波器以及超高频阻抗 匹配电路内的第一、第二变容二极管的电容值。
根据本发明的另 一较佳实施例，此电视调谐器具有一特高频跟踪滤波器、 一特高频阻抗匹配电路以及一单一转换调谐器集成电路，其中，特高频跟踪 滤波器包括第 一低温共烧陶瓷电感、第 一变容二极管以及微调电容相互电性 连接；特高频阻抗匹配电路包括第二低温共烧陶瓷电感、第二变容二极管以
及电容相互电性连接。
特高频跟踪滤波器的微调电容以及第 一 低温共烧陶瓷电感用以决定特高
频跟踪滤波器的共振频率；特高频阻抗匹配电路内的第二低温共烧陶瓷电感 以及第二变容二极管用以决定特高频阻抗匹配电路的振荡频率；单一转换调 谐器集成电路所产生的调制电压用以调整特高频跟踪滤波器以及特高频阻抗 匹配电路内的第一、第二变容二极管的电容值。
根据本发明的上述实施例所提供的电视调谐器，其中，跟踪滤波器、阻 抗匹配电路以及单一转换调谐器集成电路中，使用了低温共烧陶瓷感来替代 现有常用的空心线圈电感，因此可大量地减少数字电视或机顶盒的体积，使 得数字电视或机顶盒得以移动化。
为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附 图的详细il明如下
图1示出了依照本发明一较佳实施例的一种超高频/特高频电视调谐器 电路。
图2A示出了依照本发明一较佳实施例的一种超高频跟踪滤波器电路。 图2B示出了依照本发明一较佳实施例的一种超高频跟踪滤波器的频率响应。
图3A示出了依照本发明另 一较佳实施例的一种超高频阻抗匹配电路。 图3B示出了依照本发明另一较佳实施例的一种超高频阻抗匹配电路的 频率响应。图4A示出了依照本发明另一较佳实施例的一种特高频跟踪滤波器。 图4B示出了依照本发明另一较佳实施例的一种特高频跟踪滤波器的频 率响应。
图5A示出了依照本发明另 一较佳实施例的一种特高频阻抗匹配电路。 图5B示出了依照本发明另一较佳实施例的一种特高频阻抗匹配电路的 频率响应。
图6示出了依照本发明另一较佳实施例的一种单一转换调谐器集成电路。
附图符号说明
101:天线
103:前置^C大器
105:超高频跟踪滤波器
107: 二次放大器
109:超高频阻抗匹配电路
111:特高频跟踪滤波器
113: 二次放大器
115:特高频阻抗匹配电路
117:单一转换调谐器集成电路
201a:电容
203a:电容
205a:低温共烧陶资电感 207a: ^f氐温共烧陶覺电感 209a:第一低温共烧陶瓷电感 211a:电容 213a:第一变容二极管 215a:微调电容
201b'.超高频跟踪滤波器频率响应
203b:超高频跟踪滤波器频率响应(第一变容二极管213a、微调电容215a 电容值增加) 301a:电阻 303a:电容
305a:第二低温共烧陶瓷电感 307a:电容 309a:电容 311a:电容
313a:第二变容二极管
301b:超高频阻抗匹配电路频率响应
303b:超高频阻抗匹配电路频率响应(第二低温共烧陶瓷电感305a电感 值、第二变容二极管313a电容值增加) 401a:电容
403a:低温共烧陶瓷电感 405a:第一低温共烧陶瓷电感 407a:低温共烧陶瓷电感 411a:电容 413a:第一变容二极管 415a:微调电容
401b:特高频跟踪滤波器频率响应
403b:特高频跟踪滤波器频率响应(第一变容二极管413a、孩史调电容415a 电容值增加) 501a:电容
503a:第二低温共烧陶瓷电感 505a:低温共烧陶资电感 507a:电容 509a:第二变容二极管 501b:最大增益点
503b:最大增益点(第二低温共烧陶瓷电感503a电感值增加) 505b:特高频阻抗匹配电路频率响应
507b:特高频阻抗匹配电路频率响应(第二低温共烧陶瓷电感503a电感
值增加)
601:电容
603:电容
605:电容
607:电容
609电容
611第三低温共烧陶瓷电感(超高频)
613第三调制电容(超高频)
615第三变容二极管(超高频)
617第三微调电容(超高频)
619电阻
621第三电阻(超高频)
623电容
625电容
627第三低温共烧陶瓷电感(特高频)
629第三变容二极管(特高频)
631第三微调电容(特高频)
633第三调制电容淋高频)
635第三电阻(特高频)
637电阻
639.超高频调制电压产生端
640:特高频调制电压产生端
641特高频振荡器输入
643.特高频振荡器输出
645:超高频振荡器输入
647.超高频振荡器输出
649:反相超高频振荡器输出
651-反相超高频振荡器输入
653:电源端
具体实施例方式
本发明的电视调谐器内部电路使用低温共烧陶瓷电感以替代空心线围电 感，因此可大量地减少电视调谐器的体积，使得数字电视得以移动化。以下 将以图示及详细说明清楚说明本发明的精神，如熟悉此技术的人员在了解本 发明的较佳实施例后，当可由本发明所教示的技术，加以改变及修饰，其并
不脱离本发明的精神与范围。 实施例一
请参照图1，其示出了依照本发明一较佳实施例的超高频电视调谐器电
路方块图，是由天线101、前置放大器103、超高频跟踪滤波器105、 二次放 大器107、超高频阻抗匹配电路109以及一单一转换调谐器集成电路117相 互电性连接，其中超高频跟踪滤波器105、超高频阻抗匹配电路109以及转 换调谐器集成电路117内使用低温共烧陶瓷电感以取代空心线圏电感。
请参照图2A,其示出了依照本发明一较佳实施例的超高频跟踪滤波器 105的电路图。超高频跟踪滤波器105包括第一变容二极管213a、微调电容 215a以及第一低温共烧陶瓷电感209a。其中，第一变容二极管213a串联孩i 调电容215a，第一低温共烧陶瓷电感209a则并联于串联的第一变容二极管 213a以及微调电容215a。此外，更包含数个其它电容以及数个其它电感电性 连接于第一变容二极管213a以及第一低温共烧陶瓷电感209a。
如图2B所示，其示出了超高频跟踪滤波器105的频率响应，因微调电容 215a以及第一变容二极管213a的电容值与该超高频跟踪滤波器105最大增 益的频率有反比关系，所以可藉由调整微调电容215a以及第一变容二极管 213a的电容值来改变超高频跟踪滤波器105的振荡频率。当微调电容215a 或第一变容二极管213a的电容值增加，超高频跟踪滤波器105的频率响应会
若电容值减小，则高频跟踪滤波器105的最大增益的频率会随上升。
请参照图3A，其示出了依照本发明一较佳实施例的超高频阻抗匹配电路 109的电路图。超高频阻抗匹配电路109包括第二低温共烧陶资电感305a、 第二变容二极管313a以及电容307a。其中，第二变容二极管313a与电容307a 串联，第二低温共烧陶乾电感305a则并联于串联的该第二变容二极管313a 以及该电容307a。此外，超高频阻抗匹配电路109更包括数个电阻以及其它 电容，电性连接于第二低温共烧陶瓷电感305a、第二变容二极管313a以及 电容307a。
如图3B所示，其示出了超高频阻抗匹配电路109的频率响应，因第二低 温共烧陶瓷电感305a电感值以及第二变容二极管313a电容值与超高频阻抗 匹配电路109的最大增益的频率有反比关系，故可藉由调整第二低温共烧陶 瓷电感305a电感值以及第二变容二极管313a电容值以改变超高频阻抗匹配
电路109的振荡频率，当第二低温共烧陶资电感305a的电感值或第二变容二 极管313a的电容值增加，超高频阻抗匹配电路109的频率响应会随之由改变 前的频率响应301b(实线)降低至改变后的频率响应303b(虚线)，反之，则最 大增益的频率会随之降低或随之升高。 实施例二
请再次参照图1，其中亦绘示依照本发明另一较佳实施例的特高频电视 调谐器电路方块图，由天线IOI、前置放大器103、特高频跟踪滤波器lll、 二次放大器113、特高频阻抗匹配电路115以及转换调谐器集成电路117连 接而成。与超高频电视调谐器不同之处在于两个电路的工作频率不一样。其 中，特高频跟踪滤波器111、特高频阻抗匹配电路115以及单一转换调谐器 集成电路117内使用低温共烧陶瓷电感以取代空心线圈电感。
请参照图4A，其示出了特高频跟踪滤波器111的电路图。特高频跟踪滤 波器111与图2A的超高频跟踪滤波器105大致相同，不同之处只在于图4A 的特高频跟踪滤波器111省略了第一低温共烧陶瓷电感209a,且将图2A的 电容203a替换成为低温共烧陶瓷电感403a。
如图4B所示，其示出了特高频跟踪滤波器111的频率响应图，特高频跟 踪滤波器lll最大增益的频率的调制方式与本发明一较佳实施例图2A的超高 频跟踪滤波器105大致相同，两者仅在工作频率有所不同。因微调电容415a 以及第一变容二极管413a的电容值与该特高频跟踪滤波器111最大增益的频 率有反比关系，所以，可藉由调整微调电容415a以及第一变容二极管413a 的电容值来改变特高频跟踪滤波器111的振荡频率。当微调电容415a或第一 变容二极管413a的电容值增加，特高频跟踪滤波器111的频率响应会由改变 前的频率响应401b(实线)降低至改变后的频率响应403b(虚线)，反之，若电 容值减小，则特高频跟踪滤波器111的最大增益的频率会随之上升。
请参照图5A，其示出了特高频阻抗匹配电路115的电路。其中，特高频 阻抗匹配电路115内的第二变容二极管509a串联于电容507a，第二低温共 烧陶瓷电感503a则并联于串联的第二变容二极管509a以及电容507a。特高 频阻抗匹配电路115更包括数个电阻以及其它电容，电性连接于第二低温共 烧陶瓷电感503a、第二变容二极管509a以及电容507a。
如图5B所示，其示出了特高频阻抗匹配电路115的频率响应，因第二低 温共烧陶瓷电感503a的电感值与特高频阻抗匹配电3各115最大增益的频率呈
一正比关系，故可就藉由调整第二低温共烧陶瓷电感503a电感值以调整特高 频阻抗匹配电路115最大增益的频率，当503a的电感值增加，则特高频阻抗 匹配电路115的最大增益的频率亦由改变前的501b(实线505b)上升至改变后 的503b(虚线507b)，反之，当503a的电感值减小，则最大增益的频率亦下降。
请参照图6,其示出了依照本发明一较佳实施例的单一转换调谐器集成 电路117内的振荡频率产生电路，包括与超高频调制电压有关的的第三变 容二极管615、第三微调电容617、第三调制电容613、第三低温共烧陶乾电 感611以及第三电阻621,电性连接于超高频调制电压产生端639;与特高频 调制电压有关的的第三变容二极管629、第三微调电容631、第三调制电容 633、第三低温共烧陶瓷电感627以及一第三电阻635,电性连接于特高频调 制电压产生端640。
在与超高频调制电压有关的电路中，第三微调电容617并联于第三变容 二极管615,第三调制电容613的第一端连接于并联的第三变容二极管615 的第一端以及第三微调电容617的第一端，第三调制电容613的第二端则连 接于第三低温共烧陶瓷电感611的第一端，第三低温共烧陶瓷电感611的第 二端则连接于第三变容二极管615的第二端以及第三微调电容617的第二端。 第三电阻621的第一端连接于第三变容二极管615的第一端、第三微调电容 617的第一端以及第三调制电容613的第一端，第二端则连接于超高频调制 电压产生端639。
其中，第三调制电容613用以决定超高频调制电压的范围，使得超高频 调制电压产生端639落入0伏特至30伏特之间，第三微调电容617则用以小 幅调整超高频调制电压产生端639。此超高频调制电压用以调整超高频跟踪 滤波器105的第一变容二极管213a以及超高频阻抗匹配电路109的第二变容 二极管313a电容值，当超高频调制电压的电压值愈大，第一变容二极管213a 的电容值(以及第二变容二极管313a的电容值)越小。
在与特高频调制电压有关的电路中，第三低温共烧陶瓷电感627串联于 第三调制电容633，此串联的第三低温共烧627与第三调制电容633与第三 变容二极管629、第三微调电容331并联，第三电阻335的第一端连接于第 三变容二极管329、第三调制电容633以及第三微调电容631，第二端则连接 于特高频调制电压产生端640。
其中，第三调制电容633用以决定特高频调制电压的范围，使得特高频 调制电压产生端640的电压值落入0伏特至30伏特之间，第三微调电容631 则用以小幅调整特高频调制电压产生端640的电压值。此特高频调制电压用 以调整特高频跟踪滤波器111的第一变容二极管413a以及特高频阻抗匹配电 路115的第二变容二极管509a电容值，当特高频调制电压的电压值愈大，第 一变容二极管413a的电容值(或第二变容二极管509a电容值)越小，两者呈 一单调递减函数。
由上述本发明较佳实施例可知，在本发明的跟踪滤波器、阻抗匹配电路 以及单一转换调谐器集成电路中，使用低温共烧陶乾电感以代替空心线圈电 感，可以大量减少电视调谐器的体积，省去人工插件的程序，因此可以有效 地降低生产成本。
虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任 何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润 饰，因此本发明的保护范围当视所附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种电视调谐器，具有一超高频跟踪滤波器、一超高频阻抗匹配电路以及一单一转换调谐器集成电路，其特征在于该超高频跟踪滤波器包含至少一第一低温共烧陶瓷电感、一第一变容二极管以及一微调电容相互电性连接，用以决定该超高频跟踪滤波器的振荡频率；以及该超高频阻抗匹配电路包含至少一第二低温共烧陶瓷电感、一第二变容二极管以及一电容相互电性连接，用以决定该超高频阻抗匹配电路的振荡频率。
2. 如权利要求1所述的电视调谐器，更包含一前置放大器，电性连接于该超高频跟踪滤波器的输入端，用以放大输 入信号；以及一二次放大器，电性连接于该超高频跟踪滤波器与超高频阻抗匹配电路 之间，用以放大该超高频跟踪滤波器的输出信号。
3. 如权利要求1所述的电视调谐器，其中，该超高频跟踪滤波器内的该 第 一 变容二极管串联该微调电容，且该第 一低温共烧陶瓷电感并联该第 一 变 容二极管以及该微调电容。
4. 如权利要求1所述的电视调谐器，其中，该微调电容以及该第一变容 二极管的电容值与该超高频跟踪滤波器最大增益的频率为反比关系。
5. 如权利要求1所述的电视调谐器，其中，该超高频阻抗匹配电路内的 该第二变容二极管与该电容串联，该第二低温共烧陶瓷电感则并联于串联的 该第二变容二极管以及该电容。
6. 如权利要求1所述的电视调谐器，其中，该第二低温共烧陶瓷电感电 感值以及该第二变容二极管电容值与该超高频阻抗匹配电路最大增益的频率 有反比关系。
7. 如权利要求1所述的电视调谐器，其中，该单一转换调谐器集成电路 包含一振荡频率产生电路，具有 一第三变容二极管；一第三微调电容，并联于该第三变容二极管；一第三调制电容，第一端连接于该第三变容二极管第一端以及该第三微调电容第一端；一第三低温共烧陶t:电感，第 一端连接于该第三调制电容第二端， 该第三低温共烧陶资电感的第二端则连接于该第三变容二极管第二端以及该 第三微调电容第二端；以及一第三电阻，第一端连接于该第三变容二极管的第一端、该第三微 调电容的第 一端以及该第三调制电容的第 一端，第二端则连接于超高频调制 电压产生端。
8. 如权利要求7所述的电视调谐器，其中，该超高频调制电压与该第一 变容二极管以及该第二变容二极管的电容值有反比关系。
9. 一种电视调谐器，具有一特高频跟踪滤波器、 一特高频阻抗匹配电路 以及一单一转换调谐器集成电路，其特征在于该特高频跟踪滤波器包含至少一第一低温共烧陶瓷电感、 一第一变容二 极管以及一微调电容相互电性连接，用以决定该特高频跟踪滤波器的振荡频 率；以及该特高频阻抗匹配电路包含至少一第二低温共烧陶瓷电感、 一第二变容 二极管以及一电容相互电性连接，用以决定该特高频阻抗匹配电路的振荡频率。
10. 如权利要求9所述的电视调谐器，更包含一前置放大器，电性连接于该特高频跟踪滤波器输入端，用以放大输入 信号；以及一二次放大器，该二次放大器电性连接于该特高频跟踪滤波器与特高频 阻抗匹配电路之间，用以放大该特高频跟踪滤波器的输出信号。
11. 如权利要求9所述的电视调谐器，其中，该特高频跟踪滤波器内的该 第 一变容二极管、该微调电容以及该第 一低温共烧陶瓷电感间相互串联。
12. 如权利要求9所述的电视调谐器，其中，该微调电容以及该第一变容 二极管的电容值与该特高频跟踪滤波器的最大增益的频率有类反比关系。
13. 如权利要求9所述的电视调谐器，其中，该特高频阻抗匹配电路内的 该第二变容二极管串联于该电容，该第二低温共烧陶瓷电感则并联于串联的 该第二变容二极管以及该电容。
14. 如权利要求9所述的电视调谐器，其中，该第二低温共烧陶覺电感电 感值与该特高频阻抗匹配电路最大增益的频率有正比关系。
15. 如权利要求9所述的电视调谐器，其中，该单一转换调谐器集成电路 包含一振荡频率产生电路，具有 一第三变容二极管； 一第三微调电容； 一第三调制电容；一第三低温共烧陶瓷电感，串联于该第三调制电容，串联的该第三 调制电容与该第三低温共烧陶瓷电感则与该第三变容二极管以及该第三微调 电容并联；以及一第三电阻，第一端连接于该第三变容二极管、该第三微调电容以 及该第三调制电容，第二端则连接于特高频调制电压产生端。
16. 如权利要求15所述的电视调谐器，其中，该调制电压与该第一变容 二极管以及该第二变容二极管的电容值有反比关系。
17. —种电视调谐器的制造方法，该电视调谐器具有一超高频跟踪滤波 器、 一超高频阻抗匹配电路以及一单一转换调谐器集成电路，该制造方法的 特征在于使用低温共烧陶瓷电感作为该超高频跟踪滤波器以及该超高频阻抗匹配 电路中用以决定振荡频率的电感；调整该单一转换调谐器集成电路以决定出一调制电压，其中，该调制电 压用以决定该超高频跟踪滤波器以及该超高频阻抗匹配电路中第一变容二极 管以及第二变容二极管的电容值；以及调整该超高频跟踪滤波器中的微调电容以及该超高频阻抗匹配电路中的 第二低温共烧陶瓷电感以决定共振频率。
18. 如权利要求17所述的电视调谐器的制造方法，其中，该调制电压以 及该微调电容用以调制该超高频跟踪滤波器的最大增益频率，该调制电压与 最大增益的频率有正比关系，该微调电容的电容值与最大增益的频率有反比 关系。
19. 如权利要求17所述的电视调谐器的制造方法，其中，该调制电压以 及该第二低温共烧陶瓷电感用以调制该超高频阻抗匹配电路的最大增益频 率，该调制电压与最大增益的频率有正比关系，该第二低温共烧陶资电感电感值与最大增益的频率有反比关系。
20. —种电视调谐器的制造方法，该电视调谐器具有一特高频跟踪滤波 器、 一特高频阻抗匹配电路以及一单一转换调谐器集成电路，该制造方法的 特征在于使用低温共烧陶瓷电感作为该特高频跟踪滤波器以及该特高频阻抗匹配 电路中用以决定振荡频率的电感；调整该单一转换调谐器集成电路以决定出一调制电压，其中，该调制电 压用以决定该特高频跟踪滤波器以及该特高频阻抗匹配电路中第一变容二极 管以及第二变容二极管的电容值；以及调整该特高频跟踪滤波器中的微调电容以及该特高频阻抗匹配电路中的 第二低温共烧陶瓷电感以决定共振频率。
21. 如权利要求20所述的电视调谐器的制造方法，其中，该调制电压以 及该微调电容用以调制该特高频跟踪滤波器的最大增益频率，该调制电压与 最大增益的频率有正比关系，该微调电容的电容值与最大增益的频率有反比 关系。
22. 如权利要求20所述的电视调谐器的制造方法，其中，该第二低温共 烧陶瓷电感用以调制该特高频阻抗匹配电路的最大增益频率，该第二低温共 烧陶瓷电感的电感值与最大增益的频率有正比关系。
全文摘要
一种电视调谐器，包括超高频/特高频跟踪滤波器、超高频/特高频阻抗匹配电路以及转换调谐器集成电路。超高频/特高频跟踪滤波器包括第一低温共烧陶瓷电感、第一变容二极管以及微调电容相互电性连接，以决定此超高频/特高频跟踪滤波器的振荡频率；超高频/特高频阻抗匹配电路则包括第二低温共烧陶瓷电感、第二变容二极管以及电容相互电性连接，用以决定超高频/特高频阻抗匹配电路的振荡频率。
文档编号H04N5/50GK101179677SQ20061014339
公开日2008年5月14日 申请日期2006年11月8日 优先权日2006年11月8日
发明者何文博 申请人:奇景光电股份有限公司