用于设计有机光电检测器元件或光电发射器元件的阵列的改进方法

用于设计有机光电检测器元件或光电发射器元件的阵列的改进方法
【专利摘要】本申请涉及用于制造包括光电检测或光电发射元件的矩阵的矩阵器件的方法，该方法包括：a）用于从所述矩阵器件的至少一个拓扑识别一个或多个寄生导通闭合电路的设计步骤；b）用于选择至少一个所识别所述寄生导通闭合电路所属的矩阵器件的一个或多个给定光电检测或光电发射元件的设计步骤，其中，所选择的所述一个或多个元件被去激活。
【专利说明】用于设计有机光电检测器元件或光电发射器元件的阵列的改进方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及光电检测或光电发射元件的矩阵微电子器件领域，并且特别地，涉及由被动光电检测或光电发射元件形成的那些器件。
[0002]本申请提供一种用于设计光电检测或光电发射元件的矩阵器件的改进方法，以及根据这种方法实现的矩阵器件。
[0003]本发明特别适用于制造基于有机半导体材料的光电检测或光电发射元件的矩阵。【背景技术】
[0004]在由光电检测元件的矩阵形成的图像传感器中，由每个光电检测元件保存的信息通常为电流或电压的形式。
[0005]当矩阵包括没有集成位于像素自身处的处理资源的像素或光电检测或光电发射元件时，这些像素通常称为“被动”像素。
[0006]目前，在硅上制造的图像传感器如电荷耦合传感器或CXD (电荷耦合器件)或CMOS技术传感器由主动像素形成，其中，该主动像素是除了检测功能之外还本地地集成信号处理装置例如用于提供预充电功能和/或放大功能或多路复用功能的装置的像素。
[0007]主动像素使传感 器的图像质量和读取速度的改进能够实现。
[0008]由于制造工艺的实现顾虑原因，基于由至少一种有机半导体材料形成的有机光电检测器的图像传感器因而当前由被动元件或像素形成。
[0009]当光电二极管矩阵的光电二极管被光照时，该光电二极管处于低阻抗，并且创建寄生电流路径，该寄生电流路径可以导致防止执行由每个像素作为电流或电压保存的信息的读取。
[0010]在给出包括两行和两列光电二极管Il1Ul2Ul3Ul4的光电检测器的矩阵部分的等效电子电路的图1的器件上示出这种现象的一个示例。
[0011]在该示例中，矩阵的光电二极管为反向偏置的，因而期望被读取电流的给定二极管Il3具有例如设置为+1伏特的阴极15(!,然而该二极管的阳极17(!例如偏置为O伏特。
[0012]在该图中表示出了互连的电阻器13、偏置电极15^、IS1、17。、IT1以及路径Ca和路径Cp，其中，意图由光电二极管Il3产生路径Ca的电流并且路径Cp的寄生电流经过邻近的或相邻的网格传递到到期望被读取的像素的网格。
[0013]为了解决该寄生导通电路的问题并且允许像素的改进的读取，一个方法在于在矩阵像素之间引入附加二极管。
[0014]例如在文献US3855582和Vilkomerson等人在1969年12月于IEEE固态电路杂志vol.sc_4, η。6的“文字组成的图片检测器区域(a Word-organised photo detectorarea)”中介绍了这种方法。
[0015]然而，这种解决方案几乎不应用于基于有机半导体光电检测器的矩阵，具体而言由于制造工艺的复杂性并且具体而言由于像素之间的附加二极管的实现复杂性的原因。[0016]同样由于实现顾虑的原因，对于前述问题的其它需要在相同的基板上集成晶体管和光电检测器的解决方案也几乎不可用于基于有机半导体光电检测器的矩阵。

【发明内容】

[0017]首先，本发明涉及一种用于制造包括光电检测或光电发射元件或像素的矩阵的矩阵器件的方法，该方法包括:
[0018]a)用于从所述矩阵器件的至少一个给定拓扑(通常称为“布局”)识别一个或多个电气导通闭合电路特别是寄生导通电路的设计步骤，
[0019]b)用于选择至少一个所识别所述导通闭合电路所属的矩阵器件的一个或多个给定光电检测或光电发射元件的设计步骤，然后，矩阵的在步骤b)中所选择的至少一个所述元件被去激活或者被识别为意图被去激活。
[0020]该设计方法包括至少一个或多个由计算机辅助的或使用数据处理装置执行的设计步骤。
[0021]设计步骤a)和b)可以具体而言是由计算机辅助的或使用数据处理装置执行的。
[0022]该方法还可以包括至少一个用于产生所述矩阵器件的新的拓扑的设计步骤，其中，在步骤(b)中所选择的所述至少一个元件被去激活或者被识别为意图被去激活。
[0023]该制造方法可以包括在步骤a)中:
[0024]从所述给定拓扑，实现由与矩阵的所述元件对应的角点和与矩阵中的所述角点的连接对应的链路形成的至少一个图形，
[0025]在所述图形中识别一个或多个给定循环。
[0026]然后可以通过选择所述图形的至少一个所述循环所属的至少一个给定角点来执行步骤b)。
[0027]因此，通过使用至少一个等效图形，在给定拓扑中识别潜在的寄生导通电路，并且然后选择属于该或这些电路的一个或多个给定光电检测或光电发射元件，其中，该元件中的至少一个意图被去激活。
[0028]所选择的所述给定角点可以为所述图形的两个循环共用的。
[0029]尝试最小化被去激活的元件的数量，同时选择多个寄生导通电路所属的矩阵的元件。
[0030]根据另一种可能性，所选择的所述给定角点可以属于比预先确定的长度具有更长长度的循环或者属于所述图形的最大循环。
[0031]尝试最小化被去激活的元件的数量，同时选择大尺寸的寄生导通电路所属的矩阵的元件。
[0032]根据本发明的制造方法还可以包括用于制造所述矩阵器件的步骤，其中，在步骤
b)中所选择的所述至少一个元件为去激活的。
[0033]可以通过将所选择的所述元件的电极中的至少一个电极从矩阵的剩余部分断开，去激活所选择的所述元件。
[0034]还可以通过提供朝向所述元件的检测或者发射半导电的区域的掩膜区域来去激活所选择的所述元件。
[0035]根据另一种实现可能性，被去激活的或者意图被去激活的元件可以具有检测或者发射半导电的区域或用于代替检测半导电的区域的绝缘区域。
[0036]根据另一种实现可能性，可以通过元件的光电检测或光电发射半导电的区域的物理或化学处理去激活该元件。
[0037]根据本发明的方法特别适用于制造矩阵的元件为有机半导体光电二极管的器件。
[0038]本发明还涉及使用上述方法制造的器件。
[0039]本发明涉及由光电检测或光电发射元件的矩阵形成的器件，特别是具有有机半导体的器件，其中，一个或多个元件为被去激活。
[0040]本发明还涉及一种计算机程序，其包括可记录到所述计算机上以执行上述设计方法的步骤的程序代码指令。
[0041]本发明还涉及一种包括记录在可用于计算机中的介质上的程序代码指令的计算机程序产品，其包括用于实现上述设计方法的可读编程装置。
[0042]本发明还涉及一种可由计算机使用的数字数据介质，其包括该计算机程序的代码指令。
【专利附图】

【附图说明】
[0043]在通过参照附图来阅读仅仅以指示的方式给出并且绝不用于限制的目的给定示例性实施例的描述之后，将更好地理解本发明，其中:
[0044]图1表示光电二极管的这样一个矩阵部分的等效电子电路，其中，在该矩阵部分中已识别寄生导通电路，
[0045]图2A-2C使用等效的图形示出根据本发明的光电检测或光电发射元件的矩阵的示例性设计方法的步骤，
[0046]图3使用等效的图形示出根据本发明用于选择将被去激活的光电检测或光电发射元件来形成光电检测或光电发射元件的矩阵的方法，
[0047]图4使用等效的图形示出根据本发明用于选择降雨被去激活的光电检测或者光电发射元件来形成光电检测或光电发射元件的矩阵的可替换的方法，
[0048]图5示出另一种可替换的用于选择将被去激活的光电检测或者光电发射元件的方法，
[0049]图6示出另一种可替换的用于选择将被去激活的光电检测或者光电发射元件的方法，
[0050]图7A-图7B示出根据本发明在示例性设计方法期间实现的等效图形的修改，
[0051]图8示出可以用于制造根据本发明实现的有机光电二极管的矩阵的层的堆垛，
[0052]图9A-图9E示出根据本发明在光电二极管矩阵的制造期间用于去激活有机光电二极管的不同方法，
[0053]图10示出根据本发明的矩阵器件的设计方法期间所实现的图形的示例，其中，矩阵由几个独立的区域形成，
[0054]图1lA-图1lC示出用于实现根据本发明设计方法的数据处理系统。
[0055]不同附图中，相同、类似或等效的部件具有相同的附图标记，以有助于从一个附图切换到另一个附图。
[0056]为了使附图更加清楚，在附图中无需按统一的比例尺表示的不同部件。【具体实施方式】
[0057]现在将描述根据本发明用于制造由多个光电检测元件形成的矩阵器件的示例性方法。
[0058]在给定示例中，矩阵的元件为光电二极管，具体而言有机半导体光电二极管。
[0059]制造矩阵包括设计阶段，在设计阶段期间实现矩阵器件的通常称为“布局”的第一拓扑。
[0060]该第一拓扑具体地包括矩阵组件的路由计划。
[0061]从该第一拓扑，产生至少一个第一图形。该图形包括与光电检测元件对应的节点或角点以及表示矩阵的预测路由计划的脊线或链路。
[0062]根据图形的可能实现，可以例如根据用于形成光电二极管和该光电二极管相应的连接的材料的电阻值来加重图形的脊线或链路。
[0063]在图2A的示例性图形Gl中，角点S对应于光电二极管，然而链路LI和L2分别对应于光电二极管的阳极的连接和光电二极管的阴极的连接。
[0064]使用该第一拓扑，识别矩阵的导通闭合电路，其中当以阅读模式访问矩阵时该导通闭合电路可能传导电流特别是寄生电流。
[0065]可以使用图形Gl的循环(Cp C2、C3、C4、C5、C6、...、C9即两个末端角点相同的一系列连续链路的识别来完成该识别(图2B)。
[0066]在一个所识别所述导通电路的中，或者在多个所识别所述导通电路中，或者甚至在每个所识别导通电路中，然后执行至少一个光电检测元件的选择。
[0067]在与第一图形Gl的连接中，该步骤为在所识别循环C1.....C9中的一个循环中或
者在所识别循环C1.....C9中的几个循环中或者甚至在所识别循环C1.....C9中的每个循
环中选择至少一个给定角点。
[0068]在图2C的示例中，在图形的所识别循环Cp C2, C3> C4, C5, C6, C7, C8, C9中的每个循
环中，选择角点 sn、S23、S34、S43、S54, S66, S72, S860
[0069]还可以在图形Gl的一个或多个循环中选择一个或多个具有最大长度的角点。术语“长度”这里对应于该循环的角点的总数。
[0070]通过执行一个或多个角点的该选择，确定具体而言具有寄生导通的最大导通闭合电路所属的矩阵器件的一个或几个给定光电检测元件。
[0071]在与光电二极管的矩阵的拓扑的连接中，具有最大长度的循环对应于具有最大光电二极管数量的导通电路。
[0072]在图3的示例中，选择在被识别为图形Gl的具有最大长度的循环的循环C9中的
角点S915。
[0073]根据该设计阶段的可能的实现，选择该图形的比预先确定的长度具有更大长度的循环中的一个或多个角点。
[0074]通过一个或多个角点的选择，确定矩阵器件的一个或多个给定光电检测或光电发射元件，其中该元件属于经过多个预先确定数量的光电检测元件的导通闭合电路。
[0075]在图4的示例中，在长度等于或者大于预先确定长度5的所识别循环C2、C4、C6、C8、(:9中选择角点323、542、566、586、5915。[0076]该角点选择阶段在将要确定的光电检测器矩阵中使能该矩阵的这样一种光电检测元件，其中，该光电检测元件意图被去激活或者被去激活或者被至于高阻抗。
[0077]在选择阶段结束时，每个所选择的角点对应于将被去激活的光电检测元件。
[0078]在光电检测元件的情况中，通过“去激活”意味着这些检测元件的功能被去激活或者被去除或者被阻止，并且/或者检测元件不可以参与由该矩阵获得图像。
[0079]根据一个有利的实施例，选择图形Gl的由多个循环共用特别是图形的2个循环共用的角点。
[0080]因此尝试尽可能多地减少矩阵的寄生导通电路的数量，同时尽力最小化被去激活的光电检测元件的数量。
[0081]在图5的示例中，所选择的角点S25、S44、S62、S86分别由所识别循环对C2和C3，C4和C5, C6 和 C7，C8 和 C9 共用。
[0082]角点的选择并且因此将被去激活的像素的选择可以取决于该像素将如何被去激活。
[0083]由两个循环共用的角点的选择方式可以与上述那些选择方式之一结合，包括选择在具有最大长度的循环中或者长度在比预先确定的长度更大的循环中的角点。
[0084]在图6的示例中，因为角点Sn、S25, S44, S62分别由所识别循环对C1和C8，C2和C3,C4和C5，C6和C7共用，所以首先选择这些角点，然后继而选择在具有最大长度的所识别循环C9中的角点S915。所选择的这5个角点与在光电检测器的矩阵中意图被去激活的5个光电检测元件对应。
[0085]还可以完成图形的给定角点的选择，因而当选择由两个循环共用的角点时并且当去除附接到该角点的链路时，在不创建新循环的情况下去除该角点所属于的循环中的至少一个循环。
[0086]根据可能的实现，仅可以在矩阵的某些区域上完成选择，从该选择步骤中排除其它给定区域。因此，阻止属于这些给定区域的光电检测元件被去激活。
[0087]该选择可以使得所选择的角点具有均匀分布或者对称分布，其中，该均匀分布或者对称分布在下文中可能能够助于来自矩阵的图像的处理。
[0088]还可以实现该角点选择步骤，以最小化或者清零相邻或邻近或靠近(即相距小于预先确定距离的特定距离)所选择角点的数量。。
[0089]因此可以根据角点的邻居或者与角点相邻的角点的可能的选择来调节角点的选择。因此可以最小化在矩阵中被去激活的相邻或邻近或靠近的光电检测元件的数量。
[0090]根据可能的实现，可以从第一图形Gl获得新图形G2，其中第一图形Gl中的角点被选择。
[0091]可以通过去除连接到从第一图形Gl选择的每个角点的至少一个链路从第一图形Gl获得该新图形G2。
[0092]在图7A-图7B中，示出这种去除的示例。
[0093]如前所述的识别和选择处理允许选择给定角点Si,其中，该角点Si对应于在图形Gk中期望被去激活的光电检测元件，其中，图形Gk对应于光电检测器矩阵(图7A)。
[0094]然后，去除连接到所选择的角点Si的链路Li以形成新图形Gk+1 (图7B)。在该示例中，链路Li可以表示与所选择的角点Si对应的光电检测元件的阳极连接或阴极连接。所去除的链路Li优选地被选择为不使得与图形上的给定角点Si邻近的角点S '对应的光电检测元件被去激活。
[0095]可以在该新图形Gk+1中重复循环识别和角点选择的步骤。
[0096]例如只要在当前的图形中出现循环就可以用于实现如所述的识别和选择步骤的迭代法。
[0097]然而，根据最后获得的图形和该图形的所选择角点，修改所述第一拓扑并且产生新的拓扑。
[0098]在该新拓扑中，几个光电检测元件被去激活或被标识为意图被去激活。
[0099]可以通过根据所述第一拓扑T1来修改矩阵的路由，做出新的拓扑T2或“布局”。
[0100]因此，可以将在新的拓扑T2内的光电检测元件去激活，并且然后按照该新的拓扑T2制造矩阵。
[0101]根据另一种可能性，可以在拓扑中指定或识别将被去激活的光电检测元件，并且然后通过将所述设计的光电元件去激活来制造矩阵。
[0102]可以例如由这样一种光电检测元件形成所制造的矩阵，其中，该光电检测元件的形式为基于有机半导体材料并且由图8中给定类型的堆垛制造的光电二极管。
[0103]由基于导通并且透明的材料172如ITO (“铟锡氧化物”)的层和基于材料176如通常称为PEDOT =PSS的聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸的层174制造光电二极管的阳极170，从而能够提高与有机半导体材料180的欧姆接触。
[0104]导通并且透明的材料172的层的图案(例如，以平行条的图案)与材料176的层中形成的那些图案叠加并且可以相同。在每个阳极170的末端形成例如基于钛金的金属触点的区域175。
[0105]可以形成有机半导体材料180例如供体聚合物的异质结混合物例如P3HT (聚(3-己基噻吩))和受主聚合物例如PCBM (苯基C66- 丁酸甲酯)以覆盖所有阳极170。
[0106]在有机半导体材料I80的层上提供例如以平行条形式的阴极190。这些阴极190可以例如基于铝。
[0107]例如，可以通过破坏光电二极管或者掩膜光电二极管以从矩阵的剩余部分去除光电二极管的阳极和/或的阴极的任何连接，将该光电二极管形式的光电检测元件去激活。
[0108]根据第一实施例，在图9A的示例中，在前述的堆垛中形成的被去激活的光电检测元件Edi包括阳极170并且没有阴极190。
[0109]根据第二实施例，在图9B的示例中，在前述的堆垛中形成的被去激活的光电检测元件Edi包括阴极190并且没有阳极。
[0110]这两个实施例的替换包括例如通过化学蚀刻形成阳极和/或阴极的电触点，以向电触点提供高强度例如对于处于暗电流量级例如小于InA的寄生电流具有足够高的值。
[0111]根据第三实施例，另一种可能性(图9C)在于提供不具有检测半导体区域并且可能由绝缘区域替代检测半导电的区域或者具有恶化的或破坏的检测半导电的区域的被去激活的光电检测元件Edit5
[0112]可以通过物理处理例如使用激光束或使用紫外线辐射(图9E)或者通过化学处理例如使用局部化学蚀刻来完成恶化或破坏，其中，在该部化学蚀刻期间，由掩膜来保护该器件的剩余部分。[0113]根据第一实施例，另一种用于使得光电检测元件EDi被去激活的方法在于提供朝向半导电的区域180以用于检测半导体区域180的的掩膜205，掩膜202意图阻挡可能被该半导电的区域180转变成电子的辐射(图9D)。
[0114]可以例如将该掩膜做成金属带或塑料沉积物的形式。例如在由如结合图2所述的堆形成的器件的情况中，可以由放置在半导体材料180的层上的金属区域构成该掩膜，其中，该金属区域位于提供将被去激活的光电检测二极管的地方。
[0115]前述方法涉及光电检测器的实现以及因此将入射光子转换为电子的光接收元件的实现。
[0116]该方法也适用于由发光元件或光电发射元件形成的矩阵器件的实现。
[0117]具体而言可以使用上述方法实现基于有机半导电的材料的光发射二极管矩阵。
[0118]在光电发射元件的情况中，通过“去激活”，意味着光电发射元件的发射功能被去激活或者被阻止，并且/或者光电发射元件不可以参与经由矩阵获得的图像。
[0119]在图10中，给出可替换的实施例。由包括4个并置但电气独立的区域的光电二极管矩阵拓扑形成包括4个子图形G11、G12、G21、G22的图形。
[0120]在第一子图形Gll中，分别属于循环C1和属于循环对C2-C3的角点SI和S2被标识为与将被去激活的矩阵的元件对应。
[0121]在第二子图形G12中，分别属于循环C6和属于循环对C4-C5的角点S4和S3被标识为与将被去激活的矩阵的元件对应。
[0122]在第三子图形G13中，存在意图被去激活的角点S6和S5，然而在第四子图形G14中，存在被选择并且指定为意图被去激活的角点S7和S8。
[0123]图1lA是用于设计根据本发明的光电检测或光电发射元件的矩阵的方法的流程图，本发明的某些前述操作可以是该方法的一部分。
[0124]根据第一步骤，从光电检测元件的矩阵器件的拓扑来产生至少一个图形(步骤E10)。
[0125]可以使用包括建模装置的数据处理设备实现第一图形。
[0126]此后，在该第一图形Gl中，执行循环的识别(步骤E20)。
[0127]然后根据预先确定的标准例如通过选择由两个循环共用的角点，执行属于所识别循环的一个或多个角点的选择(步骤E30 )。
[0128]然后可以从根据所选择的角点修改的第一图形G1，例如通过去除连接到这些所选择的角点的一个或多个链路，实现新图形(步骤E40)。
[0129]可以执行前述步骤的一次或多次迭代。
[0130]可以由数据处理设备400或数据处理装置400来完成这些步骤E20、E30和E40。这种设备可以具有使用例如在Grin4.8和/或Matlab9.2类型软件上完成的算法实现图形
处理装置。
[0131]然后可以产生矩阵器件的新的拓扑(步骤E50)，其中，在新的拓扑中的光电检测元件被去激活或者意图被去激活。
[0132]图1lB表示具有被适当地配置为处理电子电路的拓扑或布局的计算机420的数据处理设备400。
[0133]计算机420包括具有用于产生电路拓扑、用于将电路拓扑建模为图形、用于处理图形或者用于在图形上执行计算所需要的所有电子、软件或类似的组件的计算部分。
[0134]因此，系统例如包括可编程处理器426和至少一个存储器428。该系统还可以包括耦合到系统总线430的输入外部设备(例如硬盘432)。处理器可以例如为微处理器或中央单元处理器。存储器428可以例如为硬盘、ROM、光盘、DRAM或任何其它存储器RAM、磁存储元件或光存储元件、寄存器或其它易失性存储器和/或非易失性存储器。图形处理算法可以存储到存储器中，并且允许在通过建模电路拓扑所获得的图形上执行如上述的处理。
[0135]能够实现根据本发明的设计方法的程序位于或者记录在介质例如CD ROM或DVDROM或可移动硬盘或者可以由数据处理系统读取的任何存储介质上。
[0136]计算机420还可以连接到其它外围设备例如显示设备如屏幕422。
[0137]因此可以在屏幕422上显示表示如前所述的图形处理结果的图像或者矩阵器件的新的拓扑，其中，该新的拓扑中的光电检测或光电发射元件被去激活或被指定为意图被去激活。
[0138]数据处理设备可以连接到例如互联网型的网络以允许将矩阵器件的图形和/或拓扑的数据发送到另一个远程设备。
【权利要求】
1.一种用于制造包括光电检测或光电发射元件的矩阵的矩阵器件的方法，所述方法包括: a)用于使用数据处理装置从所述矩阵器件的至少一个给定拓扑识别一个或多个电气导通闭合电路的设计步骤， b)用于使用数据处理装置选择至少一个所识别所述导通闭合电路所属的矩阵器件的一个或多个给定光电检测或光电发射元件的设计步骤， 所述矩阵的、在步骤b)中所选择的所述元件中的至少一个元件被去激活或者被识别为意图被去激活。
2.根据权利要求1所述的用于制造矩阵器件的方法，还包括用于产生所述矩阵器件的新的拓扑的步骤，其中，在步骤(b)中所选择的所述至少一个元件被去激活或者被识别为意图被去激活。
3.根据权利要求1或2所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，所述步骤a)包括: 从所述给定拓扑，实现由与矩阵的所述元件对应的角点和与矩阵中的所述角点的连接对应的链路形成的至少一个图形， 在所述图形中识别一个或多个给定循环， 通过选择所述图形的至少一个所述循环所属的至少一个给定角点来执行步骤b)。
4.根据权利要求3所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，所选择的所述给定角点为所述图形的两个循环共用的。
5.根据权利要求3或4所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，所选择的所述给定角点属于长度比预先确定的长度更长的循环或者属于所述图形的最大循环。
6.根据权利要求1至5中的任意一个所述的用于制造矩阵器件的方法，还包括用于制造所述矩阵器件的步骤，其中，在步骤b)中所选择的所述至少一个元件为被去激活的。
7.根据权利要求1至6中的任意一个所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，通过将所选择的所述一个或多个元件的电极中的至少一个电极从所述矩阵的剩余部分断开，将所选择的所述一个或多个元件去激活。
8.根据权利要求1至7中的任意一个所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，所述矩阵的所述元件包括半导电的光电检测或光电发射区域，通过提供朝向所述半导电的区域的掩膜区域将所选择的所述元件去激活。
9.根据权利要求1至7中的任意一个所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，被去激活或者意图被去激活的所述元件不具有光电检测或者光电发射半导电的区域或具有用于代替所述光电检测或光电发射区域的绝缘区域。
10.根据权利要求1至9中的任意一个所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，所选择的所述元件具有被去激活的光电检测或光电发射半导电的区域。
11.根据权利要求1至10中的任意一个所述的用于制造矩阵器件的方法，其中，所述矩阵的所述元件为有机半导体二极管。
12.—种计算机程序，包括可记录到所述计算机上以执行根据权利要求1至5中的任意一个所述的方法的步骤的程序代码指令。
13.—种包括记录在可用于计算机中的介质上的程序代码指令的计算机程序产品，包括用于实现根据权利要求1至5中的任意一个所述方法的可读编程装置。
14.一种可由计算机使用的数字数据介质，包括根据权利要求12或权利要求13所述的计算机程序的代码指 令。
【文档编号】H04N5/374GK103621057SQ201280018650
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2012年4月12日 优先权日:2011年4月15日
【发明者】克里斯托夫·普雷蒙, 罗曼·格沃齐希 申请人:原子能与替代能源委员会, 爱色乐居