图像传感器的像素单元和图像传感器的制造方法

文档序号:7831175阅读:233来源:国知局
图像传感器的像素单元和图像传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开一种图像传感器的像素单元和图像传感器,图像传感器的像素单元包括:复位模块的控制端与复位控制信号提供端相连,复位模块的第一端与电源提供端相连;光电转换模块的一端接地;传输模块的控制端与传输控制信号提供端相连,传输模块的第一端与光电转换模块的另一端相连,传输模块的第二端与复位模块的第二端相连;钳位模块的第一端分别与复位模块的第二端和传输模块的第二端相连,钳位模块的第二端与第一预设电平提供端相连;输出模块的控制端分别与复位模块的第二端、传输模块的第二端和钳位模块的第一端相连,输出模块的第一端与电源提供端相连,输出模块的输出端与图像传感器的列读出电路相连。本实用新型能够防止出现太阳黑斑。
【专利说明】图像传感器的像素单元和图像传感器

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及图像处理【技术领域】,特别涉及一种图像传感器的像素单元和一种图像传感器。

【背景技术】
[0002]互补型金属氧化物半导体场效应图像传感器简称CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor,互补型金属氧化物半导体)图像传感器,CMOS图像传感器的主要构成为模拟信号处理部分和数字图像信号处理部分。具体地,CMOS图像传感器主要包括PixelArray (像素单元)、控制电路、模拟前端处理电路、A/D转换器、图像信号处理电路和相关存储单元等。随着CMOS图像传感器的发展,人们对CMOS图像传感器的研究也越来越深入,其性能也得到显著的提升。但是,由于CMOS图像传感器工艺结构及本身的原因,当光线过强时,图像传感器的复位采样信号的电压会下降,并且在光强超过一定限度后,复位采样信号下降速率随着光强的增大而增加。这种现象就会导致图像传感器在光强较强的情况下出现太阳黑斑现象,例如对着太阳拍照时,相片中太阳的中心区域出现一定范围的黑斑。
[0003]相关技术为了避免出现这种太阳黑斑现象,通过以下两种方式来去除太阳黑斑。1,通过数字的方式:首先对是否出现太阳黑斑现象进行判断,当认为出现太阳黑斑现象时,对黑斑区域进行补偿,即调整黑斑区域以使黑斑区域和黑斑周围区域的亮度值达到一致。2,通过模拟的方式:首先对是否出现太阳黑斑现象进行判断,即判断复位采样电平和基准电平之间的差异,当差异超过一定值则判断出现太阳黑斑现象,进而采用固定电平产生电路产生的固定电平充当复位采样电平来矫正因复位采样电平下降而造成的太阳黑斑现象。
[0004]相关技术中通过数字的方式和模拟的方式进行太阳黑斑去除,存在以下缺点:1,数字的方式很容易出现误判,即对是否出现太阳黑斑现象判断不准确。例如可能对黑色物体进行误判,因为黑色物体的表现形式类似于太阳黑斑,或不能对太阳黑斑进行正确判断,例如认为太阳黑斑是黑色物体等。2,模拟的方式采用固定电平产生电路产生的固定电平充当复位采样电平来进行太阳黑斑矫正,虽然不至于出现误判现象,但是,这样会给采样电路带来过多的噪声。因此,需要对相关技术进行改进。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的旨在至少从一定程度上解决上述的技术问题之一。
[0006]为此,本实用新型的一个目的在于提出一种图像传感器的像素单元,该图像传感器的像素单元可以准确的去除太阳黑斑而无需加入固定电平产生电路,大大减小了信号链的噪声。本实用新型的另一个目的在于提出一种图像传感器。
[0007]为达到上述目的,本实用新型一方面提出了一种图像传感器的像素单元,该图像传感器的像素单元包括:复位模块,所述复位模块的控制端与复位控制信号提供端相连,所述复位模块的第一端与图像传感器的电源提供端相连;光电转换模块,所述光电转换模块的一端接地;传输模块,所述传输模块的控制端与传输控制信号提供端相连,所述传输模块的第一端与所述光电转换模块的另一端相连,所述传输模块的第二端与所述复位模块的第二端相连;钳位模块,所述钳位模块的第一端分别与所述复位模块的第二端和所述传输模块的第二端相连,所述钳位模块的第二端与第一预设电平提供端相连;以及输出模块,所述输出模块的控制端分别与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述钳位模块的第一端相连,所述输出模块的第一端与所述电源提供端相连,所述输出模块的输出端与图像传感器的列读出电路相连。
[0008]本实用新型提出的图像传感器的像素单元,通过增加钳位模块以自动对复位模块的第二端电压进行钳位,从而防止当前像素单元出现太阳黑斑现象,且无需加入固定电平产生电路,大大减小了信号链的噪声。
[0009]进一步地,所述钳位模块为NMOS晶体管或PMOS晶体管或二极管。
[0010]进一步地,当所述钳位模块为NMOS晶体管时,所述NMOS晶体管的第一端分别与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述输出模块的控制端相连,所述NMOS晶体管的第二端分别与所述NMOS晶体管的控制端和所述第一预设电平提供端相连。
[0011]进一步地,当所述钳位模块为PMOS晶体管时,所述PMOS晶体管的第一端分别与所述PMOS晶体管的控制端、所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述输出模块的控制端相连,所述PMOS晶体管的第二端与所述第一预设电平提供端相连。
[0012]进一步地,当所述钳位模块为二极管时,所述二极管的阴极与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述输出模块的控制端相连,所述二极管的阳极与所述第一预设电平提供端相连。
[0013]进一步地,所述光电转换模块为光电二极管,所述光电二极管的阳极接地。
[0014]进一步地,所述输出模块包括:源跟随子模块,所述源跟随子模块的控制端分别与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述钳位模块的第一端相连,所述源跟随子模块的第一端与所述电源提供端相连;以及行选通子模块,所述行选通子模块的第一端与所述源跟随子模块的第二端相连,所述行选通子模块的第二端与所述图像传感器的列读出电路相连。
[0015]进一步地,所述复位模块、所述传输模块、所述源跟随子模块和所述行选通子模块为NMOS晶体管。
[0016]进一步地,所述图像传感器为CMOS图像传感器。
[0017]为达到上述目的,本实用新型另一方面还提出了一种图像传感器,该图像传感器包括行译码电路、采样电路、列译码电路、模拟信号处理电路、模数转换电路和像素单元阵列,其中,所述像素单元阵列包括多个所述的图像传感器的像素单元。
[0018]本实用新型提出的图像传感器通过在图像传感器的像素单元中增加钳位模块以自动对复位模块的第二端电压进行钳位,从而防止当前像素单元出现太阳黑斑现象,且无需加入固定电平产生电路,大大减小了信号链的噪声。
[0019]本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。

【专利附图】

【附图说明】
[0020]本实用新型上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0021]图1为传统图像传感器的像素单元的结构示意图;
[0022]图2为当光线正常时,传统图像传感器的像素单元的控制时序和输出电压信号的波形示意图;
[0023]图3为当光线过强时,传统图像传感器的像素单元的控制时序和输出电压信号的波形示意图;
[0024]图4为根据本实用新型实施例的图像传感器的像素单元的结构框图;
[0025]图5为根据本实用新型一个实施例的图像传感器的像素单元的电路结构示意图;
[0026]图6为根据本实用新型另一个实施例的图像传感器的像素单元的电路结构示意图;
[0027]图7为根据本实用新型再一个实施例的图像传感器的像素单元的电路结构示意图;
[0028]图8为根据本实用新型实施例的当光线正常时,图像传感器的像素单元的控制时序和输出电压信号的波形示意图;
[0029]图9为根据本实用新型实施例的当光线过强时,图像传感器的像素单元的控制时序和输出电压信号的波形示意图;以及
[0030]图10为根据本实用新型实施例的图像传感器的结构示意图。

【具体实施方式】
[0031]下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。
[0032]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本实用新型。此外,本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外,本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外,以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例,也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例,这样第一和第二特征可能不是直接接触。
[0033]在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0034]下面参照附图来描述根据本实用新型实施例提出的图像传感器的像素单元I和图像传感器。
[0035]首先参照附图来描述传统图像传感器的像素单元中出现太阳黑斑现象的原因。
[0036]图1为传统图像传感器的像素单元的结构示意图,其中,Q1’为复位晶体管,Q2’为传输晶体管,D1’为光电二极管,FD’为浮置扩散节点,Vout’为输出端,浮置扩散节点FD’的电压大小与输出端Vout’的电压大小成比例关系。
[0037]图2为当光线正常时,传统图像传感器的像素单元的控制时序和输出电压信号的波形示意图。其中,RST’为复位晶体管Q1’的控制时序,TX’为传输晶体管Q2’的控制时序,SHR’ /SHS’为复位信号米样时序/光电子信号米样时序,Signal’为输出端Vout’的输出电压信号。具体地,当RST’为高电平时,复位晶体管Q1’导通,复位晶体管Q1’输出复位信号至浮置扩散节点FD’和输出端Vout’,当SHR’为高电平时,采样浮置扩散节点FD’或输出端Vout’的复位信号以获取复位采样信号值Vshr’。当TX’为高电平时,传输晶体管Q2’导通,传输晶体管Q2’输出光电二极管D1’的光电子信号至浮置扩散节点FD’和输出端Vout’,当SHS’为高电平时,采样浮置扩散节点FD’或输出端Vout’的光电子信号以获取光电子采样信号值Vshs’。如图2所示,复位采样信号值Vshr’和光电子采样信号值Vshs’的差值M,即为图像信号,光电子信号越大即光线越强,复位采样信号值Vshr’和光电子采样信号值Vshs’的差值AV’就会越大。但是,如图3所示,当光线过强时,浮置扩散节点FD’和输出端Vout’的电压会在复位后迅速下降,此时,复位采样信号值Vshr’下掉。由于出现这样的差异导致图像信号即复位采样信号值Vshr’和光电子采样信号值Vshs’的差值AV’减小,从而出现太阳黑斑现象。需要说明的是,理想情况下,复位采样信号值Vshr’不下掉。
[0038]下面参照附图来描述根据本实用新型实施例提出的图像传感器的像素单元1。
[0039]如图4所示,本实用新型实施例的图像传感器的像素单元1包括:复位模块10、光电转换模块20、传输模块30、钳位模块40以及输出模块50。其中,复位模块10的控制端与复位控制信号提供端A相连,复位模块10的第一端与图像传感器的电源提供端D相连。光电转换模块20的一端接地。传输模块30的控制端与传输控制信号提供端B相连,传输模块30的第一端与光电转换模块20的另一端相连,传输模块30的第二端与复位模块10的第二端相连。钳位模块40的第一端分别与复位模块10的第二端和传输模块30的第二端相连,钳位模块40的第二端与第一预设电平提供端C相连,复位模块10的第二端和传输模块30的第二端之间具有浮置扩散节点FD。输出模块50的控制端分别与复位模块10的第二端、传输模块30的第二端和钳位模块40的第一端相连,输出模块50的第一端与电源提供端D相连,输出模块50的输出端Vout与图像传感器的列读出电路2相连。
[0040]具体地,在本实用新型的一个实施例中,图像传感器可以为CMOS图像传感器等。进一步地,在本实用新型的一个实施例中,如图5、图6和图7所示,光电转换模块20可以为光电二极管,光电二极管的阳极接地。进一步地,在本实用新型的一个实施例中,钳位模块40可以为NM0S晶体管或PM0S晶体管或二极管。另外,如图5、图6和图7所示,在本实用新型的一个实施例中,复位模块10和传输模块30可以为NM0S晶体管。
[0041]进一步地,在本实用新型的一个实施例中,当钳位模块40为NM0S晶体管时,NM0S晶体管的第一端分别与复位模块10的第二端、传输模块30的第二端和输出模块50的控制端相连,NM0S晶体管的第二端分别与NM0S晶体管的控制端和第一预设电平提供端C相连。具体地,在本实用新型的一个实施例中,当钳位模块40为NM0S晶体管时,图像传感器的像素单元1的电路结构如图5所示。其中,复位模块10为第一 NM0S晶体管Q1,光电转换模块20为第一光电二极管Dl,传输模块30为第二 NMOS晶体管Q2,钳位模块40为第三NMOS晶体管Q3,FDl为第一浮置扩散节点,Voutl为第一输出端,第一浮置扩散节点FDl的电压大小与第一输出端Voutl的电压大小成比例关系。
[0042]此外,在本实用新型的另一个实施例中,当钳位模块40为PMOS晶体管时,PMOS晶体管的第一端分别与PMOS晶体管的控制端、复位模块10的第二端、传输模块30的第二端和输出模块50的控制端相连,PMOS晶体管的第二端与第一预设电平提供端C相连。具体地,在本实用新型的一个实施例中,当钳位模块40为PMOS晶体管时,图像传感器的像素单元I的电路结构如图6所示。其中,复位模块10为第四NMOS晶体管Q4,光电转换模块20为第二光电二极管D2,传输模块30为第五NMOS晶体管Q5,钳位模块40为PMOS晶体管Q,FD2为第二浮置扩散节点,Vout2为第二输出端,第二浮置扩散节点FD2的电压大小与第二输出端Vout2的电压大小成比例关系。
[0043]具体地,如图7所示,在本实用新型的再一个实施例中,当钳位模块40为二极管D时,二极管D的阴极与复位模块10的第二端、传输模块30的第二端和输出模块50的控制端相连,二极管D的阳极与第一预设电平提供端C相连。进一步地,如图7所示,复位模块10为第六NMOS晶体管Q6,光电转换模块20为第三光电二极管D3,传输模块30为第七NMOS晶体管Q7,钳位模块40为二极管D4,FD3为第三浮置扩散节点,Vout3为第三输出端,第三浮置扩散节点FD3的电压大小与第三输出端Vout3的电压大小成比例关系。
[0044]进一步地,图8为当光线正常时,图像传感器的像素单元I的控制时序和输出电压信号的波形示意图,其中,RST为复位控制信号提供端A提供的复位控制信号时序,TX为传输控制信号提供端B提供的传输控制信号时序,Vsc为第一预设电平提供端C提供的第一预设电平信号时序,SHR/SHS为复位信号米样时序/光电子信号米样时序,Signal为输出端Vout例如第一输出端Voutl、第二输出端Vout2、第三输出端Vout3的输出电压信号。如图8所示,当进行复位信号采样时,复位信号采样时序SHR中复位信号采样脉冲SHRl的持续时间在第一预设电平信号时序Vsc中高电平脉冲Vscl的持续时间内,因此,图像传感器的像素单元I在高电平脉冲Vscl的持续时间内完成复位采样信号值Vshr的采样。
[0045]进一步地,如图9所示,当光线过强时,若在复位采样信号值Vshr的采样过程中出现太阳黑斑现象,则第一浮置扩散节点FD1、第二浮置扩散节点FD2、第三浮置扩散节点FD3的电压会在复位后迅速下降,但由于钳位模块40例如第三NMOS晶体管Q3、PM0S晶体管Q、二极管D4的存在,当高电平脉冲Vscl的电压VSC减浮置扩散节点例如第一浮置扩散节点FD1、第二浮置扩散节点FD2、第三浮置扩散节点FD3的电压之差大于或等于预设电压Vl时,钳位模块40例如第三NMOS晶体管Q3、PMOS晶体管Q、二极管D4导通,使得浮置扩散节点FD例如第一浮置扩散节点FDl、第二浮置扩散节点FD2、第三浮置扩散节点FD3的电压钳位在VSC-Vl,从而使得复位采样信号值Vshr钳位到一定电压之上,例如1.7V之上。另外,如图9所示,当进行光电子信号采样时,第一预设电平信号时序Vsc为低电平,对光电子采样信号值Vshs没有影响,复位采样信号值Vshr正常输出。因此,本实用新型实施例的图像传感器的像素单元I可以消除当前像素单元因Vshr-Vshs即图像信号Λ V减小而导致的太阳黑斑现象,且钳位模块40位于当前像素单元内部,无需加入固定电平产生电路,大大减小了信号链的噪声。
[0046]进一步地,如图5、图6和图7所示,在本实用新型的一个实施例中,输出模块50可以包括:源跟随子模块501以及行选通子模块502。其中,源跟随子模块501的控制端分别与复位模块10的第二端、传输模块30的第二端和钳位模块40的第一端相连,源跟随子模块501的第一端与电源提供端相连。行选通子模块502的第一端与源跟随子模块的第二端相连,行选通子模块502的第二端与图像传感器的列读出电路2相连。具体地,如图5、图6和图7所示,在本实用新型的一个实施例中,源跟随子模块501和行选通子模块502可以为NMOS晶体管。
[0047]本实用新型提出的图像传感器的像素单元,通过增加钳位模块以自动对浮置扩散节点的电压进行钳位,从而防止当前像素单元出现太阳黑斑现象,且钳位模块位于当前像素单元内部,无需加入固定电平产生电路,大大减小了信号链的噪声。
[0048]下面参照附图来描述根据本实用新型实施例提出的图像传感器。
[0049]如图10所示,本实用新型另一方面提出的图像传感器包括行译码电路2、采样电路3、列译码电路4、模拟信号处理电路5例如ASP (Analog Signal Processor,模拟信号处理器)、模数转换电路6和像素单元阵列7例如APS (Active Pixel Sensor,有源像素传感器)像素单元阵列,其中,像素单元阵列7包括多个上述的图像传感器的像素单元I。
[0050]本实用新型提出的图像传感器通过在图像传感器的像素单元中增加钳位模块以自动对浮置扩散节点的电压进行钳位,从而防止当前像素单元出现太阳黑斑现象,且钳位模块位于当前像素单元内部,无需加入固定电平产生电路,大大减小了信号链的噪声。
[0051]流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为,表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分,并且本实用新型的优选实施方式的范围包括另外的实现,其中可以不按所示出或讨论的顺序,包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序,来执行功能,这应被本实用新型的实施例所属【技术领域】的技术人员所理解。
[0052]在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤,例如,可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表,可以具体实现在任何计算机可读介质中,以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用,或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言,"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下:具有一个或多个布线的电连接部(电子装置),便携式计算机盘盒(磁装置),随机存取存储器(RAM),只读存储器(R0M),可擦除可编辑只读存储器(EPR0M或闪速存储器),光纤装置,以及便携式光盘只读存储器(⑶ROM)。另外,计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质,因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描,接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序,然后将其存储在计算机存储器中。
[0053]应当理解,本实用新型的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中,多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如,如果用硬件来实现,和在另一实施方式中一样,可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现:具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路,具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路,可编程门阵列(PGA),现场可编程门阵列(FPGA)等。
[0054]本【技术领域】的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,该程序在执行时,包括方法实施例的步骤之一或其组合。
[0055]此外,在本实用新型各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
[0056]上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
[0057]在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0058]尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同限定。
【权利要求】
1.一种图像传感器的像素单元,其特征在于,包括: 复位模块,所述复位模块的控制端与复位控制信号提供端相连,所述复位模块的第一端与图像传感器的电源提供端相连; 光电转换模块,所述光电转换模块的一端接地; 传输模块,所述传输模块的控制端与传输控制信号提供端相连,所述传输模块的第一端与所述光电转换模块的另一端相连,所述传输模块的第二端与所述复位模块的第二端相连; 钳位模块,所述钳位模块的第一端分别与所述复位模块的第二端和所述传输模块的第二端相连,所述钳位模块的第二端与第一预设电平提供端相连;以及 输出模块,所述输出模块的控制端分别与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述钳位模块的第一端相连,所述输出模块的第一端与所述电源提供端相连,所述输出模块的输出端与图像传感器的列读出电路相连。
2.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述钳位模块为NMOS晶体管或PMOS晶体管或二极管。
3.如权利要求2所述的像素单元,其特征在于,当所述钳位模块为NMOS晶体管时,所述NMOS晶体管的第一端分别与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述输出模块的控制端相连,所述NMOS晶体管的第二端分别与所述NMOS晶体管的控制端和所述第一预设电平提供端相连。
4.如权利要求2所述的像素单元,其特征在于,当所述钳位模块为PMOS晶体管时,所述PMOS晶体管的第一端分别与所述PMOS晶体管的控制端、所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述输出模块的控制端相连,所述PMOS晶体管的第二端与所述第一预设电平提供端相连。
5.如权利要求2所述的像素单元,其特征在于,当所述钳位模块为二极管时,所述二极管的阴极与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述输出模块的控制端相连,所述二极管的阳极与所述第一预设电平提供端相连。
6.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述光电转换模块为光电二极管,所述光电二极管的阳极接地。
7.如权利要求1所述的像素单元,其特征在于,所述输出模块包括: 源跟随子模块,所述源跟随子模块的控制端分别与所述复位模块的第二端、所述传输模块的第二端和所述钳位模块的第一端相连,所述源跟随子模块的第一端与所述电源提供端相连;以及 行选通子模块,所述行选通子模块的第一端与所述源跟随子模块的第二端相连,所述行选通子模块的第二端与所述图像传感器的列读出电路相连。
8.如权利要求7所述的像素单元,其特征在于,所述复位模块、所述传输模块、所述源跟随子模块和所述行选通子模块为NMOS晶体管。
9.如权利要求1-8中任一项所述的像素单元,其特征在于,所述图像传感器为互补型金属氧化物半导体CMOS图像传感器。
10.一种图像传感器,其特征在于,包括行译码电路、采样电路、列译码电路、模拟信号处理电路、模数转换电路和像素单元阵列,其中,所述像素单元阵列包括多个如权利要求1-9中任一项所述的图像传感器的像素单元。
【文档编号】H04N5/374GK204104026SQ201420454985
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年8月12日 优先权日:2014年8月12日
【发明者】刘坤, 郭先清, 傅璟军 申请人:比亚迪股份有限公司
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