专利名称：一种接收信号强度检测电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种接收信号强度检测电路(Receive Signal Strength Indicator，简称 RSSI)。
背景技术：
在无线收发机结构中，接收信号强度检测电路的作用在于检测链路中信号的强 度，将检测结果输出到模拟/数字转换器(A/D)、基带处理电路，进而产生控制信号，调整链 路中相关模块(如低噪声放大器、功率放大器、PGA等)的工作状态，确保系统能够正常的 工作。接收信号强度检测电路的主要指标包括监测信号的动态范围、对链路的影响、线 性、稳定性。监测信号动态范围应该尽可能的大，覆盖链路中信号的整个变化范围。对链路 影响应该小，不影响链路的正常工作。具有优良的线性，避免产生检测误差。具有好的稳定 性，避免电路工作状态受外界环境的影响，如温度。一般的接收信号强度检测电路可以根据信号检测模式分类，包括峰值检测、RMS检 测和功率检测。峰值检测是指对接收信号的峰值进行检测。RMS检测是指对信号的均方根 值进行检测。功率检测是指对信号的功率(即cffim值)进行检测。基于对数放大器的接收信号强度检测电路是针对信号的功率检测，主要是根据 dBm值计算公式
权利要求1. 一种接收信号强度检测电路，其特征在于所述接收信号强度检测电路包括非平衡 源级交叉耦合对电路、局部正反馈负载电路和输出端钳位电路所述非平衡源级交叉耦合对电路包括第一 PMOS晶体管(Ml)、第二 PMOS晶体管(M2)、 第三PMOS晶体管(M3)、第四PMOS晶体管(M4)、第五PMOS晶体管(M5)、第六PMOS晶体管 (M6)、第七PMOS晶体管(M7)；所述局部正反馈负载电路包括第八NMOS晶体管(M8)、第九NMOS晶体管(M9)、第十 NMOS晶体管(MlO)、第i^一NMOS晶体管(Mil)、第十二NMOS晶体管(M12)、第十三NMOS晶体 管(M13)、第十四NMOS晶体管(M14)、第十五NMOS晶体管(M15)、第十六NMOS晶体管(M16)、 第十七NMOS晶体管(M17)、第十八NMOS晶体管(M18)、第十九NMOS晶体管(M19)、第二十 PMOS晶体管(M20)、第二i^一 PMOS晶体管(M21)、第二十二 NMOS晶体管(M22)、第二十三 NMOS 晶体管(M23)；所述输出端钳位电路包括负载电阻(Rl)、第二十四PMOS晶体管(MM)、运算放大器 (OP)和实现对非平衡源级交叉耦合对电路以及局部正反馈负载电路的复制的输出偏置电 位提供电路R印Ii ca;在非平衡源级交叉耦合对电路中，第一 PMOS晶体管(Ml)和第二 PMOS晶体管(M2)的 栅极接射频输入信号的正级，第三PMOS晶体管(M3)和第四PMOS晶体管(M4)的栅极接射 频输入信号的负级；第一 PMOS晶体管(Ml)和第二 PMOS晶体管(IC)的源级接第五PMOS晶 体管(M5)的漏极，第三PMOS晶体管(M3)和第四PMOS晶体管(M4)的源级接第六PMOS晶 体管(M6)的漏极 ’第五PMOS晶体管(M5)、第六PMOS晶体管(M6)、第七PMOS晶体管(M7) 组成电流镜结构，构成提供偏置电流的偏置电路；在局部正反馈负载电路中，第八NMOS晶体管(M8)和第九NMOS晶体管(M9)的栅极接第 九NMOS晶体管(M9)的漏极，第八NMOS晶体管(M8)的漏极接第二i^一 NMOS晶体管(M21) 的漏极，第九NMOS晶体管(M9)和第十NMOS晶体管(MlO)的漏极接第一 PMOS晶体管(Ml) 的漏极，第十NMOS晶体管(MlO)的栅极接第十二NMOS晶体管(MU)的漏极，第十一NMOS晶 体管(Mil)的栅极接第十NMOS晶体管(MlO)的漏极，第十二 NMOS晶体管(MU)和第十三 NMOS晶体管(M13)的栅极都接第十二 NMOS晶体管(M12)漏极，第十三NMOS晶体管(M13)的 漏极接第二十一 NMOS晶体管(M21)的漏极，第十二 NMOS晶体管(M12)的漏极接第三PMOS 晶体管(M3)的漏极；第十四NMOS晶体管(M14)和第十五NMOS晶体管(M15)的栅极接第十五NMOS晶体管 (M15)漏极，第十四NMOS晶体管(M14)的漏极接第二十NMOS晶体管(M20)的漏极，第十五 NMOS晶体管(MK)和第十六NMOS晶体管(M16)的漏极接第二 PMOS晶体管(IC)的漏极， 第十六NMOS晶体管(M16)的栅极接第十八NMOS晶体管(M18)的漏极，第十七NMOS晶体管 (M17)的栅极接第十五NMOS晶体管(MK)的漏极，第十八NMOS晶体管(M18)和第十九NMOS 晶体管(M19)的栅极都接第十八NMOS晶体管(M18)漏极，第十九NMOS晶体管(M19)的漏 极接第二十NMOS晶体管(M20)的漏极，第十八NMOS晶体管(M12)的漏极接第四PMOS晶体 管(M4)的漏极；第八NMOS晶体管(M8)、第九NMOS晶体管(M9)、第十NMOS晶体管(MlO)、第i^一 NMOS 晶体管(Mil)、第十二 NMOS晶体管(M12)、第十三NMOS晶体管(M13)、第十四NMOS晶体管 (M14)、第十五匪OS晶体管(M15)、第十六匪OS晶体管(M16)第十七匪OS晶体管(M17)和第十八NMOS晶体管(M18)的源极接地；第二十PMOS晶体管(M20)和第二i^一 PMOS晶体管(M21)的栅极都接到第二十PMOS 晶体管(M20)的漏极，第二十PMOS晶体管(M20)和第二i^一 PMOS晶体管(M21)的源极接 电源，第二十PMOS晶体管(M20)的漏极接第十四NMOS晶体管(M14)和第十九NMOS晶体 管(M19)的漏极，第二i^一 PMOS晶体管(M21)的漏极接到第八NMOS晶体管(M8)、第十三 NMOS晶体管(MU)和第二十二 NMOS晶体管(M22)的漏极、第二十二 NMOS晶体管(M22)和 第二十三NMOS晶体管(M23)的栅极都接到第二十二 NMOS晶体管(M22)的漏极，第二十二 NMOS晶体管(M2》和第二十三NMOS晶体管(M23)的源极都接地，第二十三NMOS晶体管 (M23)的漏极接负载电阻(Rl)和第二十四PMOS晶体管(M24)的漏极；在输出端钳位电路中，负载电阻(Rl) —端接电源，另一端接第二十三NMOS晶体管 (M23)和第二十四PMOS晶体管(MM)的漏极，第二十四PMOS晶体管(MM)的源极接电源， 第二十四PMOS晶体管(M24)的栅极接运算放大器(OP)的输出；运算放大器(OP)的正极接 输出偏置电位提供电路R印Iica的输出端，运算放大器(OP)的负极接参考电压。
2.根据权利要求1所述的接收信号强度检测电路，其特征在于所述运算放大器(OP) 包括第二十五PMOS晶体管(M25)、第二十六PMOS晶体管(IC6)、第二十七NMOS晶体管 (M27)、第二十八NMOS晶体管(M27)、第二十九NMOS晶体管(IC9)；第二十五PMOS晶体管 (M25)和第二十六PMOS晶体管(IC6)的源级接电源，第二十五PMOS晶体管(M2Q和第 二十六PMOS晶体管(IC6)的栅极接第二十五PMOS晶体管(M2Q的漏极，第二十五PMOS晶 体管(M25)的漏极接第二十七PMOS晶体管(M27)的漏极，第二十六PMOS晶体管(IC6)的 漏极和第二十八NMOS晶体管(IC8)的漏极接运算放大器(OP)的输出端，第二十七NMOS晶 体管(M27)和第二十八NMOS晶体管(IC8)的源极接第二十九NMOS晶体管(IC9)的漏极， 第二十九NMOS晶体管(M29)的栅极接偏置BIAS，第二十九NMOS晶体管(M29)的源极接地。
专利摘要本实用新型公开了一种接收信号强度检测电路，包括非平衡源级交叉耦合对、局部正反馈负载和输出端钳位电路三部分，在检测范围内，输入信号强度和输出直流电平之间呈线性关系；通过非平衡源级耦合对电路实现传统的对数放大器功能。并且采用局部正反馈负载和输出端钳位电路与非平衡源级耦合对电路级联，优化接收信号强度检测电路的性能。本实用新型提供的接收信号强度检测电路，相对于传统的基于对数放大器的接收信号强度检测电路，具有更宽的检测范围、更优良的线性度、更好的稳定性。
文档编号H04B17/00GK201854285SQ201020539629
公开日2011年6月1日 申请日期2010年9月20日 优先权日2010年9月20日
发明者吴建辉, 徐毅, 徐震, 竺磊, 陈超 申请人:东南大学