专利名称：红外同步发射电路及三维电视的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电视技术，尤其涉及一种红外同步发射电路及三维电视。
背景技术：
三维(3 Dimension, 3D)电视已经开始普及，但三维技术中还有一些技术没有得到 很好的解决。例如现有技术通过MCU(Micro Control Unit，微控制单元)的I/O 口和红 外发射器的控制端直接相连，当1/0 口送出发射信号时，控制端打开，信号通过红外发射器 发射出去。在MCU程序出错的情况下，1/0 口状态不确定，可能导致红外发射器一直工作在 峰值功率的状态，从而导致红外发射器烧坏。综上可知，现有三维电视中的红外同步发射电路在实际使用上显然存在不便与缺 陷，所以有必要加以改进。
实用新型内容针对上述的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种红外同步发射电路及三维电 视，其增加一保护电路，能在红外同步信号输入端持续为高电平时，保护红外发射管不被烧 坏，提高了产品的可靠性。为了实现上述目的，本实用新型提供一种红外同步发射电路，其包括，红外发射器，其一端通过两个并联的第一、第二限流电阻与直流电源连接；MOS管，其具有源极S、栅极G和漏极D，其漏极D与所述红外发射器的另一端连接， 其栅极G通过限压电阻与红外同步信号输入端连接，其源极S接地，且所述MOS管的栅极S 通过第一电容接地，所述红外同步发射电路还包括低通滤波器，其输入端与所述红外同步信号输入端连接；三极管，其具有基极B、发射极E和集电极C，其基极B与所述低通滤波器的输出端 连接，其集电极C连接到所述MOS管的栅极S与所述第一电容的连接点上，其发射极E接地。根据本实用新型的红外同步发射电路，所述红外同步发射电路为三维电视的红外 同步发射电路。根据本实用新型的红外同步发射电路，所述三维电视包括微控制单元，所述微控 制单元的1/0 口与所述红外同步信号输入端连接。根据本实用新型的红外同步发射电路，所述低通滤波器包括第三电阻以及第二电容。本实用新型还提供一种三维电视，包括红外同步发射电路，所述红外同步发射电 路包括，红外发射器，其一端通过两个并联的第一、第二限流电阻与直流电源连接；MOS管，其具有源极S、栅极G和漏极D，其漏极D与所述红外发射器的另一端连接， 其栅极G通过限压电阻与红外同步信号输入端连接，其源极S接地，且所述MOS管的栅极S 通过第一电容接地，所述红外同步发射电路还包括[0016]低通滤波器，其输入端与所述红外同步信号输入端连接；三极管，其具有基极B、发射极E和集电极C，其基极B与所述低通滤波器的输出端 连接，其集电极C连接到所述MOS管的栅极S与所述第一电容的连接点上，其发射极E接地。根据本实用新型的三维电视，所述三维电视包括微控制单元，所述微控制单元的 I/O 口与所述红外同步信号输入端连接。根据本实用新型的三维电视，所述低通滤波器包括第三电阻以及第二电容。本实用新型通过红外同步发射电路增加一由低通滤波器和三极管组成的保护电 路，当红外同步信号输入端持续高电平时，低通滤波器将三极管的基极被拉低，而MOS管的 栅极也被拉低，则红外发射管无电流通过而不工作，使得红外发射管不会因为持续工作而 烧坏。借此，本实用新型能在红外同步信号输入端持续为高电平时，保护红外发射管不被烧 坏，提高了产品的可靠性。
图1是本实用新型红外同步发射电路一实施例提供的电路结构。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施 例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释 本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图1所示，本实用新型一种红外同步发射电路，其主要应用于三维电视，三维电 视的微控制单元的I/O 口与红外同步发射电路的信号输入端IR-OUT连接。红外同步发射 电路包括红外发射器IR_Emit、M0S管V31以及保护电路。红外发射器IR-Emit —端通过两个并联的限流电阻R31、R32与5V直流电源连接， 限流电阻R31、R32优选为IOK欧姆。MOS管V31包括源极S、栅极G和漏极D，其漏极D与红外发射器IR-Emit的另一 端连接；其栅极G通过限压电阻R35与红外同步信号输入端IR-OUT连接；其源极S接地。 MOS管V31的栅极S通过滤波电容C4接地。限压电阻R35优选为IOK欧姆，电容C4优选为 0.OluF0保护电路包括低通滤波器以及与该低通滤波器输出端连接的三极管V3。低通滤波 器由第三电阻R36以及电容C5组成，且低通滤波器的输入端与红外同步信号输入端IR-OUT 连接，即第三电阻R36与红外同步信号输入端IR-OUT连接，电容C5接地。三极管V3包括 基极B、发射极E和集电极C，其基极B与低通滤波器的输出端连接，其集电极C连接到MOS 管V31的栅极S与滤波电容C4的连接点上，其发射极E接地。第三电阻R36优选为47K欧 姆，电容C5优选为0. 22uF。图1所示的电路的工作原理如下当三维电视的微控制单元的I/O 口一直处于高 电平时，电阻R36和电容C5组成的低通滤波器将三极管V3的基极拉低，从而MOS管31的 栅极S也被拉低，MOS管无漏极电流，红外发射器IR-Emit不工作，也就避免了红外发射器 IR-Emit在微控制单元的I/O 口一直处于高电平时被烧坏的情况。当三维电视的微控制单元的I/O 口输出红外同步信号时，由于红外同步信号为一个方波，其不能通过保护电路，只能通过限压电阻R35到达MOS管V31，然后到达红外发射器 IR-Emit，从而红外发射器IR-Emit工作。综上所述，本实用新型通过红外同步发射电路增加一由低通滤波器和三极管组成 的保护电路，当红外同步信号输入端持续高电平时，低通滤波器将三极管的基极被拉低，而 MOS管的栅极也被拉低，则红外发射管无电流通过而不工作，使得红外发射管不会因为持续 工作而烧坏。借此，本实用新型能在红外同步信号输入端持续为高电平时，保护红外发射管 不被烧坏，提高了产品的可靠件。当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的 情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些 相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
权利要求1.一种红外同步发射电路，其包括，红外发射器，其一端通过两个并联的第一、第二限流电阻与直流电源连接；MOS管，其具有源极S、栅极G和漏极D，其漏极D与所述红外发射器的另一端连接，其栅 极G通过限压电阻与红外同步信号输入端连接，其源极S接地，且所述MOS管的栅极S通过 第一电容接地，其特征在于，所述红外同步发射电路还包括低通滤波器，其输入端与所述红外同步信号输入端连接；三极管，其具有基极B、发射极E和集电极C，其基极B与所述低通滤波器的输出端连 接，其集电极C连接到所述MOS管的栅极S与所述第一电容的连接点上，其发射极E接地。
2.根据权利要求1所述的红外同步发射电路，其特征在于，所述红外同步发射电路为 三维电视的红外同步发射电路。
3.根据权利要求2所述的红外同步发射电路，其特征在于，所述三维电视包括微控制 单元，所述微控制单元的I/O 口与所述红外同步信号输入端连接。
4.根据权利要求1所述的红外同步发射电路，其特征在于，所述低通滤波器包括第三 电阻以及第二电容。
5.一种三维电视，包括红外同步发射电路，所述红外同步发射电路包括，红外发射器，其一端通过两个并联的第一、第二限流电阻与直流电源连接；MOS管，其具有源极S、栅极G和漏极D，其漏极D与所述红外发射器的另一端连接，其栅 极G通过限压电阻与红外同步信号输入端连接，其源极S接地，且所述MOS管的栅极S通过 第一电容接地，其特征在于，所述红外同步发射电路还包括低通滤波器，其输入端与所述红外同步信号输入端连接；三极管，其具有基极B、发射极E和集电极C，其基极B与所述低通滤波器的输出端连 接，其集电极C连接到所述MOS管的栅极S与所述第一电容的连接点上，其发射极E接地。
6.根据权利要求5所述的三维电视，其特征在于，所述三维电视包括微控制单元，所述 微控制单元的I/O 口与所述红外同步信号输入端连接。
7.根据权利要求5所述的三维电视，其特征在于，所述低通滤波器包括第三电阻以及 第二电容。
专利摘要本实用新型公开了一种红外同步发射电路及三维电视，所述红外同步发射电路包括红外发射器，其一端通过两个并联的限流电阻与直流电源连接；MOS管，其具有源极、栅极和漏极，其漏极与红外发射器的另一端连接，其栅极通过限压电阻与红外同步信号输入端连接，其源极接地，且MOS管的栅极通过滤波电容接地，红外同步发射电路还包括低通滤波器以及三极管，低通滤波器的输入端与红外同步信号输入端连接，三极管的基极与低通滤波器的输出端连接，三极管的集电极连接到MOS管的栅极与滤波电容的连接点上，三极管的发射极接地。借此，本实用新型能在三维电视的红外同步信号输入端持续为高电平时，保护红外发射管不被烧坏，从而提高了产品的可靠性。
文档编号H04N5/44GK201869293SQ201020598258
公开日2011年6月15日 申请日期2010年11月9日 优先权日2010年11月9日
发明者何广举, 谭煌 申请人:康佳集团股份有限公司