专利名称：一种增强型话筒放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电路，具体的讲，属于一种增强型话筒放大电路。
背景技术：
话筒，被普遍应用于KTV，音乐会，演唱会等场合，现有的话筒通过音响来放出声音，因此在产生信号电源后通常只采用运算放大器进行放大，这样做有几个缺点:放大效果不好、杂音多、耗电量大等缺点。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有的话筒只通过运算放大器进行信号放大效果不好、杂音多、耗电量大等缺点的缺陷，提供一种增强型话筒放大电路，解决上述缺陷。为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:一种增强型话筒放大电路，包括依次串联的信号电源、话筒内电阻以及外部电阻，其中由上述三者组成的串联支路上还连接有运算放大器，且运算放大器的输出端连接有增强型MOSFET管，该运算放大器的福输入端与外部电阻串联。同时，所述增强型MOSFET管栅极通过电阻R5与运算放大器的输出端相连，同时其源级接地，漏极输出电压。为了实现多支路输入，所述串联支路至少有两条，且所有串联支路上的外部电阻均与运算放大器的负极输入端相连。进一步的，所述运算放大器的负极输入端与输出端之间还连接有滑动变阻器。作为一种优选，所述滑动变阻器的阻值为IOk Ω 500k Ω。与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:(I)本实用新型电路结构简单、成本低廉，克服了现有技术中在放大信号电源时只采用运算放大器进行放大缺陷。添入增强型MOSFET管，效果好；(2)本实用新型中在运算放大器上可以连接多条支路，但是只需该一个运算放大器即可，这样大大节约了成本，同时也缩小了电路占用的面积。(3)本实用新型中的增强型MOSFET管体积小、重量轻、耗电省、寿命长，且输入阻抗高，使话筒输入的声音在放大后噪音明显减小，声音进行了优化。
图1为本实用新型一实施例的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。实施例如图1所示，本实用新型共有三支话筒1、话筒2和话筒3，因此共有三个信号电源，产生的电信号分别为％、V2、V3，且每个话筒的内电阻均为Rs，其具体阻值优选为0.5kQ。其中话筒I串连的外部电阻为R1为1.5 kQ，话筒2串联的外部电阻R2为kQ，其中图1为等效的电路原理图，因此图1中每一个话筒的信号电源、内电阻和外部电阻依次串联，且均连接在运算放大器的负极输入端，该负极输入端与外部电阻相连，正极输入端接地，其输出端还通过电阻R5与增强型MOSFET管T的栅极相连，该增强型MOSFET管T的源级接地，漏极通过电阻R6输出电压，该电阻R6与输出电压端并联，电阻R5=25kQ，电阻R6=6kQ。此时滑动变阻器R4两端分别与运算放大器负极输入端和输出端相连，将滑动变阻器R4的电阻移动到IOOkQ的位置。由于话筒I和话筒2的串联支路增益相同,话筒3的支路增益为话筒I串联支路增益的两倍。当V1=V2=V3=IOmV时，输出的电压N0=2N。按照上述实施例，便可很好地实现本实用新型。
权利要求1.一种增强型话筒放大电路，其特征在于，包括依次串联的信号电源、话筒内电阻以及外部电阻，其中由上述三者组成的串联支路上还连接有运算放大器，且运算放大器的输出端连接有增强型MOSFET管，该运算放大器的福输入端与外部电阻串联。
2.根据权利要求1所述的一种增强型话筒放大电路，其特征在于，所述增强型MOSFET管栅极通过电阻R5与运算放大器的输出端相连，同时其源级接地，漏极输出电压。
3.根据权利要求2所述的一种增强型话筒放大电路，其特征在于，所述串联支路至少有两条，且所有串联支路上的外部电阻均与运算放大器的负极输入端相连。
4.根据权利要求3所述的一种增强型话筒放大电路，其特征在于，所述运算放大器的负极输入端与输出端之间还连接有滑动变阻器。
5.根据权利要求4所述的一种增强型话筒放大电路，其特征在于，所述滑动变阻器的阻值为IOkQ 500k Ω。
专利摘要本实用新型公开了一种增强型话筒放大电路，属于电学领域。本实用新型包括依次串联的信号电源、话筒内电阻以及外部电阻，其中由上述三者组成的串联支路上还连接有运算放大器，且运算放大器的输出端连接有增强型MOSFET管，该运算放大器的福输入端与外部电阻串联。通过上述设置，本实用新型克服了现有的话筒只通过运算放大器进行信号放大效果不好、杂音多、耗电量大等缺点的缺陷，不仅电路简单，同时放大效果好、能滤除噪音、耗电少，适合推广使用。
文档编号H04R3/00GK203057085SQ201220664210
公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月6日 优先权日2012年12月6日
发明者陈琴 申请人:四川高软软件科技有限公司