1.一种MEMS声换能器，其特征在于，所述MEMS声换能器包括：
半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；
在所述衬底中的第一腔，所述第一腔从所述背表面延伸到所述前表面；
膜，在所述前表面处并且悬置在所述第一腔上方，所述膜的周界锚定到所述衬底；以及
梳齿状电极布置，包括耦接到所述膜的多个可移动电极以及耦接到所述衬底并面对所述多个可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，作为入射声压力波的结果的所述膜的变形被构造成引起所述感测电容器的电容变化，
其中所述梳齿状电极布置相对于所述膜垂直地放置并且平行于所述膜延伸。
2.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述梳齿状电极布置被布置在所述膜的上方，所述多个可移动电极和所述多个固定电极悬置在所述膜的上方。
3.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述膜的周界通过膜锚定元件沿着其整个周界锚定到所述衬底，其中所述膜具有至少一个通孔，所述通孔将所述第一腔置于与布置在所述膜的相对侧上的第二腔流体连通。
4.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述多个可移动电极中的每一个可移动电极具有直接耦接到所述膜的耦接部分以及由所述耦接部分以悬臂方式在所述膜上方支撑的主要部分；并且其中所述多个固定电极在静止状态下以悬臂方式布置在面对所述多个可移动电极并平行于所述多个可移动电极的所述膜上。
5.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述 多个可移动电极耦接到所述膜的中心部分，并且其中所述膜的变形被设计成引起所述多个移动电极相对于所述多个固定电极的垂直平移的第一位移。
6.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述多个可移动电极耦接到所述膜的外部，其中所述膜的变形引起垂直平移的第一位移和以所述多个可移动电极相对于所述多个固定电极的倾斜角旋转的第二位移，其中所述电容变化由所述第一位移和所述第二位移共同产生。
7.根据权利要求6所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述多个可移动电极和所述多个固定电极相对于所述膜的中心径向地布置；所述MEMS声换能器包括：
悬挂结构，包括耦接到所述衬底的所述前表面并相对于所述衬底垂直延伸的壁部分；和
盖部，其在顶部封闭所述壁部并且布置在所述膜的上方。
8.根据权利要求7所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述悬挂结构还包括支撑柱，所述支撑柱耦接到所述盖部分的中心部分并垂直于所述膜的所述中心部分布置，所述支撑柱沿所述垂直方向朝向所述膜延伸；其中所述多个固定电极耦接到所述支撑柱。
9.根据权利要求7所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述多个固定电极耦接到所述悬挂结构的所述壁部分，其中所述多个固定电极悬挂在所述膜上方、从所述壁部分沿相应的径向方向延伸。
10.根据权利要求1所述的MEMS声换能器，其特征在于，所述多个固定电极沿着所述垂直方向相对于所述多个可移动电极交错。
11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
控制单元；和
耦接到所述控制单元的MEMS声换能器，所述MEMS声换能器包括：
半导体材料的衬底；
在所述衬底中的腔；
在所述腔处悬置的膜，所述膜构造成响应于声压而变形；
多个可移动电极，耦接到所述膜并且构造成响应于所述膜变形而移动；以及
多个固定电极，耦接到所述衬底并面对所述多个可移动电极，从而形成感测电容器。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备是便携式设备和可穿戴设备之一。
13.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述多个可移动电极和所述多个固定电极布置在所述膜的同一侧。
14.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述膜耦接到所述腔上方的所述衬底的第一表面。
15.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，多个可移动电极耦接到所述膜的中心部分。