1.一种NFC近场通讯结构，其特征在于：包括线圈，所述线圈呈多圈环路形式，且部分作为主辐射体，剩余部分作为非主辐射体，所述主辐射体所产生的磁场强于非主辐射体产生的磁场，用以产生NFC通讯所需磁场。
2.如权利要求1所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：所述线圈的环路的至少一条边作为所述主辐射体，剩余部分作为所述非主辐射体。
3.如权利要求1所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：对于每一圈所述线圈，作为所述主辐射体的线圈部分的宽度大于所述非主辐射体。
4.如权利要求1所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：对于每一圈所述线圈，作为所述主辐射体的线圈部分具有至少两个并联的子线圈部分。
5.如权利要求1所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：所述非主辐射体对外电连接，所述主辐射体接于所述非主辐射体。
6.如权利要求1所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：还包括位于所述线圈背面或正面的金属屏蔽层。
7.如权利要求6所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：针对所述线圈，所述金属屏蔽层仅部分或全部覆盖于所述非主辐射体。
8.如权利要求1所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：还包括位于所述线圈背面一侧的隔磁片。
9.如权利要求8所述的NFC近场通讯结构，其特征在于：针对所述线圈，所述隔磁片部分覆盖于所述主辐射体或全部覆盖整个线圈背面。
10.一种电子设备，其特征在于：包括如权利要求1至9任意之一所述的NFC近场通讯结构。