Mems话筒和用于制造mems话筒的方法

专利名称：Mems话筒和用于制造mems话筒的方法
技术领域：
本发明涉及一种话筒，其中转换器元件被包围在载体与盖板之间。该转换器元件可以将通过声进入开口进入的声信号转变成电信号。
背景技术：
从US 2009/0001553A1已知将MEMS器件(=微机械电 子系统)施加在载体上并且用罩或其它盖板覆盖的不同可能性。构造为传感器的MEMS器件、例如话筒或者压力传感器在载体中或者在盖板中需要开口，其中该MEMS器件为了器件的功能需要被覆盖的内部空间向外的流体连接(例如对于气体或者液体来说)。广为流传的是具有位于下方的、也就是设置在载体中的声开口的话筒。MEMS芯片在此可以从内部封闭该声开口并且因此整个壳体体积用作为声学的参考体积或背部体积(Riickvo lumen) ο载体衬底上的MEMS芯片的电接触可以在话筒的底侧处进行，即在MEMS芯片的朝向载体衬底的侧处进行。外部的焊接端子于是一般借助于载体衬底中的通孔接触部引到该载体衬底的底侧。如果在话筒的底侧处也布置有声进入开口，则可以简单和有效地执行话筒的功能测试，因为可以从同一侧产生到测试装置的电电接触和声接触，这在根据共同的使用制造多个话筒时是特别有利的。但是经常对MEMS话筒的声学效果提出要求，这些要求需要另一位置处的声进入开口。尤其是对于在不寻常的位置处具有声进入开口的MEMS话筒存在这样的问题，即功能测试现在明显更复杂。到测试装置的电接触和声接触在这里必须从两个不同侧建立。可替换地也可以在功能测试中需要话筒的单个处理。

发明内容
本发明的任务因此是，说明一种MEMS话筒，该MEMS话筒可以具有任意位置处的声进入开口并且在此可以简单地测试。该任务通过具有权利要求I的特征的话筒解决。有利的构型以及用于制造话筒的方法从其它权利要求获悉。提出一种话筒，该话筒具有载体、盖板、安装在载体上的被包围在载体与盖板之间的转换器元件、第一声进入开口以及盖板中的第二声进入开口，其中所述第一声进入开口被在载体中预备，但是被封闭。所述转换器元件例如构造为话筒芯片、尤其是MEMS话筒芯片。在载体中构造的第一声进入开口在制造期间用于对话筒的测试。由此可以实现简单的和自动化的测试方法，其中优选可以从话筒的底侧进行电和声接触。之后，第一声进入开口被封闭并且在任意的位置构造第二声进入开口。因此，本发明的话筒能够实现简单和自动化的测试并且同时提供在任意位置处布置第二声进入开口的可能性，使得达到较大的设计自由度。
在一个实施中，第一声进入开口被用含塑料的物质封闭。所述物质可以是聚合物，该聚合物优选通过喷墨印刷方法被施加。在喷墨印刷方法的情况下，通过喷嘴位置精确地和无接触地施加流体的或者粘稠的材料。该方法使得能够将含塑料的材料的小滴有针对性地“喷”到第一声进入开口上并且因此封闭该第一声进入开口。可替换地，第一声进入开口还可以通过选择性的施加(分发)来封闭。在此情况下，热塑性塑料和反应树脂物质、必要时以与如填料的其它材料相混合的形式是合适的。如果在第一声进入开口的区域中设置合适的可焊接的金属化部，例如孔壁外罩或 者围绕该声进入开口的环，则也可以通过施加和熔化焊膏或者通过喷墨印刷熔融的焊剂来进行封闭。第一声进入开口因此也可以通过可焊接材料、诸如焊膏或者熔融焊剂来封闭。另外还可能的是，用塞子或者标签形式的模制件来封闭第一声进入开口。在一个实施中，在转换器元件的朝向载体的侧上设置用于电接触转换器元件的装置。为此，载体可以在其朝向转换器元件的侧上具有用于与该转换器元件连接的连接面，并且在其背向转换器元件的侧上具有用于与外部的电路环境连接的接触垫。另外，转换器元件的连接面和载体的接触垫可以经由通孔接触部穿过载体和/或转换器元件电连接。转换器元件可以以倒装芯片技术安装在载体上并且经由凸块与载体的连接面接触。但是还可能的是，按传统用芯片粘合剂固定转换器元件并且制造与接合线的电连接。盖板于是可以例如由罩或盖子构成。在一个实施中，话筒具有至少一个另外的器件，其中该另外的器件同样被盖板覆盖。所述另外的器件可以是另外的芯片，尤其是ASIC芯片。可替换地，所述转换器元件和ASIC芯片可以组合成在唯一的芯片上的共同的器件。在一个实施中，在转换器元件中和在另外的器件中分别构造一个空腔。这两个空腔可以经由通道或者通过其它方式彼此连接。转换器元件中的空腔优选是转换器元件的背部体积。通过将该背部体积与在ASIC芯片中构造的另外的空腔相连接，转换器元件的背部体积被扩大并且话筒的灵敏性因此被改善。在一个实施中，转换器元件和另外的器件由两个晶片构成，所述晶片分别在其平面侧具有凹槽并且它们的平面侧被组合在一起使得这些凹槽在晶片被组合在一起的情况下共同构成一个空腔。两个晶片之一可以在此作为压制玻璃晶片或者喷铸晶片以热印方法或喷铸方法来制造。两个晶片的凹槽可以精确地彼此匹配。两个晶片的组合允许减少用于引入腔体的处理时间并且还使壁厚最小化。在一个实施中，话筒的盖板包括盖板箔和至少一个金属化层。在用于制造话筒的方法中，在载体上安装转换器元件。接着，盖板被布置在转换器元件和载体上，使得转换器元件被包围在盖板和载体之间。第一声进入开口被事先设置在载体中或者事后在施加盖板之后产生。现在执行话筒的功能测试。接着，第一声进入开口被封闭并且在盖板中产生第二声进入开口。在此情况下，可以以任何顺序进行第一声进入开口的封闭和第二声进入开口的产生。第一声进入开口通过含塑料的物质被封闭。在此可以尤其是涉及聚合物或含聚合物的材料，其通过喷墨印刷方法被施加到第一声进入开口上并且还可以在需要时通过曝光和/或以热的方式被硬化。还可以将熔融的热塑性塑料喷入到第一声进入开口中，该热塑性塑料在冷却时凝固或硬化。
喷墨印刷方法是用于有针对性地无接触地施加流体的或粘稠的材料的方法。该喷墨印刷方法使得能够将含塑料的材料的小滴有针对性地“喷”到第一声进入开口上。另外可以将围绕第二声进入开口的密封结构施加到盖板上。该密封结构与盖板固定连接并且因此与话筒连接。该密封结构可以通过聚合物层、例如光致抗蚀剂层的结构化、通过压印或者可替换地通过粘接或者以其它方式固定预先制成的密封结构来产生。借助于在盖板上存在的密封结构，可以以简单的方式将话筒安置到具有另外的声进入开口的任意设备中，使得借助于位于另外的声进入开口上的话筒借助于该密封结构密封地封闭壳体内部，但是声可以无阻碍地穿过居中布置的第二和另外的声进入开口渗透到直至转换器元件。 尤其可能的是，密封结构的制造被集成到话筒的制造过程中。密封结构可以通过这种方式以最小的尺寸和精确地在话筒的期望位置处制成。尽管如此，话筒可以可靠地安装在壳体中并且精确匹配地相对于第二声进入开口安装在电气设备的壳体中。根据一个实施方式，密封结构包括弹性体。这对于密封结构的密封功能、也就是用于话筒和电气设备的壳体之间的密封是有利的，因为该弹性体也可以补偿壳体内部围绕第二声进入开口的不平坦性。弹性体也使得能够在非100%平面平行地布置话筒和设备壳体的情况下仍然制造出所需要的密封性。根据另一实施方式，密封结构具有起泡结构。集成在该起泡结构中的优选处于轻微过压下的气泡也提供密封结构的可压缩性和弹性，所述气泡因此具有与弹性体结构相同的优点。弹性体以及起泡结构优选地用有机塑料物质实现。非常软的热塑性或者热固性塑料也可以是合适的。特别合适的材料例如是橡胶(例如氯丁橡胶或者丙烯晴-丁二烯橡胶)、聚氨酯或者硅树脂，其可以作为弹性体以紧密的结构制造或者也以起泡结构或者因此以可特别压缩的版本来制造。由起泡塑料构成的密封结构也称为FIPG (Foamed-In-PlaceGasket,现场发泡垫片)。可能的是，直接在话筒上、也就是在盖板上产生密封结构。为此可以借助于分发来施加或者滴上粘性液体形式的密封结构。还可能的是，例如借助于丝网印刷、打字蜡纸印刷或者冲印来压印密封结构。在施加以后，让作为粘性物质施加的密封结构硬化或者该物质主动硬化，例如在较高的温度下或者在UV射线作用下。由热塑性塑料制成的密封结构也可以以融化状态施加并且通过冷却硬化。密封结构也可以以固定形状预先制成并且事后围绕第一声进入开口安装到MEMS话筒上并且尤其是粘贴上。预先制成的密封体也可以覆盖第二声进入开口，如果该第二声进入开口在该区域中是声可穿透的或者被制成为声可穿透的。为此，所述密封体可以具有例如多孔结构。也可以事后产生一个或多个孔。事后打开声进入开口可能在话筒的制造-处理方法时是有利的，以便保护话筒的内部、例如转换器元件并且尤其是MEMS芯片的灵敏部分免受特定的处理步骤。密封结构的形状可以根据相应的声进入开口的形状来选择和构造。所述密封结构优选具有环形或者框形闭合的结构，其中密封结构可以采取任意的轮廓线。围绕第一声进入开口还可以设置密封结构，该密封结构可以以与围绕第二声进入开口的相同方式构造。


下面根据实施例和所属附图进一步阐述本发明。附图在此仅仅以示意性的和非比例正确的方式实施，从而从附图中不能获悉绝对的或者相对的比例说明。图IA至IE示出在制造具有两个声进入开口的MEMS话筒时的不同方法步骤，
图IF示出具有声进入开口周围的密封结构的话筒，
图2示出MEMS话筒的功能测试， 图3A和3B示出MEMS话筒的第二实施例，
图4A和4B示出MEMS话筒的第三实施例，
图5不出在安置到电气设备的仅不意性不出的壳体G中之后的MEMS话筒。
具体实施例方式图IA至IE示出制造MEMS话筒的不同方法步骤。图IA示出在将转换器元件WE和另外的器件BE安装在载体TR上之后的MEMS话筒。转换器元件WE具有膜片MEM和背部体积RV。该背部体积RV受到第一盖板AD限制，该第一盖板AD被在晶片水平上施加并且在此例如覆盖转换器元件中的凹槽以及因此密封地包围转换器元件的体积，使得该体积可以用作为背部体积。第一盖板AD例如是箔。在载体TR中布置有声进入开口 S01。盖板也可以是刚性的罩，所述罩在安放到载体上之后在该罩的下面包围空腔，在该空腔中可以布置话筒芯片并且必要时布置另外的分配给该话筒及其功能的器件。这样的器件可以例如是ASIC(Application Specific Integrated Circuit,专用集成电路),其例如承担用于话筒的放大和数字化功能并且产生相应的经放大和/或经数字化的输出。所述罩于是可以由金属、陶瓷、塑料或者这些材料的任意组合构成。整个在罩下面包围的自由体积可以起到背部体积的作用。盖板还可以具有转换器元件或话筒芯片以及必要时ASIC的轮廓，并且例如作为盖板箔AF层压到整个转换器元件上并且至少部分地也层压到载体上。盖板于是这样施加到两个芯片WE、BE上，即该盖板在侧面围绕转换器元件和ASIC芯片或另外的器件地用载体TR隔绝和密封。适合于此的盖板因此例如由能层压的箔制成，所述能层压的箔是热塑性箔、B状态下的箔或者复合箔，该复合箔可以包括由塑料构成的一个或多个不同的子层并且必要时包括作为子层集成在其中的金属箔。当这样的层压的盖板箔AF在稍后的步骤中在外表配备金属覆层时，获得特别密封的盖板。这样的覆层可以例如借助于蒸镀方法、等离子体方法或者溅射方法来施加并且以电镀的或者无电流的方式被强化。利用相应厚的金属覆层也可以在初始层压的薄的盖板箔的情况下产生机械上足够稳定的壳体。转换器元件WE在这里经由凸块BU与载体TR电接触。载体TR在其朝向转换器元件WE的侧上具有连接面ANF。在载体TR的背向转换器元件WE的侧上具有接触垫KP。接触垫KP和连接面ANF经由通孔接触部DK彼此连接。因此，现在在载体TR的底侧上存在电接触部和话筒的声入口。功能测试现在可以简单和自动化地执行。
另外的器件(BE)也以倒装芯片技术借助于凸块(BU)安装在载体上。图IB :在通过穿过第一声进入开口 SOl进行超声波检查的功能测试以后，载体TR中的第一声进入开口 SOl被封闭。为此将聚合物通过喷墨印刷方法施加在第一声进入开口SOl中。接着使聚合物硬化，例如通过曝光和/或以热的方式。接着，为了制造上面已经表明的金属化部在盖板箔AF上整面地施加基础金属化部GM，例如通过等离子体沉积或者通过溅射。为此使用例如Ti的金属或者混合物或者金属的层序列，其一方面保证了在盖板箔AF上的良好附着并且另一方面良好地适合作为用于稍后以电镀方式强化基础金属化部GM的生长层。可替换地，可以在如上所述地封闭载体TR中的第一声进入开口 SOl之前将基础金 属化部GM整面地施加在盖板箔AF上。图IC示出根据下一步骤的MEMS话筒。基础金属化部GM被以电镀方式强化。优选地这样进行强化，即预先形成第二声进入开口 S02或将为第二声进入开口 S02设置的面从电镀强化中排除。为此可以在基础金属化部GM上产生光阻结构RS作为稍后的第二声进入开口 S02区域中的局部盖板，例如通过对光致抗蚀剂层进行结构化。对基础金属化部GM的电镀强化例如可以通过电镀沉积铜作为导电层和另一个层作为抗腐蚀层来进行，其中该导电层和该另一个层一起构成强化层VS。例如在基础金属化部GM上相继地以电镀方式产生约50 μ m的Cu和几μ m的镍。图ID示出在电镀沉积强化层VS以后和在去除光阻结构RS以后的装置。强化层VS中的开口在去除光阻结构RS以后位于该光阻结构RS阻挡了对基础金属化部GM电镀强化的地方。图IE示出在其制造之后的MEMS话筒。为了产生第二声进入开口 S02而对盖板的完全穿透现在例如通过激光钻孔实现。因为仅仅要穿透相对薄的金属层、即基础金属化部GM以及优选由塑料制成的盖板箔AF，这用相对小的强度和以被控制的方式实现，从而可以成功地阻止对MEMS话筒的位于第二声进入开口 S02下方的部件或对MEMS话筒的载体的表面的损坏。为了在第二声进入开口 S02的区域中打开基础金属化部GM，例如CO2激光、YAG激光或者UV激光是合适的。在方法的一种变型中，也可以例如利用喷墨印刷方法来压印光阻结构RS。优选在横向伸展上产生相当于稍后的强化层VS的至少两倍厚度的光阻结构RS。通过这种方式避免了电镀沉积时对光阻结构RS的监控。在基础金属化部GM被穿透以后，可以用较低的激光强度来处理盖板箔AF，以便完全打开第二声进入开口 S02或穿过盖板的所有层。光阻结构在此不必被除去，该光阻结构也可以与位于下方的层一起被穿孔。可替换地，可以放弃光阻结构RS。如果诸如在激光钻孔过程时采用例如通过等离子体谱分析的终点探测，则第二声进入开口可以被钻孔穿过全部的金属化部厚度，而不必考虑对位于下方的部分的不允许的损坏。此外，原则上也可以以其它方式进行加壳体过程，诸如通过在芯片上固定预成形的罩或者盖子。决定性的是在载体的组件接触侧上构成第一声进入开口 S01、在功能测试以后对第一声进入开口 SOl的再次密封和产生第二声进入开口 S02。图IF示出MEMS话筒的一个实施方式，其中转换器元件中的空腔由盖板AD密封并且因此在膜片与盖板AD之间包围背部体积，该背部体积基本上通过转换器元件WE中的穿透部的大小来定义。盖板AD可以包括紧接在背部体积上的第一盖板、盖板箔以及必要时金属强化层。第二声进入开口 S02在该实施中是到MEMS转换器元件WE的膜片的入口，并且在这里恰好布置在转换器元件和另外的芯片(例如ASIC)之间的空隙上。密封结构DS布置在两个芯片之间的空隙上围绕第二声进入开口 S02。盖板AD可以是共形地施加的盖板。但是还可能的是，使用刚性的盖板，该盖板是预先制成的并且安放到载体TR上使得该盖板覆盖话筒芯片和另外的器件BE。第一声进入开口在该图IF中未示出。图2示出用于根据制成的MEMS话筒的功能性来测试该MEMS话筒的测试方法。话筒MIK由晶片平行地制成并且接着被分成各个话筒。对于功能测试使用测试设备TA，该测试设备具有扬声器LS、声输出开口 SAO和参考话筒RM。测试设备TA经由要测试的话 筒MIK的声进入开口 S02被调节为，使得测试设备TA的声输出开口 SAO和话筒MIK的声进入开口S02互相重叠。对于精调可以采用摄像机CAM。测试设备TA和话筒MIK通过声输出开口SAO和声进入开口 S02在声学上彼此耦合。另外，测试设备TA具有电接触装置EKV，该电接触装置能够实现对话筒MIK的电接触。通过测试设备tA和布置在带BA上的话筒MIK彼此之间的相对运动可以相继测试多个话筒MIK。图3A和图3B示意性示出本发明话筒的另一实施方式。图3A以侧视图示出本发明的话筒。图3B示出在图3A中示出的话筒沿着线B-B’的截面图。在图3A和3B所示的话筒中，转换器元件WE和另外的器件BE组合成唯一的芯片CH。芯片CH具有汇入到第二声进入开口 S02中的开口。在转换器元件WE中构造有背部体积RV。在图3A和3B中示出的芯片CH由半导体材料构成的晶片、例如由硅晶片制成。在芯片的朝向载体TR的底侧上，器件结构BES以及膜片MEM被结构化。所述器件结构可以例如是集成电路，尤其是ASIC结构。在芯片CH的背向载体TR的上侧上，以干刻蚀方法或湿刻蚀方法刻蚀凹槽RV、HO以及一个或多个通道KA。所述凹槽和通道用第一盖板AD封闭并且可以在载体上配备另一盖板，该另一盖板的结构和施加在图IA至IE中描述。芯片、包括第一盖板的所有制造步骤可以在晶片水平上进行。在对芯片进行分隔以后，将芯片安装在载体上并且用盖板箔AF进行另外的覆盖。在晶片平面上施加的第一盖板AD可以是箔。这防止了盖板箔AF可能侵入到背部体积RV中。通过这种方式可以确保精确的背部体积RV的可再现性。图3B示出在图3A中示出的话筒沿着线B_B’的截面图。转换器元件WE的背部体积RV经由通道KA与在另外的器件BE中构造的空腔HO连接。通道KA在此围绕第二声进入开口 S02。图4A和图4B示意性示出本发明话筒的另一实施方式。图4A以侧视图示出本发明的话筒。图4B示出在图4A中示出的话筒沿着线B-B’的截面图。在此，另外的器件BE和转换器元件WE同样组合成唯一的芯片CH。芯片CH通过连接两个晶片WF1、WF2构成，其中每个晶片WF1、WF2在朝向相对晶片WF1、WF2的侧上具有凹槽。现在，两个晶片WF1、WF2被组成为，使得它们的凹槽成对地补充给空腔HO。转换器元件WE的背部体积RV又经由通道KA与另外的器件BE中的空腔HO连接。
第一晶片WFl布置在载体TR与第二晶片WF2之间。第一晶片WFl基本上由半导体材料、例如由硅构成。在第一晶片WFl的朝向载体TR的底侧上，器件结构BES和膜片MEM被结构化。在第一晶片WFl的上侧上刻蚀进凹槽。在两个晶片WF1、WF2组合在一起以后，这些凹槽构成转换器元件WE的背部体积RV、HO的一部分。第二晶片WF2布置在第一晶片WFl的上侧上，也就是第一晶片WFl的背向载体TR的侧上。第二晶片WF2可以基本上由塑料或者由玻璃构成。该第二晶片可以以压铸、喷铸或者热印方法形成。在此，凹槽被在第二晶片的底侧上、即在朝向第一晶片WFl的侧上结构化。如果第一和第二晶片WF1、WF2在其平面侧与接缝面(FUgeflkhe)组合在一起，则第一和第二晶片中的凹槽构成用作为转换器元件WE的背部体积的空腔HO、RV。另外，至少一个晶片WF1、WF2被在接 缝面中结构化，所述接缝面在晶片WF1、WF2被组合在一起时将空腔彼此连接。除了在晶片水平上制造话筒以外当然还可能的是，首先连接两个晶片，分隔话筒，并且然后安装到载体上。同样可能的是，从第一晶片中分隔开的芯片被安装并且之后才被与第二芯片连接和被覆盖。例如借助于在芯片(第一和第二芯片)上施加的盖板箔对第一和第二芯片的覆盖在所有情况下在载体上进行。显示出，利用所述的由转换器元件WE、另外的器件BE和第二声开口 S02构成的装置可以达到话筒的如下声学性能所述声学性能对应于具有向下的声开口的相同话筒的声学性能。图5示出在安置到电气设备的仅示意性示出的壳体G、例如移动无线电设备的壳体中以后的MEMS话筒。示出了，MEMS话筒可以经由密封结构DS将壳体中的两个声进入开口和MEMS话筒向内或向壳体内部密封，所述密封结构DS环绕第二声进入开口 S02固定在MEMS话筒的盖板AD上。通过这种方式，其中布置有另外的敏感的电气或电子部件或器件的壳体内部GI被保护免受壳体G外部的环境影响。附图标记列表 WE转换器元件 BE另外的器件 TR载体
MEM膜片 RV背部体积 SOl第一声进入开口 AF盖板箔 BU凸块 ANF连接面 KP接触垫 DK通孔接触部 GM基础金属化部 S02第二声进入开口 RS光阻结构 VS强化层MIK话筒TA测试设备LS扬声器SAO声输出开口RM参考话筒CAM摄像机EKV电接触装置BA带CH芯片KA通道HO空腔
WFU WF2第一或第二晶片 BES器件结构AD第一盖板G壳体GI壳体内部。
权利要求
1.话筒 -具有载体(TR)， -具有安装在载体(TR)上的转换器元件(WE)， -具有盖板，其中转换器元件(WE)被包围在载体(TR)与盖板之间， -具有第一声进入开口(SOI),该第一声进入开口在载体(TR)中被预备,但是被封闭，以及 -具有盖板中的第二声进入开口(S02)。
2.根据权利要求I的话筒， 其中第一声进入开口(SOl)用含塑料的物质被封闭。
3.根据权利要求I的话筒， 其中第一声进入开口(SOl)用焊剂被封闭。
4.根据权利要求I至3之一的话筒， 其中密封结构(DS)围绕第二声进入开口被施加到盖板上。
5.根据权利要求I至4之一的话筒， 其中载体(TR)在其朝向转换器元件(WE)的侧上具有连接面(ANF)， 其中载体(TR)在其背向转换器元件(WE)的侧上具有接触垫(KP)， 其中载体(TR)具有通孔接触部(DK)，该通孔接触部使连接面(ANF)与接触垫(KP )电接触， 其中转换器元件(WE)以倒装芯片技术安装在载体(TR)上，以及 其中转换器元件(WE)经由凸块(BU)与安装面(ANF)接触。
6.根据权利要求I至4之一的话筒， 其中转换器元件(WA)经由接合线与载体(TR)电接触。
7.根据权利要求I至5之一的话筒， 其中至少一个另外的器件(BE)施加在载体或者转换器元件上，其中所述器件(BE)布置在盖板下面或者被所述盖板覆盖。
8.根据权利要求7的话筒， 其中在转换器元件(WE)中和在另外的器件(BE)中各构造一个空腔(RV，HO)，和 其中这两个空腔(RV，HO)经由通道(KA)彼此连接。
9.根据权利要求7或8的话筒， 其中转换器元件(WE)和另外的器件(BE)构造在两个晶片(WF1，WF2)中，所述晶片分别在其平面侧具有凹槽，并且其中这些平面侧在话筒中被组成在一起，使得所述凹槽一起构成连接的空腔(HO)。
10.根据权利要求I至9之一的话筒， 其中盖板包括盖板箔和金属化层。
11.用于制造根据权利要求1-10之一的话筒的方法， 其中转换器元件(WE)安装在载体(TR)上， 其中盖板被布置在转换器元件(WE)和载体(TR)上，使得转换器元件(WE)被包围在盖板和载体(TR)之间， 其中在载体(TR)中产生第一声进入开口(S01)，其中执行话筒的功能测试， 其中第一声进入开口(SOI)被封闭， 其中在盖板中产生第二声进入开口(S02)。
12.根据权利要求11的方法， 其中第一声进入开口(SOl)被含塑料的物质或者被焊剂封闭。
13.根据权利要求12的方法， 其中第一声进入开口(SOl)通过以下方式被封闭，即含聚合物的材料以喷墨印刷方法施加到第一声进入开口(SOl)中并且通过曝光和/或以热的方式被硬化。
14.根据权利要求11-13之一的方法， 其中在施加盖板之前将另外的器件(BE)安装在载体(TR)上。
15.根据权利要求11-14之一的方法， 其中箔(AF)越过转换器元件(WE)被层压到载体(TR)上。
16.根据权利要求15的方法， 其中金属化层(GM，VS)被施加在箔(AF)上。
17.根据权利要求15的方法， 其中金属化层包括基础金属化部(GM)和强化层(VS)，其中基础金属化部(GM)全面地施加到盖板(AD)上，并且其中强化层(VS)通过金属沉积被施加为，使得在稍后的第二声进入开口(S02)的区域中阻止强化层(VS)的沉积。
18.根据权利要求16和17的方法， 其中光阻结构(RS)被施加在稍后的第二声进入开口(S02)的区域中，该光阻结构阻止强化层(VS)在该区域中的沉积。
19.根据权利要求11-18之一的方法， 其中第二声进入开口(S02)通过激光钻孔方法产生。
全文摘要
本发明涉及一种用于制造话筒的方法，其中转换器元件(WE)安装在载体(TR)上；盖板被布置在转换器元件(WE)和载体(TR)上，使得转换器元件(WE)被包围在盖板和载体(TR)之间；在载体(TR)中产生第一声进入开口(SO1)；执行话筒的功能测试；第一声进入开口(SO1)被封闭；以及在盖板中产生第二声进入开口(SO2)。另外，本发明涉及一种由该方法得出的话筒，其中第一声进入开口(SO1)被预备，但是被封闭。
文档编号H04R1/04GK102958826SQ201180033807
公开日2013年3月6日 申请日期2011年7月7日 优先权日2010年7月8日
发明者W.帕尔, H.克吕格, G.法伊尔塔格, A.施特尔兹尔, A.莱德尔, S.赛茨 申请人:埃普科斯股份有限公司