具有使用可编程无源组件的rf分路器的双模接收器的制造方法
【专利摘要】本发明的一个实施例涉及包括RF分路器的双模接收器，该RF分路器配置成工作在两种模式，其中在第一模式，单个低噪声放大器是活动的以接收RF输入信号，而在第二模式中，两个低噪声放大器是活动的以接收RF输入信号。接收器还包括可编程简并组件，该可编程简并组件在操作上耦合到所述RF分路器，并且配置成在第一模式提供第一性能特性而在第二模式提供第二不同性能特性，其中第一和第二性能特性将RF分路器的输入阻抗改变成在第一和第二模式基本上相同。
【专利说明】具有使用可编程无源组件的RF分路器的双模接收器
【背景技术】
[0001]通信系统利用发射器和接收器来传递信息。下一代接收器并发地在独立的不同信道上接收数据。这种信息的准确接收是一个难题。
【专利附图】
【附图说明】
[0003]图1是接收器电路的前端部分的示意图。
[0004]图2是具有用于不同信道的两个并联通路的接收器电路的一部分的示意图。
[0005]图3是示出按照本公开的一个实施例、具有两个并联通路的接收器电路的一部分的示意框图，其中两个并联通路采用可编程简并组件来对两种不同操作模式保持基本上恒定的输入阻抗。
[0006]图4是示出按照本公开的一个实施例、耦合到可编程简并组件的两个并联耦合低噪声放大器电路的示意电路图。
[0007]图5a是示出按照本公开的一个实施例、在其输出具有共射共基放大电路布置的图4的低噪声放大器电路之一的示意电路图，该示意电路图示出共射共基放大电路布置的停用如何能够用于停用低噪声放大器。
[0008]图5b是示出按照本公开的一个实施例、用于激活和停用与LNA关联的共射共基放大级的开关电路的不意电路图。
[0009]图6a是示出按照本公开的一个实施例、具有与其耦合的可开/关偏压电路的图4的低噪声放大器电路之一的示意电路图，该示意电路图示出其开/关如何能够用于停用低噪声放大器。
[0010]图6b是示出按照本公开的一个实施例、用于经由DC偏置输入端子来激活和停用LNA的开关电路的不意电路图。
[0011]图7是示出按照本公开的一个实施例、可在图4的接收器部分中采用的可编程简并组件的示意电路图。
[0012]图8是示出按照本公开的一个实施例、可按照控制字来共同操作以对图4和图7分别所示的可编程简并组件的预期电感值进行编程的电感和开关的阵列的示意电路图。
[0013]图9是示出按照本公开的一个实施例、可分别用作图4和图7的可编程简并组件中的可编程电流源的可编程电流反射镜电路的示意电路图。
[0014]图10是示出按照本公开的一个实施例、涉及具有多个并联低噪声放大器电路的接收器的接收RF信号的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0015]本发明包括与以两种不同模式之一来接收RF输入信号相关的采用RF分路器的接收器电路以及关联方法。在一种模式中，单个接收器链是活动的，以及在第二模式中，两个并联接收器链是活动的。两个并联接收器链的低噪声放大器耦合到可编程简并组件，可编程简并组件改变与其关联的性能特性，使得在接收器链或多个链中看到的输入阻抗基本上是相同的，而不管接收器正工作在第一还是第二操作模式。
[0016]图1是示出接收器链10的一部分的示意图。接收器链部分10的上游可驻留天线端子，天线端子配置成耦合到天线、双工器、滤波器以及潜在的其它组件。接收器链部分10包括低噪声放大器电路12、混频器14和低通滤波器16。低噪声放大器(LNA) 12是用于放大潜在的弱信号(例如由天线所捕获的弱信号)的电子放大器。LNA12是接收器链10中放置在无线电接收器电路的前端附近的有价值组件。使用LNA12，来自接收器链的后续级的噪声的影响通过LNA的增益来降低，而LNA本身的噪声直接注入所接收信号。因此，期望LNA升高预期信号功率，同时增加尽可能少的噪声和失真，使得在系统的稍后级可以重新得到这个信号。
[0017]仍然参照图1，所接收RF输入信号18是差分信号，并且由LNA12来放大，然后由混频器14来下变频。虽然图1中未示出，但是混频器14从振荡器电路(例如电压控制振荡器(VCO))接收本地振荡器(LO)信号。大多数混频器简单地将RF输入信号与LO信号相乘，并且保持低频项以生成模拟下变频信号。这种信号然后由低通滤波器(LPF) 16经过低通滤波，以抑制任何噪声。
[0018]来看图2，示出多个并联耦合接收器链。在现代接收器中，需要容纳所接收信号的宽输入频率范围以符合各种通信标准。这增加用作放大器中的负载或源简并组件的电感器的数量，带来了急剧增加的芯片面积的不利结果。除了增加的芯片面积之外，接收器还需要容纳与需要被支持的频带的数量成比例的大量端口，这导致较大的封装大小。最后，增加端口数量使高频端口到诸如双工器、SAff滤波器等的外部组件的路由选择复杂化。
[0019]图2示出均从上游接收器组件接收相同差分RF输入信号(RFin、RFin_x) 18的两个并联耦合接收器链19。因此，每个LNA20和22接收相同信号，以便提供经放大的差分信号供后续混频。在图2的接收器中，如果停用第二 LNA22，则由RF输入信号在第一 LNA20所看到的输入阻抗基本上发生变化，因而不利地影响接收器链的噪声指数和线性度。
[0020]图3示出按照本公开的一个实施例的接收器部分或RF分路器电路30。接收器部分30将可编程简并组件与两个或更多并联接收器链结合用于形成在噪声指数和线性度方面呈现最小降级的RF分路器。在各种不同的模式中，不同数量的并联接收器链是活动的，以及基于活动模式，可编程简并组件提供可编程性能特性，该可编程性能特性进行操作以将接收器链部分30中看到的输入阻抗保持为基本上恒定，而与采用哪一种操作模式无关。
[0021]图3示出在分别形成第一 LNA40和第二 LNA42的输入的其相应输入36、38处耦合在一起的第一接收器链通路32和第二接收器链通路34。第一 LNA40和第二 LNA42均接收相同的差分RF输入信号44，并且在耦合到其下游的相应混频器(混频器#1和混频器#2)的其相应输出46和48处提供差分RF输入信号44的低噪声放大。接收器部分或RF分路器30还包括耦合到第一 LNA40和第二 LNA42两者的可编程简并组件50。可编程简并组件50进行操作以基于向其提供的模式控制信号来提供与其关联的可编程性能特性。
[0022]在第一操作模式中，只有第一 LNA40是活动的，而第二 LNA42是不活动的。第一操作模式通过模式控制信号反射到可编程简并组件49，可编程简并组件49向第一 LNA40提供与其关联的第一性能特性。在第二操作模式中，第一 LNA40和第二 LNA42都是活动的，以及第二操作模式通过模式控制信号反射到可编程简并组件49。作为响应，可编程简并组件49向第一 LNA40以及向第二 LNA42提供第二性能特性，其中第二性能特性与第一性能特性不同。不同的性能特性使得在接收器部分30中看到的输入阻抗对于第一模式和第二模式是基本上相同的。
[0023]虽然图3示出只有两个并联耦合接收器链通路32、34以及只有两种操作模式，但是应当理解，本公开考虑多个不同接收器链和多种不同模式，其中可编程简并组件49配置成提供多种不同模式的每个的不同性能特性，使得在接收器部分30中看到的输入阻抗对于所有这类模式是基本上相同的。
[0024]图4按照本公开的一个实施例、更详细地示出两个LNA电路40和42。每个LNA在一个实施例中能够相同地构成，并且包括通过电容器54和56电容地耦合到差分RF输入信号(RFin、RFin_x) 44的相应部分的两个NMOS晶体管50和52。电容器54和56在一个实施例中作为高通滤波器进行操作，并且允许其RF部分通过至NMOS晶体管50和52的栅极端子。在一个备选实施例中，这类电容器54和56可去除。每个LNA40和42还包括偏压电路，偏压电路包括经由电阻器60耦合到NMOS晶体管50和52的栅极端子的偏置输入端子58。施加到偏置输入端子58的电压设置RF输入信号围绕其而改变的DC操作点。按照上述方式，每个LNA作为跨导放大器进行操作，其中在晶体管50和52的栅极端子处的小电压变化(RF输入信号)基于晶体管50和52的增益来转换为装置的漏极-源极电流通路中的电流的基本上宽的变化。
[0025]每个LNA40和42的晶体管50和52在其耦合到相应混频器的相应漏极端子具有输出。这种耦合能够按照各种方式执行，并且所有这类变化被认为落入本公开的范围之内。在一个实施例中，漏极端子直接连接到混频器；备选地，漏极端子可串联连接到另一个晶体管以形成共射共基放大级。在另一个备选方案中，漏极负载可根据需要能够是电阻器、电感器或者可编程变压器。每个LNA40和42的晶体管50和52的源极端子连接到可编程简并组件49。如以上所强调，基于接收器部分30的操作模式，可编程简并组件49呈现独特性能特性，该独特性能特征进行操作以将LNA40和42中看到的输入阻抗保持为基本上相同，而与操作模式无关。
[0026]在一个实施例中，在负载处使用可编程变压器可具有下列优点。当实现RF分路器时，如果实现具有变压器的负载，则需要总共两个变压器；一个用于第一 LNA，而一个用于第二 LNA。采用两个变压器以附加芯片面积为代价，以及为了避免这个附加面积，能够利用相邻LNA的变压器-这实际上设计用于另一个频带。但是，如果变压器是可编程变压器，则能够将这个相邻变压器的谐振频率调谐到预期频率范围，并且开关能够用于在不同LNA核心之间切换变压器。
[0027]如以上所强调，接收器部分30配置成工作在至少两种不同的操作模式。在第一操作模式中，只有第一 LNA40是活动的，而第二 LNA42被停用。图5a是示出可停用LNA42的一个实施例的电路示意图。在晶体管50和52的漏极端子处，共射共基放大电路布置70与其耦合。共射共基放大布置70包括分别串联连接到晶体管50和52的晶体管72和74。共射共基放大晶体管72和74的栅极端子耦合到开关布置76，开关布置76配置成在参考电压Vref与地之间切换晶体管72和74的栅极端子，例如以便基于模式控制信号的状态有选择地使相应共射共基放大晶体管导通或截止。
[0028]因此，在第一操作模式中，模式控制信号将共射共基放大晶体管72和74的栅极切换到地电位或者使晶体管72和74截止的任何其它电位，由此将LNA42从经由共射共基放大级70与其耦合的相应混频器断开。同样，在第二操作模式中，模式控制信号将共射共基放大晶体管72和74的栅极端子切换到确保使共射共基放大晶体管72和74导通的参考电位Vref。因此，通过共射共基放大晶体管72和74导通，LNA42耦合到相应混频器，以供LNA晶体管50和52的漏极端子处的经放大的电流信号的下变频。
[0029]用于共射共基放大布置70的图5a的开关布置可按照各种不同方式来执行，并且所有这类备选方案被认为落入本公开的范围之内。例如，在一个实施例中，模式控制信号可直接连接到共射共基放大晶体管72和74的栅极，或者通过倒相器直接耦合到这类晶体管。图5b示出作为另一非限制性示例的一个实施例。图5b中，共射共基放大晶体管72和74之一耦合到晶体管78和上拉电阻器80的串联布置之间的节点77。在一个示例中，晶体管78的栅极直接耦合到模式控制信号。如果模式控制信号为高电平，则晶体管78导通，并且将节点77拉到低电平，由此使共射共基放大晶体管72和74截止。备选地，如果模式控制信号为低电平，则晶体管78截止，以及电流的缺少引起上拉电阻器80将节点77上拉到确保共射共基放大晶体管72和74导通的参考电压。还可采用其它备选方案。例如，可根据模式控制信号的状态来使用倒相器，或者PMOS装置可用来代替晶体管78，并且所有这类变化被认为落入本公开的范围之内。
[0030]图6a示出如何可交替激活或停用LNA之一以将接收器部分或RF分路器30置于两种不同操作模式之一的另一个实施例。图6a示出LNA42使各晶体管50、52的栅极端子在偏置输入端子58处耦合到开关电路90，开关电路90配置成例如基于模式控制信号的状态有选择地将晶体管50、52的栅极耦合到偏压Vbias或电路地电位其中之一。因此，在第一操作模式，开关电路90将晶体管50、52的栅极端子耦合到地，因而当模式控制信号指示第一操作模式时停用LNA42。备选地,在第二操作模式,开关电路90将晶体管50、52的栅极端子耦合到偏压Vbias，这使晶体管50、52导通，并且还设置LNA42的预期DC操作点。
[0031]图6a的开关电路90可按照许多方式来配置，并且所有这类备选方案被认为落入本公开的范围之内。图6b示出作为一个实施例的一个非限制性示例。图6b中，开关电路90具有共同连接在节点58的晶体管92和上拉电阻器94的串联布置。节点58经由电阻器60连接到LNA晶体管50、52的栅极。当模式控制信号为高电平时，晶体管92将节点58下拉到电路地电位，例如由此使晶体管50、52截止，这使LNA42截止。备选地，当模式控制信号为低电平时，晶体管92截止，以及电流的缺少引起上拉电阻器94将节点58上拉到偏压Vbias,由此将Vbias耦合到晶体管50、52的栅极，这使LNA42导通，并且设置DC偏压点。
[0032]如以上已经强调，可编程简并组件49配置成呈现可编程性能特性、例如第一操作模式中的第一性能特征以及第二操作模式中的第二不同性能特性。两种不同操作模式的不同性能特性操作用以提供RF分路器电路30的基本上恒定输入阻抗，因而提供两种模式的良好噪声指数和线性度。在一个实施例中，性能特性包括可编程简并电感。在另一个实施例中，性能特性包括可编程偏置电流。在又一个实施例中，性能特性包括可编程简并电感和可编程偏置电流。
[0033]图7示出按照本公开的一个实施例的可编程简并组件49。参照图4和图7，可编程简并组件49具有分别与LNA的晶体管50、52关联的差分输入端子49a和49b。在各差分通路IOOaUOOb中驻留基于模式控制信号的状态(即，是第一还是第二操作模式)在第一值与第二值之间改变的可变或可编程电感102a、102b。差分通路100a、IOOb在节点104会合，节点104耦合到可变或可编程电流源106。可变或可编程电流源106配置成基于模式控制信号的状态(即，处于第一还是第二操作模式)来提供第一偏置电流或者第二不同偏置电流。因此，如图7中能够看到，可编程简并组件49配置成通过改变作为预期操作模式的函数的电感和偏置电流，来提供不同性能特性。
[0034]图8示出按照本公开的一个实施例、进行操作以提供可编程或可变电感102a、102b的电感和开关阵列。如所示,可编程电感包括中心抽头104，中心抽头104有选择地耦合到两个串联连接的电感器阶梯108a和108b。电感器之间的各节点经由开关(例如S1、Six)耦合到中心抽头104，使得在接收到作为模式控制信号的函数的控制字时，选择开关闭合，并且电路呈现特定电感值。例如，在一种操作模式中，开关S1、Six、S3和S3x闭合，其中各阶梯108&、10813分别呈现1^1+1^2和1^+1^的电感。同样，在另一种操作模式中，开关S2、S2x、S3和S3x闭合，以及各阶梯108a、108b分别呈现L2和L2x的电感。如可以理解，阶梯和开关可扩展成容纳两个以上节点，并且这类备选方案被认为落入本公开的范围之内。如从图8能够看到，基于模式控制信号，可变电感可操作以在两个不同电感值之间改变。应当注意，在另一个实施例中，电感阵列能够采用电阻阵列来替代。
[0035]来看图9，示出按照本公开的一个实施例的可在图4和图7的可编程简并组件49中采用的可变电流源106。宏观地，可变或可编程电流源106配置成基于模式控制信号的状态来提供不同的偏置电流Ibias。可变电流源106包括具有通过晶体管120的参考电流Iref的电流反射镜电路，晶体管120被镜像到一个或多个并联连接的晶体管122和124，晶体管122和124分别经由开关126和128有选择地耦合在一起。开关126和128通过模式控制信号来有选择地激活，其中在一种模式中，只有开关126闭合,而在另一种模式中，两个开关126和128均闭合。通过闭合或断开开关126、128，通过有效地改变镜像晶体管的“大小”，来改变电流反射镜比。因此，在一个示例中，如果晶体管120、122和124全部是相同大小(例如W/L)，则在一种操作模式中Ibias = Iref (只连接晶体管122和124其中之一)，而在另一种操作模式中Ibias = 2 X Iref (其中连接两个晶体管122和124)。如可以理解，可根据需要改变各种晶体管120、122和124的大小以适应各种电流关系。在另一个实施例中，可消除开关12.6，从而使晶体管122始终被连接，并且使晶体管124作为能够对于不同操作模式有选择地被连接或断开的唯一晶体管。此外，对于附加模式，可添加其它晶体管和开关。
[0036]回到图4并且结合图7-9来参照图4，RF分路器或接收器部分30配置成工作在两种操作模式其中之一，其中在第一操作模式，LNA40是活动的，而LNA42通过模式控制信号来停用。如图5a、图5b、图6a和图6b所示，LNA42可通过停用与其关联的共射共基放大级70或者通过将偏置端子58耦合到诸如电路地之类的停用电位来停用。与第一操作模式的LNA42的停用并发地，可编程简并组件50设置成第一性能特性。在一个实施例中，第一性能特性包括第一电感值和第一偏置电流值。例如，图7-8的可编程电感编程为其最大值，而图7和图9的偏置电流Ibias编程为其最小值。在第一操作模式中，没有执行RF信号分路。
[0037]仍然参照图4，在第二操作模式中，要求RF信号分路，并且激活LNA40和LNA42两者。例如，LNA40、42能够通过使相应共射共基放大级导通(图5a-5b)(若存在的话)或者通过将LNA40、42的偏置端子58耦合到DC偏置设置点电位(图6a_6b)来激活。并发地，在第二操作模式中，可编程简并组件49提供与第一性能特性不同的第二性能特性。如图7-9所示，第二性能特性可包括第二简并电感值和第二偏置电流值。在第二操作模式中，可编程简并电感改变成其最低值，而偏置电流改变成其最高电平。电感和偏置电流值有利地选择成提供在LNA40、42中看到的、对于第一和第二操作模式两者基本上相同的输入阻抗。
[0038]在本公开的另一个备选实施例中，各种模式的一个或多个可包括子操作模式。例如，在第一操作模式中，单个LNA是活动的。在该第一操作模式中，能够存在第一子操作模式和第二子操作模式。在这种情况下，第一子模式如以上所强调进行操作，而第二子模式在信号功率级超过预定阈值时作为电流节省模式进行操作。在这种情况下，简并电感能够进一步增加，而偏置电流进一步减小。虽然一般来说简并特性中的这种进一步变更可引起噪声的不合需要增加，但是如果信号功率级充分高，则这种噪声可被认为是可接受的，以便获得降低的偏置电流并且因而更低的功率消耗的进一步有益效果。因此，在模式选择信号所指示的第一操作模式中，其它子模式可基于诸如信号功率之类的其它标准来选择，并且两个信号相结合以选择预期简并特性。
[0039]现在来看图10，提供使用RF分路器来接收RF信号的方法200。虽然上述方法200在下文中示为和描述为一系列动作或事件，但是将会理解，这类动作或事件的所示顺序并不是要按照限制意义来理解。例如，一些动作可按照不同顺序发生和/或与除了本文所示和/或所述之外的其它动作或事件同时发生。另外，可要求并非所有所示动作来实现本文的公开的一个或多个方面或者实施例。另外，本文所述动作的一个或多个可在一个或多个独立动作和/或阶段中执行。
[0040]方法200开始于202，其中进行关于RF分路器是工作在第一模式还是第二模式的确定。可在方法200中采用的RF分路器的一个示例在图4中示出。进行这种确定的一种非限制性方式是模式控制信号的状态。如果在202的确定是系统处于第一操作模式，则方法200进入204，其中RF输入信号仅在一个所激活LNA来接收。在一个实施例中，这通过停用除了一个预期LNA之外的所有其它并联耦合的LNA来实现。在一个实施例中，这种操作能够使用模式控制信号来执行-例如其中与停用LNA关联的共射共基放大级能够截止(参见例如图5a-5b)-或者通过将停用LNA的DC偏置设置点端子设置成停用电位(例如地，图6a_6b)或者通过两者来执行。
[0041]方法200在206在第一操作模式继续进行，其中所激活LNA具有其中设置的第一简并电感值。此外，在208对于与第一操作模式关联的所激活LNA建立第一偏置电流值。在一个实施例中，这类值能够通过按照模式控制信号开/关可编程电路来建立，例如图7-9所示。在206的第一简并电感值以及在208的第一偏置电流值共同提供RF分路器的所建立第一性能特性210，所建立第一性能特性210建立提供第一操作模式下LNA的良好噪声指数和线性度的输入阻抗。
[0042]回到在202的确定，如果RF分路器将工作在第二操作模式，则并联耦合的LNA中的两个在212例如通过使与其关联的共射共基放大级导通(若有的话)(参见例如图5a-5b)或者将LNA的DC偏置设置点设置成激活电位(参见例如图6a_6b)或者两者来激活。两个LNA的第二简并电感值则在214来建立，之后接着在216的LNA的第二偏置电流值。第二简并电感值和第二偏置电流值共同表示与在210的第一性能特性值不同的在218的RF分路器的第二性能特性值。在一个实施例中，第二性能特性值设置成提供两个LNA的与第一操作模式下单个LNA基本上相同的输入阻抗。按照上述方式，在两种模式中，建立良好噪声指数和线性度。
[0043]具体关于由上述组件或结构(组装部件、装置、电路、系统等)所执行的各种功能，除非另加说明，否则用于描述这类组件的术语(包括提到“部件”)预计对应于执行所述组件的指定功能(例如是功能等效的)任何组件或结构，即使其与执行本发明的本文所示示范实现中的功能的所公开结构不是结构等效的。另外，虽然可能针对若干实现的仅仅其中之一公开了本发明的具体特征，但是，这种特征可与对于任何给定或特定应用可能是预期或有利的其它实现的一个或多个其它特征相结合。此外，在术语“包括”、“具有”、“带有”或者其变体用于【具体实施方式】和权利要求书的方面，这类术语预计包含在内，其方式与术语“包含”相似。
【权利要求】
1.一种双模接收器，包括: RF分路器，配置成工作在两种模式，其中在第一模式，单个低噪声放大器是活动的以接收RF输入信号，而在第二模式中，两个低噪声放大器是活动的以接收所述RF输入信号； 可编程简并组件，在操作上耦合到所述RF分路器，并且可操作以在所述第一模式提供第一性能特性而在所述第二模式提供第二不同性能特性，其中所述第一和第二性能特性将所述RF分路器的输入阻抗改变成在所述第一和第二模式基本上相同。
2.如权利要求1所述的双模接收器，其中，所述第一性能特性包括第一简并电感和第一偏置电流，以及所述第二性能特性包括第二不同简并电感和第二不同偏置电流。
3.如权利要求1所述的双模接收器，其中，所述RF分路器包括: 第一低噪声放大器；以及 第二低噪声放大器， 其中所述第二低噪声放大器配置成响应模式控制信号而有选择地被激活和停用。
4.如权利要求3所述的双模接收器，其中，所述第二低噪声放大器包括偏置输入端子，其中所述第二低噪声放大器配置成在所述偏置输入端子接收第一状态的电压时被停用，而在所述偏置输入端子接收第二不同状态的电压时被激活。
5.如权利要求3所述的双模接收器，其中，所述第二低噪声放大器在其输出包括级联组件，并且其中所述级联组件配置成响应所述模式控制信号而截止以停用所述第二低噪声放大器。
6.如权利要求1所述的双模接收器，其中，所述可编程简并组件包括: 可编程电感；以及 可编程偏置电流电路， 其中在所述第一模式中，所述可编程电感提供第一电感，并且所述可编程偏置电流电路提供第一偏置电流， 其中在所述第二模式中，所述可编程电感提供第二电感，并且所述可编程偏置电流电路提供第二偏置电流，以及 其中所述第一电感大于所述第二电感，并且所述第一偏置电流小于所述第二偏置电流。
7.如权利要求6所述的双模接收器，其中，所述可编程电感包括经由多个开关以开/关方式连接在一起的多个电感，其中将被激活的所述多个开关中的两个的一段指示可编程电感的总电感，以及其中所述两个开关的选择由基于所述第一模式或者所述第二模式的选择的控制字来指示。
8.如权利要求6所述的双模接收器，其中，所述可编程偏置电流电路包括配置成基于以所述第一模式和所述第二模式的选择为基础的控制字来生成多个不同偏置电流值的可编程电流反射镜电路。
9.一种RF分路器电路，包括: 第一放大器电路，配置成接收RF输入信号； 第二放大器电路，配置成接收所述RF输入信号；以及 可编程简并组件，具有与其关联的性能特性，在操作上耦合到所述第一和第二放大器电路，并且配置成基于所述第一和第二放大器电路中的一个被激活还是两者都被激活来改变所述性能特性，由此保持基本上恒定的输入阻抗，而不管所述第一和第二放大器的一个被激活还是两者都被激活。
10.如权利要求9所述的RF分路器电路，其中，所述性能特性包括简并电感。
11.如权利要求9所述的RF分路器电路，其中，所述第一和第二放大器电路各包括配置成在向其提供预定电位时停用相应放大器电路的偏置输入端子。
12.如权利要求9所述的RF分路器电路，其中，所述第一和第二放大器电路各包括耦合到其输出的共射共基放大级，以及其中所述第一和第二放大器级的每个配置成在使相应级联级截止时有选择地被停用。
13.如权利要求9所述的RF分路器电路，其中，所述可编程简并组件包括可编程简并电感，其中在仅激活所述第一和第二放大器电路其中之一时所述可编程简并电感包含第一电感值而在激活所述第一和第二放大器电路两者时所述可编程简并电感包含第二不同电感值。
14.如权利要求13所述的RF分路器电路，其中，所述第一电感值大于所述第二电感值。
15.如权利要求13所述的RF分路器电路，其中，所述可编程简并电感包括经由相应开关有选择地耦合到中心抽头的多个串联连接电感，以及其中所述开关的状态指示所述可编程简并电感的电感值。
16.如权利要求13所述的RF分路器电路，其中，所述可编程简并组件还包括可编程电流偏置电路，所述可编程电流偏置电路配置成当仅激活所述第一和第二放大器电路其中之一时提供第一偏置电流而当激活所述第一和第二放大器电路两者时提供第二不同偏置电流。
17.如权利要求16所 述的RF分路器电路，其中，所述第一偏置电流小于所述第二偏置电流。
18.一种涉及具有多个并联低噪声放大器电路的接收器的接收RF信号的方法，包括: 确定与RF输入信号关联的操作模式； 基于所确定操作模式采用只有一个或者多个并联低噪声放大器电路来接收所述RF输入信号；以及 基于所确定操作模式来改变操作上耦合到所述多个并联低噪声放大器电路的可编程简并组件的性能特性。
19.如权利要求18所述的方法，其中，改变所述性能特性包括当仅激活所述并联低噪声放大器电路之一时建立所述可编程简并组件的第一简并电感值，而当所述多个并联低噪声放大器电路是活动时建立第二简并电感值，其中所述第一简并电感值大于所述第二简并电感值。
20.如权利要求19所述的方法，其中，改变所述性能特性还包括当只有所述并联低噪声放大器电路之一是活动时建立所述可编程简并组件的第一偏置电流值，而当所述多个并联低噪声放大器电路是活动时建立所述可编程简并组件的第二偏置电流值，其中所述第一偏置电流值小于所述第二偏置电流值。
【文档编号】H04B1/16GK103427857SQ201310301270
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2013年5月22日 优先权日:2012年5月22日
【发明者】H·施托金格, U·巴萨兰, J·施马尔, A·奈尼 申请人:英特尔移动通信有限责任公司