振荡型晶振式变码发射电路的制作方法
【专利摘要】振荡型晶振式变码发射电路，属于电子【技术领域】，是以2262为代表的编码集成电路为辅助，用振荡控制编码集成电路，形成的一种变码发射电路，由可控硅型振荡电路、编码集成电路、发射电路、指示电路、控制开关共同组成，控制开关连接了电池电源，控制开关接通后，各电路立即带电，可控硅型振荡电路的输出连接编码集成电路的变码端，编码集成电路的输出连接射频电路，当控制开关接通后，可控硅型振荡电路立即振荡，不仅使编码集成电路的变码端形成1与0的循环，而且编码集成电路的其中一个位线也形成了0与1的循环，发射不再是单一的码位，具备了变换性，如果与滚动码线路的配合，密级更高，提升了遥控类产品的性能。
【专利说明】振荡型晶振式变码发射电路
【技术领域】
[0001]属于电子【技术领域】。
【背景技术】
[0002]汽车的上锁与解锁，都是用遥控控制，这种上锁解锁方式，即简单又方便，只需要轻轻按一下遥控器就成，但这种遥控上锁方式却未能运用到防盗安全门上，虽然有防盗安全门的问题存在，但其中也有遥控上锁还不能运用到防盗安全门上的问题，如遥控的准确度不如机械钥匙，也或是遥控密级度不够，这是因为编码集成电路的编码简单，容易被人破获，因而保密程度不够，还因为现在的遥控技术受天气与周围环境的影响颇大，导致信号传递不够准确，正是因为这些问题还未能得到妥善的解决，才导致了遥控类产品的运用受到阻碍，要解决这些问题，还需要进一步的研究发明，需要创新的科技与之配合，因此现在市场上还未能广泛普及这类产品。
【发明内容】
[0003]本实用新型的主要目的是提出一种新措施，它是以2262为代表的编码集成电路为辅助，用振荡控制编码集成电路，形成一种变码发射电路，实施后，使发射信号传递准确，能增加密级度，而与其它高级编码集成电路组合后，密级更高，防破解能力越强。
[0004]本专利提出的措施是:
[0005]1、振荡型晶振式变码发射电路由可控硅型振荡电路、编码集成电路、发射电路、指示电路、控制开关共同组成。
[0006]其中:控制开关的一端连接电池电源，控制开关的另一端是可控硅型振荡电路、编码集成电路、射频电路、指示电路的电源。
[0007]指示电路由保护电阻与指示灯组成。
[0008]保护电阻的一端连接到控制开关的另一端，保护电阻的另一端连接指示灯后接地。
[0009]发射电路由铜箔天线与射频电路组成。
[0010]铜箔天线是特定的英文大写英文字母U的倒立状，铜箔天线的尺寸是铜箔的宽度为2mm，左右两条垂直铜箔的长度为30mm，两条垂直铜箔的间距为20mm，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5mm。
[0011]发射电路:铜箔天线的一端为输入端，即电源火线端，编码集成电路的火线接在电源火线端上。
[0012]编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端接调制管的基极，调制三极管的发射极接地，调制三极管集电极分为三路，第一路连接高频发射管的发射极，第二路连接晶振三个端头中的一个端头，第三路连接一个旁路电容的一端，此电容另一端接铜箔天线的输入端上。
[0013]晶振另两个端头，一个端头接火线输入端，另一个端头接高频发射管的基极。
[0014]高频发射管的基极接一个电阻，电阻另一端头接在铜箔天线输入端上。
[0015]铜箔天线的输入端还接了一个可调电容，可调电容的另一端连接铜箔天线的输出端，即高频发射管的集电极。
[0016]可调电容还并联了一只电容。
[0017]可控硅型振荡电路:可控硅的阳极电阻接到电源上，可控硅的阴极接地，积分电阻的一端接电源，另一端与积分电容的正极相接，积分电容的负极接地，积分电容的正极连接一个放电二极管到可控硅的阳极，积分电容的正极还连接一个稳压管到可控硅的控制极，可控硅控制极接一个电阻到地，可控硅的阳极成为可控硅型振荡电路的第一输出，可控硅阳极接一个反相器的输入，反相器的输出成为可控娃型振荡电路的第二输出。
[0018]编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端连接调制三极管的基极。
[0019]编码集成电路的变码端连接可控硅型振荡电路的第一输出，编码集成电路的固定码接地线。
[0020]编码集成电路的其中一个位线连接可控硅型振荡电路的第二输出。
[0021]2、编码集成电路的固定码接电源。
[0022]3、编码集成电路的其余位线接可接电源，可接地线。
[0023]4、反相器是三极管构成，三极管的基极电阻为反相器的输入端连接可控硅阳极，三极管的发射极接地，三极管的集电极为反相器的输出，即可控硅型振荡电路的第二输出，三极管的集电极与电源之间接一个电阻。
[0024]对本措施进一步解释如下:
[0025]当发射接通电源，即控制开关闭合后，可控硅型振荡电路迅速启动，因为编码集成电路的变码端接在了可控硅型振荡电路的输出上，因此，能发出变换的码。
[0026]1、根据措施I所述，设者专为此线路设计了一种由集成电路组成的一种改进型振荡电路，形成的原理是:开通电源后，电源通过积分电阻(图1中的201)向积分电容(图1中的202)充电，当所充电压值超过阀值电压值后可控硅(图1中203)的导通，成饱和状，成为振荡的前半周期。这时积分电容放电将通过放电二极管(图1中的207)向可控硅的阳极放电，当放电后的电压值低于阀值后，不会再产生触发电流，又由于可控硅的负载电阻R3.5的阻值较大，不能提供可控硅自保持所需要的维持电流，这时可控硅会退出饱和状而重新成截止，同时有一段时间段，因而成为振荡的后半周期。这时积分电阻(图1中的201)重新向积分电容(图1中的202)充电，成为振荡的第二周期，三周期，等等，在电路中稳压管(图1中的206)起了阀值作用。
[0027]该电路的优点是容易损坏的有源件只有一个，而另一个三极管，它的耐压为100V，所以不易损坏，所以该线路可靠，易起振，是一个符合整体线路要求的优秀电路。
[0028]2、在措施I中，可控硅型振荡电路与编码集成电路形成了这样连接关系，编码集成电路的编码部分被分成了两部分，一部分是预先已连接的固定码，此固定码可以接地，也可以接电源，灵活多变，另一部分是与可控硅型振荡电路连接的变化码。在人为操作发射时，可控硅型振荡电路振荡，编码集成电路的变码端就变成了 O与I两种状态，这时编码集成电路就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对调制管的激励，达到了双码调制发射的目的。
[0029]3、而可控硅型振荡电路的第二输出连接的位线，也形成了 I与O的变换，反相器(图1中的209)是用的三极管，当可控硅的阳极为低位时，反相器的输出为高位，因为三极管的集电极与电源之间接了一个电阻(图1中的210)，而当可控硅的阳极为高位时，三极管的集电极为低位，因为基极电阻(图1中的208)将三极管触发，使三极管导通，因此三极管的截止与导通就成为了位线I与O的变换状态，而三极管的截止与导通随可控硅阳极的变换而变换，由于可控硅型振荡电路的频率灵活可调，在生产时完全可以调成这样的理想情况，在操作按键所需要的时间内，(如0.5秒)，完成了两次变化码的必要条件。因为只用一块编码集成电路而不用两块，编码集成电路选片端接地，线路可靠。所以位线也必定能完成两次转换，简单明了。
[0030]4、发射的远近即灵敏度与天气有很大影响，而高端的遥控产品对灵敏度的要求很高，如果用传统的设计方法，很难保证满足本发明的设计要求，其原因是，一般的发射可以临时改变发射的位置及距离，只要当时能满足接收能收到信号便可。而本发明的发射与接收位置已确定，在使用过程不能因天气的不同而临时更改，(那样会影响正常生活习习惯)，一旦在恶劣天气时，就很难保证产品的性能，所以必需增加必要的措施。而本发射却可以很大程度提高灵敏度，这是因为特定了一种铜箔天线是特定的英文大写英文字母U的倒立状，两条垂直平行的铜箔上方用弧形铜箔相吻接，铜箔天线的尺寸是铜箔的宽度为2_，左右两条垂直铜箔的长度为30mm，两条垂直铜箔的间距为20mm，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5_。严格制定，让发射与接收有了更好的匹配，实验证明，这样的发射在很大程度上减少了天气与周围环境对发射信号的影响。
[0031]5、在射频中，本专利采用晶振式，其好处是频率稳定可靠，其天线采用印刷板中铜钼敷成一定开关，整个体积小，可以装在较小的发射盒内。
[0032]实施后或在设计者所配套的接收器的配合下，本发明有以下突出的优点为:
[0033]1、实现了低价格的编码集成电路的变码形式，提升了编码集成电路的性质，发射发出的不再是易被破解的单码，而是有了变换性，具有很高的防破解能力。
[0034]2、编码集成电路的位线也形成了变换形式，对提升密级度很有好处。
[0035]3、如果与滚动码线路的配合，其破译难度是超强的，因为滚动码是一类性质的编码，而本措施中双码发射又是一类性质的编码，两种不同性质的编码组合，比一种性质的编码破解难度更大。
[0036]4、本措施的双码发射可靠，其原因是发射双码产生的变码时，不会紊乱，只会重复，两种变码状态明显，分辨清楚，与
【发明者】设计的接收部分十分匹配。
[0037]5、线路可靠，一是线路精简，二是易坏件三极管只有一个，三是调感线圈封灌后，电感值不易变化。四、是天线由印刷板敷成，不产生形状上的变化，不影响射频，采用了通用设计的精华。
[0038]6、可控硅型振荡电路线路可靠，易起振，是一个符合整体线路要求的优秀电路。
[0039]7、射频电路采用晶振式，频率稳定可靠，线路简单，调试方便。
[0040]8、生产容易，一是不用贵重的设备与仪表，二是技术简单，三是线路精简且所用元件要求低，所以可以产生很高的直通率，十分适合微型企业生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0041]图1是振荡型晶振式变码发射电路的总措施图。
[0042]其中:1 一1、电源线；1、控制开关；2、保护电阻；3、指示灯；4、晶振；5、高频发射管基极电阻；6、旁路电容；7、可调电容；8、与可调电容并联的电容；9、高频发射管；10、编码集成电路；11、编码集成电路的输出端；12、调制电阻；13、调制三极管；15、编码集成电路的固定码；16、可控硅型振荡电路；17、可控硅型振荡电路的第一输出，即编码集成电路的变码端；20、可控硅型振荡电路的第二输出，即编码集成电路的其中一个位线；22、编码集成电路的其余位线；23、铜箔天线。
[0043]图2是可控硅型振荡电路图。
[0044]图中:1一1、电源线；17、可控硅型振荡电路的第一输出，即编码集成电路的变码端；20、可控硅型振荡电路的第二输出，即编码集成电路的其中一个位线；201、积分电阻；202、积分电容；203、可控娃；204、可控娃阳极电阻；205、可控娃控制极电阻；206、稳压管；207、放电二极管；208、基极电阻；209、反相器；210、集电极电阻。
[0045]具体实施实例
[0046]图1、图2共同描述了具体实施的一种方式。
[0047]可控硅型振荡电路按图2所示的焊接，振荡型晶振式变码发射电路按图1所示实施焊接。
[0048]1、挑选元件:其中编码集成电路选用2262，发射管选用高频管，也可选择8050三极管。
[0049]2、调整振荡单元有关参数:
[0050](I)、调整振荡工作状态:用示波器的红条笔接在振荡电路的输出端上，黑表笔接地，振荡后示波会出现正常的反应。
[0051]如果不起振荡，将可控硅控制极对地的电阻值减少。或将可控硅控阳极电阻的阻值增大。
[0052](2)、调整振荡的频率:用示波器的红条笔接在振荡电路的输出端上，黑表笔接地，观察振荡频率，如果前半周过短则可以增大积分电阻的阻值，后半周期过短可以增加可控硅控制极对地电阻的阻值。
[0053](3)、如果可控硅阳极升高，而反相器的输出不低，调整基极电阻或是集电极电阻，将基极电阻减小，或是将集电极电阻增大，即:在基极无电压时，集电极的电压变相当于电源电压，否则应将集电极电阻减小。而当基极有了电压，集电极电压不能高于IV，否则应将基极电阻减小。
[0054]3、调整射频与调制工作状态:
[0055]如果用示波器作接收器，与发射器不直接相连，这时在按发射器时，示波器会有反应，表示射频与调制工作正常。否则应调整调感线圈的感值，或编码集成电路输出端的电阻值，直到灵敏度符合要求。
[0056]4、铜箔天线应严格按照要求制定。
[0057]5、用普通单码接收器作接收器，此时接收部分不能收到信号。如果用
【发明者】设计的特定双码信号接收器，则双码接收器会收到信号。
【权利要求】
1.振荡型晶振式变码发射电路，其特征是:由可控硅型振荡电路、编码集成电路、发射电路、指示电路、控制开关共同组成: 其中:控制开关的一端连接电池电源，控制开关的另一端是可控硅型振荡电路、编码集成电路、射频电路、指示电路的电源； 指示电路由保护电阻与指示灯组成: 保护电阻的一端连接到控制开关的另一端，保护电阻的另一端连接指示灯后接地； 发射电路由铜箔天线与射频电路组成: 铜箔天线是特定的英文大写英文字母U的倒立状，铜箔天线的尺寸是铜箔的宽度为2mm，左右两条垂直铜箔的长度为30mm，两条垂直铜箔的间距为20mm，吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5mm ； 发射电路:铜箔天线的一端为输入端，即电源火线端，编码集成电路的火线接在电源火线端上； 编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端接调制管的基极，调制三极管的发射极接地，调制三极管集电极分为三路，第一路连接高频发射管的发射极，第二路连接晶振三个端头中的一个端头，第三路连接一个旁路电容的一端，此电容另一端接铜箔天线的输入端上； 晶振另两个端头，一个端头接火线输入端，另一个端头接高频发射管的基极； 高频发射管的基极接一个电阻，电阻另一端头接在铜箔天线输入端上； 铜箔天线的输入端还接了一个可调电容，可调电容的另一端连接铜箔天线的输出端，即高频发射管的集电极； 可调电容还并联了一只电容； 可控硅型振荡电路:可控硅的阳极电阻接到电源上，可控硅的阴极接地，积分电阻的一端接电源，另一端与积分电容的正极相接，积分电容的负极接地，积分电容的正极连接一个放电二极管到可控硅的阳极，积分电容的正极还连接一个稳压管到可控硅的控制极，可控硅控制极接一个电阻到地，可控硅的阳极成为可控硅型振荡电路的第一输出，可控硅阳极接一个反相器的输入，反相器的输出成为可控娃型振荡电路的第二输出； 编码集成电路的输出连接调制电阻的一端，调制电阻的另一端连接调制三极管的基极； 编码集成电路的变码端连接可控硅型振荡电路的第一输出，编码集成电路的固定码接地线； 编码集成电路的其中一个位线连接可控硅型振荡电路的第二输出。
2.根据权利要求1所述的振荡型晶振式变码发射电路，其特征是:编码集成电路的固定码接电源。
3.根据权利要求1所述的振荡型晶振式变码发射电路，其特征是:编码集成电路的其余位线接可接电源，可接地线。
4.根据权利要求1所述的振荡型晶振式变码发射电路，其特征是:反相器是三极管构成，三极管的基极电阻为反相器的输入端连接可控硅阳极，三极管的发射极接地，三极管的集电极为反相器的输出，即可控硅型振荡电路的第二输出，三极管的集电极与电源之间接一个电阻。
【文档编号】H04B1/04GK203984408SQ201420476863
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年8月22日 优先权日:2014年8月22日
【发明者】蒋丹, 杨远静 申请人:重庆尊来科技有限责任公司