专利名称：Crt显像管的消磁方法
技术领域：
本发明涉及一种CRT显像管的消磁方法，尤其涉及一种CRT电视机 或电脑显示器用CRT显像管的消磁方法。本发明还涉及一种能实现上述方 法的CRT显像管的消磁装置。
背景技术：
目前，CRT显示器虽然己经受到LCD显示器的严峻挑战。但是，CRT 显示器仍然具备技术成熟，价格低廉，可视角度大，响应时间短，色泽逼 真等LCD显示器不可替代的优点，受到一些用户的青睐。如图1所示，为 显像管的结构示意图，CRT显像管包括阴罩板1、防爆圈6、消磁线圈3、 荧光屏4、显像管锥体5、防爆圈6、屏蔽罩7。其中阴罩板l、防爆圈6、 屏蔽罩7等为铁磁性部件，在每次工作后，会产生一些剩磁，其结果会导 致CRT显像管的色纯和会聚误差。为了消除这种影响，必须经常对CRT 显像管进行消磁。消磁的基本原理是利用一个相当强的、但逐步衰减的交 变磁场，来使已磁化的磁性物体退磁。这种逐步衰减的交变磁场可以用一 逐渐减小的交流电流流过一个线圈来得到。CRT显像管环绕显象管四周有 一消磁线圈2，如图3所示，为现有技术CRT显示器的消磁线圈的安装结 构示意图， 一矩形消磁线圈套装在CRT显象管外围，显示器在连接电源开 关后，消磁电路产生的逐渐衰减的交变电流流过消磁线圈2，产生一个较大
范围的消磁磁场，使CRT显像管中的铁磁性部件业已存在的剩磁退磁，以
保证显示器不会因该剩磁导致影像及色彩失真。如图1所示，为现有的CRT 显象管的传统消磁方法，即采用一个消磁线圈3，用以产生大范围的高强度 消磁磁场，此消磁磁场必须能够达到使磁化最严重的部件(如阴罩板1、防 爆圈6等)能够退磁的足够强度，产生此种大范围、高强度的消磁磁场必 须通过大尺寸和高安匝数的消磁线圈才能实现，但CRT显像管中的铁磁性 部件一部分由较高娇顽力材料制成(如阴罩板l、防爆圈6等)，另一部分 则由较低娇顽力材料制成(如屏蔽罩7等)，该部分低娇顽力材料部件并不 需要高强度的消磁磁场进行消磁，这就造成了材料资源的浪费和产品成本 的增加。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种消磁效率高的CRT显像管的消磁 方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用一种CRT显像管的消磁方法，所 述CRT显像管包括有不同娇顽力的铁磁性部件，所述消磁方法采用消磁装 置产生逐步衰减的交变磁场，其特征在于，所述消磁装置对应于高娇顽力 铁磁性部件采用强消磁磁场，对应于低娇顽力铁磁性部件采用弱消磁磁场。 在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述消磁装置为消磁线圈。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述消磁线圈包括主消磁 线圈和副消磁线圈，主消磁线圈的消磁安匝数大于副消磁线圈的消磁安匝 数。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述主消磁线圈产生的 渐衰交变磁场用于阴罩板、防爆圈高娇顽力铁磁性部件的消磁，所述副消 磁线圈产生的渐衰交变磁场用于磁屏蔽罩低娇顽力铁磁性部件的消磁。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述的主消磁线圈为一对 或一对以上，对称地安装在CRT显像管锥体同荧光屏结合部分。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述主消磁线圈为矩形。 在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述的副消磁线圈为一对 或一对以上，对称地安装于CRT显像管锥体部分。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述副消磁线圈为矩形。 在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述两个主消磁线圈的对 称面与所述副消磁线圈的对称面重合。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述副消磁线圈靠近荧光 屏一侧的边与所述主消磁线圈靠近荧光屏一侧的边重合。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述副消磁线圈靠近荧光 屏一侧的边与所述主消磁线圈靠近CRT显像管锥体一侧的边重合。
在本发明所述的CRT显像管的消磁方法中，所述两个主消磁线圈的对 称面与所述副消磁线圈的对称面形成夹角。
本发明采用消磁线圈产生渐衰交变磁场对CRT显像管进行消磁，并由 主消磁线圈产生较强渐衰交变磁场对阴罩板和防爆圈等较高娇顽力的铁磁
性部件进行消磁，由副消磁线圈产生较弱渐衰交变磁场对屏蔽罩等较低娇
顽力的铁磁性部件进行消磁，从而优化了CRT显像管的消磁磁场分布，提
高了消磁效率，减少了制作消磁线圈所需的耗材，降低了成本。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。
图1是CRT显像管的结构示意图2是现有技术CRT显像管的消磁磁场示意图3是现有技术CRT显像管的消磁线圈的安装结构示意图4是本发明的CRT显像管消磁方法的第一种实施方式；
图5是图4所示消磁线圈的俯视图6是本发明的CRT显像管消磁方法的第二种实施方式； 图7是图6所示消磁线圈的俯视图8是本发明的CRT显像管消磁方法的第一、第二种实施方式的CRT 显像管组件的后视图9是本发明的CRT显像管消磁方法的第一、第二种实施方式的CRT 显像管组件的俯视图。
图10是本发明的CRT显像管消磁方法的第三种实施方式的CRT显像 管组件的后视图11是本发明的CRT显像管消磁方法的第四种实施方式的CRT显像 管组件的后视图。
具体实施例方式
本发明的CRT显像管的消磁方法，采用消磁装置产生逐步衰减的交变 磁场，CRT显像管构成中包括容易受剩磁影响的阴罩板1、防爆圈6、屏蔽 罩7等。其中消磁装置在所述阴罩板1、防爆圈6处产生的渐衰交变磁场的 磁场强度大于在所述屏蔽罩7处产生的渐衰交变磁场的磁场强度。
为了使得在所述阴罩板1和防爆圈6处产生的渐衰交变磁场的磁场强 度大于在所述屏蔽罩7处产生的渐衰交变磁场的磁场强度。可以采用主消 磁线圈301和副消磁线圈302，主消磁线圈301的消磁安匝数小于所述副消 磁线圈302的消磁安匝数。所述主消磁线圈301产生的渐衰交变磁场覆盖 阴罩板1和防爆圈6，所述副消磁线圈302产生的渐衰交变磁场覆盖所述屏 蔽罩7。
图4是本发明的CRT显像管消磁方法的第一种实施方式，图5是图4 所示消磁线圈的俯视图。在本实施例中，主消磁线圈301为两个，两个主 消磁线圈301为扁长形，对称地安装在CRT显像管锥体5同荧光屏4结合 部。副消磁线圈302为两个，两个副消磁线圈302沿所述显像管的锥形面 环绕，所述两个副消磁线圈302对称地安装在CRT显像管锥体5上。这样 主消磁线圈301产生的消磁磁场覆盖阴罩板1和防爆圈6周围，副消磁线 圈302产生的消磁磁场覆盖屏蔽罩7周围。副消磁线圈302的线圈圈数小 于主消磁线圈301的线圈圈数，流过相同的消磁电流，副消磁线圈302产 生的消磁安匝数小于主消磁线圈301产生的消磁安匝数。
在本实施例中，两个主消磁线圈301的对称面与所述副消磁线圈302
的对称面重合。副消磁线圈302靠近荧光屏4 一侧的边与所述主消磁线圈
301靠近CRT显像管锥体5 —侧的边重合。
图6是本发明的CRT显像管消磁方法的第二种实施方式，图7是图6 所示消磁线圈的俯视图。在本实施例中，主消磁线圈301为两个，两个主 消磁线圈301为扁长形，对称地安装在CRT显像管锥体5同荧光屏4结合 部。副消磁线圈302为两个，两个副消磁线圈302沿所述显像管的锥形面 环绕，对称地安装在CRT显像管锥体5上。这样主消磁线圈301产生的消 磁磁场覆盖阴罩板1和防爆圈6周围，副消磁线圈302产生的消磁磁场覆 盖屏蔽罩7周围。副消磁线圈302的线圈圈数小于主消磁线圈301的线圈 圈数，流过相同的消磁电流，副消磁线圈302产生的消磁磁场强度小于主 消磁线圈301产生的消磁磁场强度。
在本实施例中，两个主消磁线圈301的对称面与所述副消磁线圈302 的对称面重合。副消磁线圈302靠近荧光屏4 一侧的边与所述主消磁线圈 301靠近荧光屏4 一侧的边重合。
图8是本发明的CRT显像管消磁方法的第一、第二种实施方式的CRT 显像管组件的后视图，图9是本发明的CRT显像管消磁方法的第一、第二 种实施方式的CRT显像管组件的俯视图。主消磁线圈301为矩形，对称地 安装在CRT显像管锥体5同荧光屏4结合部，副消磁线圈302沿所述显像 管的锥形面环绕。主消磁线圈301还可以为其他的形状。可以将主消磁线 圈301产生的交变磁场的磁场方向设置为同CRT显示器的主轴线垂直，采 用这种方式效果较好。
本发明的CRT显示器还可以有其他的实施方式，例如一对主消磁线圈 301的对称面与所述副消磁线圈302的对称面可以形成一定的夹角。例如可 以将主消磁线圈301上下设置在CRT显像管锥体5同荧光屏4结合部，而 副消磁线圈302左右设置在CRT显像管锥体5上，如图10所示。还可以 反过来，将主消磁线圈301左右设置在CRT显像管锥体5同荧光屏4结合 部，而副消磁线圈302上下设置在CRT显像管锥体5上。另外副消磁线圈 302也可以斜着设置，只要保持每对副消磁线圈302沿CRT显像管主轴线 方向对称即可，如图11所示。
权利要求
1、一种CRT显像管的消磁方法，所述CRT显像管包括有不同娇顽力的铁磁性部件，所述消磁方法采用消磁装置产生逐步衰减的交变磁场，其特征在于，所述消磁装置对应于高娇顽力铁磁性部件采用强消磁磁场，对应于低娇顽力铁磁性部件采用弱消磁磁场。
2、 根据权利要求1所述的CRT显像管的消磁方法，所述消磁装置为 消磁线圈。
3、 根据权利要求2所述的CRT显像管的消磁方法，所述消磁线圈包 括主消磁线圈和副消磁线圈，所述主消磁线圈的消磁安匝数大于副消磁线 圈的消磁安匝数。
4、 根据权利要求3所述的CRT显像管的消磁方法，所述主消磁线圈 产生的渐衰交变磁场用于阴罩板、防爆圈高娇顽力铁磁性部件的消磁，所 述副消磁线圈产生的渐衰交变磁场用于磁屏蔽罩低娇顽力铁磁性部件的消 磁。
5、 根据权利要求3或4中任何一项所述的CRT显像管的消磁方法， 其特征在于，所述的主消磁线圈为一对或一对以上，对称地安装在CRT显 像管锥体同荧光屏结合部分。
6、 根据权利要求3或4中任何一项所述的CRT显像管的消磁方法， 其特征在于，所述的副消磁线圈为一对或一对以上，对称地安装于CRT显 像管锥体部分。
7、 根据权利要求6所述的CRT显像管的消磁方法，其特征在于，所述两个主消磁线圈的对称面与所述副消磁线圈的对称面重合。
8、 根据权利要求7所述的CRT显像管的消磁方法，其特征在于，所述副消磁线圈靠近荧光屏一侧的边与所述主消磁线圈靠近荧光屏一侧的边 重合。
9、 根据权利要求7所述的CRT显像管的消磁方法，其特征在于，所 述副消磁线圈靠近荧光屏一侧的边与所述主消磁线圈靠近CRT显像管锥体 一侧的边重合。
10、 根据权利要求6所述的CRT显像管的消磁方法，其特征在于，所 述两个主消磁线圈的对称面与所述副消磁线圈的对称面形成夹角。
全文摘要
本发明公开了一种CRT显像管的消磁方法，该消磁方法采用消磁线圈产生渐衰交变磁场对CRT显像管进行消磁，并由主消磁线圈产生较强渐衰交变磁场对阴罩板和防爆圈等较高娇顽力的铁磁性部件进行消磁，由副消磁线圈产生较弱渐衰交变磁场对屏蔽罩等较低娇顽力的铁磁性部件进行消磁，从而优化了CRT显像管的消磁磁场分布，提高了消磁效率，减少了制作消磁线圈所需的耗材，降低了成本。
文档编号H04N9/16GK101193315SQ20061015710
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月24日 优先权日2006年11月24日
发明者曹嘉灿 申请人:曹嘉灿