一种硅基单片集成相干光接收的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅基单片集成相干光接收机，包括一个耦合偏振分束器、一个光耦合器，一个分束器、两个90°相移混频器、四个平衡接收光探测器；信号光由所述耦合偏振分束器处理后分为相互垂直的第一信号光、第二信号光；本地振荡光由所述光耦合器处理后，由所述分束器分为第一本地振荡光、第二本地振荡光；所述第一本地振荡光、第一信号光均进入一个90°相移混频器；所述第二信号光、第二本地振荡光均进入另一个90°相移混频器；由两个所述90°相移混频器处理后的激光分别进入四个所述平衡接收光探测器将光信号转换为电信号。本发明具有与CMOS工艺兼容、成本低、系统构成简单、尺寸小、集成度高、测试简便、工作稳定、易于封装等优点。
【专利说明】一种硅基单片集成相干光接收机
【技术领域】
[0001]本发明涉及光通信【技术领域】，更具体涉及一种硅基单片集成相干光接收机。
【背景技术】
[0002]过去的几年里面，由于网络电视(IPTV)、高清晰度电视(HDTV)、视频点播(VOD)技术和移动互联网业务的快速发展，使运营商的骨干网络的业务流量持续增长。为了应对大容量网络带宽要求，高速传输技术成为光通信领域研究的热点。目前，随着高带宽新型业务的持续发展驱动，基于100Gb/S高速传输的应用需求日趋明显。典型如华为在荷兰皇家电信(KPN)的100Gb/S部署、阿朗在法国Completel公司的lOOGb/s升级、香港新世界电信的100Gb/s部署等。国内在第一轮测试验证以后，已开始建设商用网络。lOOGb/s技术已开始从实验室逐渐走向商用化。其中，中国移动已经率先进行了 lOOGb/s设备的大规模招标，中国电信也在2013年年初正式启动lOOGb/s设备的商用部署。但是关键的器件如lOOGb/s的调制器和接收机都需要进口，因此lOOGb/s相干发射和接收机的研究迫在眉睫。
[0003]传统的波分复用(WDM)技术由于采用简单的通断键控(00K)调制格式，频谱利用率低。近些年，采用多电平调制、多相位调制和相干光接收技术成为实现高频谱效率和高速传输系统的一种重要技术。相干接收的特点主要表现在与新型调制技术相结合上:通过与新型调制技术相结合，能在同样通信速率下降低信道速率，降低对光电子器件速率的要求，提高色散容限。这是由于与传统的强度调制格式相比，新型调制格式的光谱效率更高，一个光脉冲可以携带很多个比特的信息。例如在双极性正交移相键控(DP-QPSK)调制格式的100Gb/s通信系统，其波特率仅为25G波特，因此使用DP-QPSK调制格式，既能提高色散容限，又能降低对光电子器件速率的要求。另外，相干探测还可以把光学信号的幅度、相位和偏振信息都转化成电域的，具有高灵敏度、与数字信号处理相结合来补偿色散带来的光信号损伤的能力。
[0004]目前实验室常用的高速光纤传输系统中的相干接收机都是由分立器件搭建的:包括耦合器、偏振分束器/合束器、混频器、探测器等。很难保证各个器件单元之间连接时的插入损耗、光程长度的精确匹配，效率低、成本高、无法集成、工作不稳定，体积及功耗成为急需解决的瓶颈问题。
[0005]当前光通信的一个发展趋势是，光通信系统的各个分立器件也将逐渐被集成在单一接收机上，只有集成化才能实现高密度、低成本、低能耗，满足未来信息社会环保绿色的需求。硅基光电集成技术由于和互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容，具有集成度高、成本低、工作稳定等特点，特别适合解决当前光通信系统所遇到的这些瓶颈问题，成为光通信、光电子领域的研究热点。
[0006]硅基单片集成回路(PIC)可以较容易地保证各个器件单元之间连接时的插入损耗、光程长度的精确匹配和平衡，大大减小器件的尺寸和封装的成本，提高了系统的稳定性。日前，硅基光电子器件的部分技术指标已经达到商用器件的水平，并由于其和CMOS兼容、可以大规模集成、成本低的优点成为业界和科研机构普遍关注的100Gb/s光电子集成接收机的重要解决方案。在单个器件研制成功的基础上，Bell实验室利用硅基光电子集成技术先后开发了高速相干接收接收机，2011年报道了世界上第一个在硅基上制备和封装的相干光接收机，速率达112Gb/s，2013年又完成了 224Gb/s的硅基集成相干接收机。
[0007]在这些集成方案中，光接收机可以包括光耦合器，光分束器，90°光混频器，平衡接收光探测器。光耦合器可以将光纤中的信号耦合到单片集成接收机中，光分束器可以基于偏振来分离入射光束的不同偏振分离，以便分别进行处理。光混频器可以将接收到的调制光载波与来自光本地振荡器的相干光进行光学地混合以产生下混频的光信号。平衡接收光探测器可以探测这种下混频的光信号的强度来解调出电信号，该电信号可通过离线数字信号处理，来恢复由接收到的调制光载波所携带的数据信息。但是在贝尔实验室的具体实施方案中，第一种集成接收机采用了 2X2多模干涉仪(MMI)来实现光学混频，需要热相移来实现输入光信号的90°的相位差，增加了系统的单元器件的数目和测试的复杂度。第二种集成接收机，信号光和本振光均采用端面耦合进入平面光波导中，增加了对准的难度；采用偏振控制器(PBS)把耦合光分成横电(TE)和横磁(TM)光，然后采用偏振转换器(Polarizat1nRotator)把TM光转成TE光,增加了单元器件的数量以及系统的复杂度，采用4 X 4MMI进行光学混频，由于混频器输出的从上到下的1-4路信号中，I路与4路、2路与3路的相位分别相差180°，这四路信号分别输入对应的硅基锗光电探测器中。按照上述对应的相位差的关系，将硅基锗光电探测器与互阻放大器(TIA)进行引线键合(Wire bonding)时会出现键合线的交叉，处理不当会使得TIA的输入出现错误，不能正确地解调出调制光载波所携带的数据信息。
【发明内容】
[0008](一 )要解决的技术问题
[0009]本发明要解决的技术问题是如何实现相干光接收机在保证高集成度、体积小的情况下，保证相干光接收机稳定的工作。
[0010](二)技术方案
[0011]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种硅基单片集成相干光接收机，所述一种娃基单片集成相干光接收机包括一个稱合偏振分束器、一个光稱合器，一个分束器、第一90°相移混频器、第二 90°相移混频器以及四个平衡接收光探测器；
[0012]信号光由所述稱合偏振分束器处理后分为相互垂直的第一信号光、第二信号光；本地振荡光由所述光I禹合器处理后，由所述分束器分为与所述第一信号光同向的第一本地振荡光、与所述第二信号光同向的第二本地振荡光；所述第一本地振荡光、第一信号光均进入所述第一 90°相移混频器；所述第二信号光、第二本地振荡光均进入所述第二 90°相移混频器；由所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器处理后的激光分别进入四个所述平衡接收光探测器将光信号转换为电信号。
[0013]优选地，所述耦合偏振分束器、光耦合器，分束器、第一 90°相移混频器、第二90°相移混频器以及平衡接收光探测器之间通过平面光波导建立光连接通道。
[0014]优选地，所述平面光波导与传输的光信号的模式对应。
[0015]优选地，所述耦合偏振分束器将所述信号光由单模光纤耦合进入二维光栅，由所述二维光栅完成信号光的偏振转换，并将偏振转换后的信号光分为传播方向相互垂直的两束光射出。
[0016]优选地，所述二维光栅可通过在绝缘衬底上的硅片上刻蚀周期性的二维光子晶体获得。
[0017]优选地，所述光耦合器通过单模光纤将所述本地振荡光耦合进入一维光栅，之后传送给所述分束器。
[0018]优选地，所述一维光栅为在绝缘衬底上的硅片上刻蚀周期性光栅形成，具体为全刻蚀光栅，或浅刻蚀光栅，或均勻光栅，或二兀闪耀光栅。
[0019]优选地，所述分束器为将所述本地振荡光分为功率相等的两束光，采用1X2的多模干涉仪分束器。
[0020]优选地，所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器均将光波的相位偏移90°，并实现光波的混频。
[0021]优选地，所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器均由单个2X4的多模干涉仪实现，或是由2X4的多模干涉仪I与2X2的多模干涉仪级联实现；
[0022]由所述第一 90°相移混频器或第二 90°相移混频器分别输出1-4路混频光，其中I路混频光与2路混频光的相位相差180°，且进入同一个所述平衡接收光探测器；3路混频光与4路混频光的相位相差180°，且进入另一个所述平衡接收光探测器，避免了波导的交叉。
[0023]优选地，所述平衡接收光探测器由两个光电探测器串联形成，串联节点输出解调出的电信号。
[0024]优选地，所述光电探测器是波导集成的探测器。
[0025]优选地，所述光电探测器全锗光电探测器或者硅基锗光电探测器。
[0026]优选地，所述一种硅基单片集成相干光接收机表面覆盖保护材料。
[0027](三)有益效果
[0028]本发明提供了一种硅基单片集成相干光接收机，本发明具有如下优点:
[0029]本发明的所有元件均采用硅基材料实现，与CMOS工艺兼容，成本低；
[0030]与传统光通信系统由分立器件搭建起来不同，本发明在一块芯片上实现了相干光接收机所有单元器件的集成，克服了传统光通信系统受分立器件工作稳定性及器件间连接稳定性的影响，因而确保了工作稳定。同时，本发明中，将传统耦合器、偏振转换器、分束器分别用一个光栅来实现，将90°相移器和混频器用一个2X4MMI和2X2丽I级联实现；信号光一旦耦合进相干光接收机芯片，所有的光成了 TE偏振态，因此不需要采用偏振转换器(Polarizat1n Rotator),减少了单元器件数量,进一步提高了工作稳定性；
[0031]本发明的相干光接收机包含的单元器件数量较少，从而减小了整体的尺寸，采用的90°相移混频器是由一个楔形2X4MMI和2X2MMI级联而成的，是目前所报道的90°相移混频器中长度最短的器件；采用的波导集成的硅基锗光电探测器的长度只有ΙΟμπι，进一步减小了集成接收机的尺寸，本发明整体接收机的面积仅为贝尔实验室最新报道的接收机面积的一半；本发明分别米用一个二维光栅和一个一维光栅来将信号光和本振光稱合进波导中，避免了波导端面耦合的复杂操作和光纤对准时光信号的不稳定性，使得测试简便、对准时光信号稳定性好；同时由于90°相移混频器的特殊设计使得输出的从上到下的1-4路混频光中，I路与2路、3路与4路的相位分别相差180°，与平衡接收光探测器相连时避免了波导的交叉，易于后期平衡接收光探测器与商用TIA的键合封装。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的原理框图；
[0034]图2为本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的耦合偏振分束器结构示意图；
[0035]图3为本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的光耦合器结构示意图；
[0036]图4为本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的分束器结构示意图；
[0037]图5本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的90°相移混频器结构示意图；
[0038]图6为本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的平衡接收光探测器结构示意图；
[0039]图7(a)、7(b)是本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的波导集成的硅基锗光电探测器的结构示意图、横截面图；
[0040]图8(a)、8(b)为本发明的一种硅基单片集成相干光接收机的两种平面光波导的横截面图。
【具体实施方式】
[0041]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。
[0042]本发明公开了一种硅基单片集成相干光接收机，如图1所示，所述一种硅基单片集成相干光接收机包括一个稱合偏振分束器、一个光稱合器，一个分束器、第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器以及四个平衡接收光探测器；信号光由所述耦合偏振分束器处理后分为相互垂直的第一信号光Sx、第二信号光Sy ;本地振荡光由所述光I禹合器处理后，由所述分束器分为与所述第一信号光同向的第一本地振荡光Lx、与所述第二信号光同向的第二本地振荡光Ly ;所述本地振荡光仅包含TE分量；所述第一本地振荡光Lx、第一信号光Sx均进入所述第一 90°相移混频器；所述第二信号光Sy、第二本地振荡光Ly均进入所述第二90°相移混频器；由所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器处理后的激光分别进入四个所述平衡接收光探测器将光信号转换为电信号。其中所述耦合偏振分束器、光耦合器，分束器、第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器以及平衡接收光探测器之间通过平面光波导建立光连接通道；所述平面光波导与传输的光信号的模式对应，本发明中为TE平面光波导。
[0043]本发明的所有器件，包括耦合偏振分束器、光耦合器，分束器、第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器以及四个平衡接收光探测器均为绝缘体上的硅材料，或体硅材料或者是硅衬底上的化合物半导体材料。
[0044]所述耦合偏振分束器将所述信号光由单模光纤耦合进入二维光栅，由所述二维光栅完成信号光的偏振转换，并将偏振转换后的信号光分为传播方向相互垂直的两束光(X方向和Y方向上的两束光)射入平面光波导，如图2所不。信号光中含有TE光和TM光分量，一旦稱合进所述稱合偏振分束器，所有的模态的光都成了 TE偏振态。
[0045]所述二维光栅是通过在绝缘衬底上的硅片上SOI刻蚀周期性的二维光子晶体获得。晶格周期等于硅波导中TE模式的波长，光子晶体的刻蚀深度为d，实际加工时，可以通过控制d等参数控制二维光栅的耦合效率和分束比等参数。
[0046]所述光耦合器将所述本地振荡光耦合进入一维光栅；所述一维光栅为在绝缘衬底SOI上的硅片上刻蚀周期性光栅形成，具体为全刻蚀光栅，或浅刻蚀光栅，或均匀光栅，或二元闪耀光栅。其中SOI硅片顶层硅厚度为a，埋氧层厚度为h，光栅周期为T(T = g+Y)，其中g为顶层硅的刻蚀宽度，Y为脊宽度。光栅占空比为x(占空比定义为每个光栅周期内被刻蚀区域与光栅周期的比值，即X = g/T = g/(g+r))，光栅刻蚀深度为d，光纤的入射角度是Φ。实际加工时，可以通过控制T、x、d等参数控制光栅的耦合效率和光谱宽度等参数，如图3所示。
[0047]所述分束器采用1X2的多模干涉仪形成，将所述本地振荡光分为50/50的两路光，如图5所示。
[0048]所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器均将光波的相位偏移90ο，并实现光波的混频。所述第一90°相移混频器、第二90°相移混频器均由单个2X4的多模干涉仪(MMI)实现，或是由2X4的多模干涉仪与2X2的多模干涉仪级联实现，不需要级联相移器；由所述第一 90°相移混频器或第二 90°相移混频器分别输出1-4路混频光，其中I路混频光与2路混频光的相位相差180°，且进入同一个所述平衡接收光探测器；3路混频光与4路混频光的相位相差180°，且进入另一个所述平衡接收光探测器，与所述平衡接收光探测器相连时避免了波导的交叉。所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器均为TE光的90°相移混频器。对于所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器，可通过缩小2X4MMI输入端的宽度，减小激发的模式数，同时也可以有效地消除高阶模间很大的相位偏差。实际设计加工时，通过改变2X4MMI输入端的宽度Wa、输出端的宽度Wb、2X4MMI的长度L2_4以及2X2丽I的长度L2_2来控制消光比、共模拟制比、相位偏差等参数，如图5所示。
[0049]所述平衡接收光探测器由两个光电探测器串联形成，如图6所示，串联节点S输出解调出的电信号；所述光电探测器是波导集成的探测器。所述光电探测器全锗光电探测器或者娃基错光电探测器。
[0050]具体连接时，第一光电探测器的PN结的N极与第二光电探测器的PN结的P极相连，并在所述第一光电探测器的P极连接负偏压，在所述第二光电探测器的N极连接正偏压，在S端输出差分后的电信号；同时，为了使交流信号的G能连到光电探测器上，同时保证高频信号的输出和直流偏置分离开，本发明设计了接收机上(on-chip)电容Cl、C2来确保光电探测器的高频等效回路的正确性，从而可以避免因采用接收机外(off-chip)电容而带来的测试的复杂性。
[0051]如图7(a)、7(b)所示，是本发明中波导集成的硅基锗光电探测器的结构示意图和横截面图。其中锗层是生长在P型掺杂的硅波导上的，通过对锗顶部掺杂来获得N型锗，从而形成垂直的PIN结构。光电探测器的阳极和阴极分别是在N型重掺杂的锗材料和P型重掺杂的娃材料上形成的。通过米用波导集成的结构，由于光的传播方向、吸收方向和光生载流子的收集方向是相互垂直的，因此可以克服垂直入射的光电探测器的量子效率和带宽之间的制约关系，在获得高带宽的同时，保证了高的量子效率。采用PIN结构，使得加工工艺简单，器件偏置电压小。实际设计加工时，可通过优化锗的生长的工艺条件，以及器件的表面钝化等方式来控制器件的暗电流。通过控制锗层的宽度W、高度H、长度L来控制器件的响应度、带宽等参数。
[0052]本发明中的四对光电探测器形成四个平衡接收光探测器，分别解调输出一路(X方向)TE光的I路信息、Q路信息和另外一路(Y方向)TE光的I路信息、Q路信息，其中I代表解调后的同相分量，Q代表解调输出的正交分量，具体为:所述第一 90°相移混频器输出的I路混频光SfL5^P 2路混频光Sx-Lx进入一平衡接收光探测器，经过光电转换后输出TE光X方向的I路信息Ix ;所述第一 90°相移混频器输出的3路混频光Sx+jLx和4路混频光Sx-jLx进入另一衡接收光探测器，经过光电转换后输出TE光X方向的Q路信息Qx ;所述第二 90°相移混频器输出的I路混频光SY+LY和2路混频光Sy-Ly进入一平衡接收光探测器，经过光电转换后输出TE光Y方向的I路信息Iy ;所述第二 90°相移混频器输出的3路混频光SY+jLY和4路混频光SY-jLY进入另一衡接收光探测器，经过光电转换后输出TE光Y方向的Q路信息Qy。
[0053]图8(a)、8(b)是本发明的平面光波导的两种实施实例的横截面图，图8 (a)为条形波导，波导宽度是W，这种波导结构是将绝缘体上硅(SOI)材料的顶层硅(厚度是H)全部刻蚀而形成的，其中t是二氧化硅埋氧层的厚度。图8(b)为脊型波导，波导宽度是W，这种波导结构是将SOI材料的顶层硅部分刻蚀(刻蚀深度是D)而形成的。通过控制波导的W、H、t、D等参数，可以控制波导的特性，设计适合传TE光的波导。
[0054]本发明的一种硅基单片集成相干光接收机表面可以覆盖其他保护材料，也可以不覆盖其他保护材料。优选地，所述保护材料是S12材料，采用化学气相沉积的方法在器件表面长了一层S12，用来保护器件表面。
[0055]本发明提供的一种硅基单片集成相干光接收机，其所有元件均采用硅基材料实现，与CMOS工艺兼容，成本低；与传统光通信系统由分立器件搭建起来不同，本发明在一块芯片上实现了相干光接收机所有单元器件的集成，克服了传统光通信系统受分立器件工作稳定性及器件间连接稳定性的影响，因而确保了工作稳定。同时，本发明中，将传统耦合器、偏振转换器、分束器分别用一个光栅来实现，将90°相移器和混频器用一个2X4MMI和2X2MMI级联实现；信号光一旦耦合进相干光接收机芯片，所有的光成了 TE偏振态，因此不需要采用偏振转换器(Polarizat1n Rotator),减少了单元器件数量,进一步提高了工作稳定性。本发明的相干光接收机包含的单元器件数量较少，从而减小了整体的尺寸，采用的90°相移混频器是由一个楔形2X4MMI和2X2MMI级联而成的，是目前所报道的90°相移混频器中长度最短的器件；采用的波导集成的硅基锗光电探测器的长度只有ΙΟμπι，进一步减小了集成接收机的尺寸，本发明整体接收机的面积仅为贝尔实验室最新报道的接收机面积的一半；本发明分别米用一个二维光栅和一个一维光栅来将信号光和本振光稱合进波导中，避免了波导端面耦合的复杂操作和光纤对准时光信号的不稳定性，使得测试简便、对准时光信号稳定性好；同时由于90°相移混频器的特殊设计使得输出的从上到下的1-4路混频光中，I路与2路、3路与4路的相位分别相差180°，与平衡接收光探测器相连时避免了波导的交叉，易于后期平衡接收光探测器与商用TIA的键合封装。
[0056]以上实施方式仅用于说明本发明，而非对本发明的限制。尽管参照实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本发明的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【权利要求】
1.一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述一种硅基单片集成相干光接收机包括一个稱合偏振分束器、一个光稱合器，一个分束器、第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器以及四个平衡接收光探测器； 信号光由所述耦合偏振分束器处理后分为相互垂直的第一信号光、第二信号光；本地振荡光由所述光I禹合器处理后，由所述分束器分为与所述第一信号光同向的第一本地振荡光、与所述第二信号光同向的第二本地振荡光；所述第一本地振荡光、第一信号光均进入所述第一 90°相移混频器；所述第二信号光、第二本地振荡光均进入所述第二 90°相移混频器；由所述第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器处理后的激光分别进入四个所述平衡接收光探测器将光信号转换为电信号。
2.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述耦合偏振分束器、光耦合器，分束器、第一 90°相移混频器、第二 90°相移混频器以及平衡接收光探测器之间通过平面光波导建立光连接通道；所述平面光波导与传输的光信号的模式对应。
3.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述耦合偏振分束器将所述信号光由单模光纤耦合进入二维光栅，由所述二维光栅完成信号光的偏振转换，并将偏振转换后的信号光分为传播方向相互垂直的两束光输出；所述二维光栅是通过在绝缘衬底上的硅片上刻蚀周期性的二维光子晶体获得。
4.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述光耦合器通过单模光纤将所述本地振荡光耦合进入一维光栅，之后传送给所述分束器；所述一维光栅为在绝缘衬底上的硅片上刻蚀周期性光栅形成，具体为全刻蚀光栅，或浅刻蚀光栅，或均匀光栅，或二元闪耀光栅。
5.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述分束器为将所述本地振荡光分为均等的两束，采用1X2的多模干涉仪分束器。
6.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述第一90°相移混频器、第二 90°相移混频器均将光波的相位偏移90°，并实现光波的混频。
7.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述第一90°相移混频器、第二90°相移混频器均由单个2X4的多模干涉仪实现，或是由2X4的多模干涉仪与2X2的多模干涉仪级联实现； 由所述第一 90°相移混频器或第二 90°相移混频器分别输出1-4路混频光，其中I路混频光与2路混频光的相位相差180°，且进入同一个所述平衡接收光探测器；3路混频光与4路混频光的相位相差180°，且进入另一个所述平衡接收光探测器。
8.根据权利要求1所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述平衡接收光探测器由两个光电探测器串联形成，串联节点输出解调出的电信号。
9.根据权利要求11所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述光电探测器是波导集成的全锗光电探测器或者硅基锗光电探测器。
10.根据权利要求1至9任一项所述的一种硅基单片集成相干光接收机，其特征在于，所述一种硅基单片集成相干光接收机表面覆盖保护材料。
【文档编号】H04B10/07GK104467981SQ201410539976
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年10月13日 优先权日:2014年10月13日
【发明者】周治平, 涂芝娟, 王兴军, 龚攀, 杨威, 余丽 申请人:北京大学