一种基于Cortex‑A9的智能双冗余千兆以太网卡的制作方法

文档序号:12517405阅读:783来源:国知局

本实用新型属于抗恶劣环境领域,特别是一种基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡。



背景技术:

工程应用领域对单个计算节点的可靠性越来越高,要求计算节点上的千兆以太网卡具有双冗余功能。当双冗余千兆以太网卡中的一路网络出现故障时,能够快速切换到双冗余千兆以太网卡的出于备份的另一路网络上,且具有一定的实时性要求,切换的时间不能超过90ms。目前采用的双冗余网卡大多基于主板的驱动层或者应用层切换,一方面千兆模式下切换时间超过1秒,达不到工程应用的要求;另一方面占用上位机处理器的资源,实时性满足不了要求。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡,以满足工程应用领域对双冗余网络的实时性要求。

实现本实用新型目的的技术解决方案为:一种基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡,包括飞思卡尔的IMX6Q ARM处理器、DDR3 SDRAM模块、EEROM模块、Flash模块、地址锁存模块、桥接模块、千兆以太网物理层模块、电源转换模块及时钟模块。所述DDR3 SDRAM模块和地址锁存模块连接到IMX6Q ARM处理器的60X总线上;所述EEROM模块和Flash模块与地址锁存模块相连接;所述千兆以太网物理层模块连接到IMX6Q ARM处理器的GMII接口上;所述桥接模块连接到IMX6Q ARM处理器的PCIe总线上;所述电源转换模块提供网卡所需的各种直流电压;所述时钟模块提供IMX6Q ARM处理器基本时钟。

本实用新型与现有技术相比,其有益效果为:1)本实用新型引入ARM处理器,实现快速的双冗余千兆网络的快速切换,切换时间小于5ms,远远低于系统要求的90ms指标;2)本实用新型采用Comapct PCI结构,可以在低温、高温、湿热、盐雾、振动等恶劣环境下可靠工作。

下面结合附图对本实用新型作进一步详细的描述。

附图说明

图1为本实用新型的基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡原理框图。

具体实施方式

结合图1,本实用新型的一种基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡,包括飞思卡尔的IMX6Q ARM处理器、DDR3 SDRAM模块、EEROM模块、Flash模块、地址锁存模块、桥接模块、千兆以太网物理层模块;

所述DDR3 SDRAM模块和地址锁存模块连接到IMX6Q ARM处理器的60X总线上;所述EEROM模块和Flash模块与地址锁存模块相连接;所述千兆以太网物理层模块连接到IMX6Q ARM处理器的GMII接口上;所述桥接模块连接到IMX6Q ARM处理器的PCIe总线上;所述EEROM模块存储IMX6Q ARM处理器启动和自检的固件;Flash模块用于存储数据;桥接模块将PCIe总线转换成PCI总线,通过CPCI连接器与上位机相连;千兆以太网物理层模块同时与CPCI连接器相连。

所用的元器件均采用重心低、抗振动能力强的表贴器件。

所述桥接模块采用PI7C9X130芯片。

所述千兆以太网物理层模块的数量为两个,均采用AR8035芯片。

本实用新型的基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡还包括为其他模块供电的电源转换模块,该电源转换模块的输出电压包括1.1V、1.8V、2.5V、3.3V。

所述EEROM模块通过缓冲的60X总线与地址锁存模块相连接。所述EEROM模块的型号为93C86BT。

所述Flash模块通过缓冲的60X总线与地址锁存模块相连接。所述Flash模块的型号为NCEMBM11-04G。

飞思卡尔的IMX6Q ARM处理器还与时钟模块相连。所述时钟模块提供IMX6Q ARM处理器基本时钟。所述时钟模块为SSP-T7-G10Q-32.768KHz晶体和XO75-YAGRC-24.000000MHz晶振。

所述DDR3 SDRAM模块的型号为H5TQ2G63DFR-H9C。

所述地址锁存模块的型号74LS373。

本实用新型引入ARM处理器,实现快速的双冗余千兆网络的快速切换,切换时间小于5ms,远远低于系统要求的90ms指标。

下面进行更详细的描述。

结合图1,本实用新型的基于Cortex-A9的智能双冗余千兆以太网卡,包括飞思卡尔的IMX6Q ARM处理器、DDR3 SDRAM模块、EEROM模块、Flash模块、地址锁存模块、桥接模块、千兆以太网物理层模块、电源转换模块及时钟模块。所述DDR3 SDRAM模块和地址锁存模块连接到IMX6Q ARM处理器的60X总线上;所述EEROM模块和Flash模块与地址锁存模块相连接;所述千兆以太网物理层模块连接到IMX6Q ARM处理器的GMII接口上;所述桥接模块连接到IMX6Q ARM处理器的PCIe总线上;所述电源转换模块提供网卡所需的各种直流电压;所示时钟模块提供IMX6Q ARM处理器基本时钟。EEROM模块存储IMX6Q ARM处理器启动和自检的固件;Flash模块用于存储数据;DDR3 SDRAM模块用于运行程序;桥接模块将PCIe总线转换成PCI总线,用于与上位机相连。

所述ARM处理器为IMX6Q。所述DDR3 SDRAM模块为H5TQ2G63DFR-H9C。所述地址锁存模块74LS373。所述EEROM模块93C86BT。所述Flash模块为NCEMBM11-04G。所述千兆以太网物理层模块为AR8035。所述桥接模块为PI7C9X130。所述时钟模块为SSP-T7-G10Q-32.768KHz晶体和XO75-YAGRC-24.000000MHz晶振。

下面结合实施例对本实用新型作进一步详细的描述:

实施例

本实用新型的原理框图如图1所示,网卡采用飞思卡尔的IMX6Q ARM处理器,存储器包含4片256MB DDR3 SDRAM、4GB Flash以及1K的EEROM。处理器通过2片PHY扩展2路千兆以太网络接口。

本实用新型所述时钟模块包含SSP-T7-G10Q-32.768KHz晶体和XO75-YAGRC-24.000000MHz晶振,其中SSP-T7-G10Q-32.768KHz晶体给IMX6Q ARM处理器提供RTC时钟,XO75-YAGRC-24.000000MHz给IMX6Q ARM处理器提供PLL和CMM时钟。

Flash模块为NCEMBM11-04G,容量为4GB,挂接在经过地址锁存后的60X总线上,可以提供高达52MB/s的读写速度,用于存储过程数据。

DDR3 SDRAM模块为4片H5TQ2G63DFR-H9C SDRAM存储器,共1GB容量。支持差分时钟输入、差分数据选通、自动刷新以及异步复位功能。

千兆以太网物理层模块为2片AR8035以太网PHY芯片,与IMX6Q ARM处理器的RGMII接口相连接。

在同一时刻,只有一个网口处于运行状态,另一个网口处于后备状态。ARM处理器实时监测网口运行情况,当检测到运行网口出现故障时,ARM处理器将当前工作网口切换到后备网口,继续工作。

本实用新型采用Comapct PCI结构,可以在低温、高温、湿热、盐雾、振动等恶劣环境下可靠工作。

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