一种RF信号处理电路及机顶盒的制作方法

本实用新型涉及机顶盒技术领域，尤其涉及一种RF信号处理电路及机顶盒。

背景技术：

随着数字电视技术的广泛普及，数字电视的机顶盒已经成为了数字电视前端接收系统的主要设备之一。目前，机顶盒主要分为DVB-T、DVB-S、DVB-C等几种类型，但为了有效接收到数字电视信号，机顶盒前端信号接收系统通常会增加适当的RF信号(Radio Frequency Signal，射频信号)处理电路，例如当机顶盒需要应用到一个信号强度过强的环境时，为了保证Tuner(调谐器)能正确的解出电视信号，通常会在调谐器前端增加一节电路进行RF信号的适当衰减以保证进入调谐器的RF信号在一合适范围。

目前为了对调谐器前端的RF信号进行衰减，通常采用的方法是在调谐器前端增加一个衰减电阻网络来衰减RF信号，如图1所示，图1为现有技术中的一种衰减电阻网络的电路图，RF信号通过衰减电阻网络后信号得到衰减，其中衰减电阻网络的电阻参数值可根据实际需要衰减信号强度数值计算得出，例如当需要对RF信号进行10dB衰减时，电阻R11、R12、R13分别可以配成106Ω、144Ω、144Ω，这种方式具有低成本的特点，但问题是衰减幅度不可调节，当工作在较弱信号环境时，由于衰减电阻网络的存在会进一步恶化对数字电视信号的接收。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种RF信号处理电路及机顶盒，通过改变电压输入端输入的电压来控制PIN二极管的偏置电流的大小，以达到调节RF信号的衰减幅度的目的；应用于机顶盒中，可使机顶盒接收更宽范围的RF信号。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

第一方面，提供了一种RF信号处理电路，该RF信号处理电路，包括PIN二极管信号衰减电路，所述PIN二极管信号衰减电路包括PIN二极管D1、电阻R1和电阻R2，所述PIN二极管D1的正极连接RF信号的输入端和所述电阻R1的一端，所述PIN二极管D1的负极连接电阻R2的一端及RF信号输出端，所述电阻R1的另一端连接电压输入端，所述电阻R2的另一端接地。

其中，还包括：与所述RF信号输出端连接、处理经过所述PIN二极管信号衰减电路的RF信号、检测并保存经过所述PIN二极管信号衰减电路的RF信号的信号强度值的调谐器，及根据所述信号强度值发出脉冲宽度调制波的中央处理器，所述中央处理器输出所述脉冲宽度调制波的一端连接所述电压输入端。

其中，所述中央处理器通过IIC总线与所述调谐器连接，以读取所述调谐器中的所述信号强度值。

其中，所述中央处理器输出所述脉冲宽度调制波的一端还连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端接地。

其中，所述PIN二极管D1的型号为BAP65。

其中，所述PIN二极管D1的型号为BAR65。

其中，所述电阻R1为1KΩ。

其中，所述电阻R2为1KΩ。

其中，所述电容C1为470nF。

第二方面，提供了一种机顶盒，该机顶盒包括上述的RF信号处理电路。

本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的RF信号处理电路，包括PIN二极管信号衰减电路，所述PIN二极管信号衰减电路包括PIN二极管D1、电阻R1和电阻R2，所述PIN二极管D1的正极连接RF信号的输出端和所述电阻R1的一端，所述PIN二极管D1的负极连接电阻R2的一端及RF信号输出端，所述电阻R1的另一端连接电压输入端，所述电阻R2的另一端接地。本实用新型提供的RF信号处理电路通过改变电压输入端输入的电压来控制PIN二极管的偏置电流的大小，从而改变PIN二极管导通电阻的大小，以达到调整经过PIN二极管信号衰减电路的RF信号的衰减幅度的目的。

附图说明

图1是现有技术中的一种衰减电阻网络的电路图。

图2是本实用新型具体实施例提供的一种RF信号处理电路的电路图。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

请参考图2，一种RF信号处理电路，提供了一种RF信号处理电路，该RF信号处理电路，包括PIN二极管信号衰减电路，所述PIN二极管信号衰减电路包括PIN二极管D1、电阻R1和电阻R2，所述PIN二极管D1的正极连接RF信号的输入端和所述电阻R1的一端，所述PIN二极管D1的负极连接电阻R2的一端及RF信号输出端，所述电阻R1的另一端连接电压输入端，所述电阻R2的另一端接地。

本实施例利用PIN二极管的导通电阻与正向偏置电流成一定比例关系的特点，通过控制偏置电流大小来改变导通电阻大小以达到调整RF信号衰减幅度的目的。如图2所示，PIN二极管信号衰减电路，其主要由电阻R1、PIN二极管D1和电阻R2构成。当PIN二极管的正向偏置电阻Rs变化时，RF信号通过串联的电阻R1、PIN二极管D1和电阻R2构成一个分压电路产生信号衰减，其中PIN二极管D1的正向偏置电阻Rs与正向偏置电流I_F成反比的关系，其关系公式如下：

其中：W为I层厚度，I_F为正向偏置电流，τ为载流子寿命，μ_n＝电子的迁移率，μ_p＝空穴的迁移率。

由公式可看出只要通过控制正向偏置电流I_F即可控制正向偏置电阻Rs。其中正向偏置电流I_F可通过调整加载到电阻R1上的电压来调整，即通过在电阻R1上加载不同的电压就可以调整正向偏置电阻Rs了，即在所述电压输入端输入不同的电压即可调整正向偏置电阻Rs。当电压输入端输入的电压增大时，正向偏置电流I_F也增大，从而使正向偏置电阻Rs减小，RF信号通过PIN二极管的信号衰减幅度也减小；当电压输入端输入的电压减小时，正向偏置电流I_F也减小，从而正向偏置电阻Rs增加，RF信号通过PIN二极管的信号衰减幅度加大。

其中，还包括：与所述RF信号输出端连接、处理经过所述PIN二极管信号衰减电路的RF信号、检测并保存经过所述PIN二极管信号衰减电路的RF信号的信号强度值的调谐器，及根据所述信号强度值发出脉冲宽度调制波的中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，所述中央处理器输出所述脉冲宽度调制波(Pulse Width Modulation波，PWM波)的一端连接所述电压输入端。其中，所述中央处理器通过IIC总线与所述调谐器连接，以读取所述调谐器中的所述信号强度值。

RF信号在经过PIN二极管信号衰减电路之后进入到调谐器，调谐器在进行信号处理的过程中也检测到了RF信号的强度，并将RF信号的信号强度值保存在寄存器中，中央处理器通过IIC总线(Inter IC BUS)与所述调谐器连接，中央处理器可通过IIC总线读取调谐器中的所述信号强度值，即输入到调谐器的RF信号的信号输入强度质量。中央处理器通过IIC总线读取输入调谐器的RF信号的信号强度值，当中央处理器监测到输入到调谐器的RF信号的强度过高，并影响到调谐器对输入的RF信号的接受处理性能时，中央处理器通过将发出的脉冲宽度调制波加载到电阻R1的电压输入端，使得电压输入端输入的电压减少，从而使RF信号的衰减幅度增大，使得调谐器的输入的RF信号减弱；当中央处理器监测到输入信号强度比较弱时，中央处理器通过调整PWM波使得电压输入端输入的电压增大，从而使RF信号的衰减幅度减小，使得调谐器的输入的RF信号加强，因此本实施例可根据现场环境实际情况来决定调节RF信号的衰减幅度，可以避免当工作在强信号环境时因为RF信号强度过强导致调谐器出现信号处理异常的问

题。同时也可以避免当工作在弱信号环境时，因为调谐器前端有信号衰减电路导致调谐器前端的输入的RF信号变得更弱，从而引起调谐器在弱信号下的接收性能下降的问题，应用于机顶盒中，可有效提升机顶盒的灵敏度接收范围，增强了机顶盒的对不同信号环境下的适应能力。

需要说明的是，通过中央处理器调节电压输入端输入的电压只是一种优选的实施方式，也可以使用其他方式调节电压输入端输入的电压，比如，通过独立的电压调节电路输出电压到PIN二极管信号衰减电路中的电压输入端。

优选地，所述中央处理器输出所述脉冲宽度调制波的一端还连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端接地。脉冲宽度调制波经过电容C1进行平滑滤波后，再加载到电阻R1上，能增强电路的稳定性。

其中，所述PIN二极管D1的型号为BAP65，作为另一个优选的实施例，所述PIN二极管D1的型号为BAR65，用户也可选择具有相同功能的其他型号的PIN二极管。其中所述电阻R1为1KΩ，所述电阻R2为1KΩ。用户也可根据需要选择其他电阻值的电阻R1和电阻R2。

其中，所述电容C1为470nF。用户也可根据需要选择其他电容值的电容C1，在此不做限定。

本实用新型还提供了一种机顶盒，该机顶盒包括上述的RF信号处理电路。

本实用新型提供的RF信号处理电路通过改变电压输入端输入的电压来控制PIN二极管的偏置电流的大小，从而改变PIN二极管导通电阻的大小，以达到调整经过PIN二极管信号衰减电路的RF信号的衰减幅度的目的。本实施例可根据现场环境实际情况来决定调节RF信号的衰减幅度，可以避免当工作在强信号环境时因为RF信号强度过强导致调谐器出现信号处理异常的问题。同时也可以避免当工作在弱信号环境时，因为调谐器前端有信号衰减电路导致调谐器前端的输入的RF信号变得更弱，从而引起调谐器在弱信号下的接收性能下降的问题，应用于机顶盒中，可有效提升机顶盒的灵敏度接收范围，增强了机顶盒的对不同信号环境下的适应能力。

以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。