1.一种声学器件，其特征在于，包括：
微机械声学换能器元件(15；215；415)；
声学衰减区域(40；240；540)；以及
声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)，被布置在所述声学换能器元件(15；215；415)和所述声学衰减区域(40；240；340；540)之间。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述声学换能器元件(15；215；415)被形成在第一衬底(25；125；225；325；425；525)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括半导体材料的第二衬底(30；130；230；330；430；530)，所述第二衬底集成电子电路并且被布置在所述声学换能器元件(15；215；415)和所述声学衰减区域(40；240；340；540)之间。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(132；232；432；532)被布置在所述声学换能器元件(215；415)和所述第二衬底(130；230；430；530)之间。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(132；232)被形成在所述声学换能器元件(215)的所述第一衬底(125；225)中。
6.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(432；532)被形成在半导体材料本体中，所述半导体材料本体被布置在所述第一衬底(425；525)和所述第二衬底(430；530)之间。
7.根据权利要求5或6所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域包括第一声学匹配区域(232；532)，所述器件还包括被布置在所述第二衬底(30)和所述声学衰减区域(240；540)之间的第二声学匹配区域。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第二声学匹配区域被形成在所述第二衬底(230)中。
9.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(32；233；332；532)被布置在所述第二衬底(30；230；330；530)和所述声学衰减区域(40；240；340；540)之间。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(32；233)被形成在所述第二衬底(30；230)中。
11.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(332；533)被形成在半导体材料本体中，所述半导体材料本体被布置在所述第二衬底(330；530)和所述声学衰减区域(340；540)之间。
12.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，在半导体材料本体中形成有第二声学匹配区域(533)，所述半导体材料本体被布置在所述第二衬底(530)和所述声学衰减区域(540)之间。
13.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)包括可变的阻抗层。
14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，所述第一声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)具有第一界面(32A；132A；232A；432A；532A；233A；533A)以及第二界面(32B；132B；232B；432B；532B；233B；533B)，所述第一界面带有在所述声学换能器元件(15；215；415)和所述第二衬底(30；1310；230；230；330；430；530)之间选择的第一元件，所述第二界面具有带有在所述第二衬底(30；1310；230；230；330；430；530)和所述声学衰减区域(40；240；340；540)之间选择的第二元件，所述第一元件具有第一阻抗以及所述第二元件具有第二阻抗，以及所述声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)具有匹配所述第一阻抗的、在所述第一界面的附近的第三阻抗和匹配所述第二阻抗的、在所述第二界面的附近的具有第四阻抗。
15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)是多孔硅。
16.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，所述声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)具有多个孔，其中所述孔的尺寸在所述第一界面(32A；132A；232A；432A；532A；233A；533A)和所述第二界面(32B；132B；232B；432B；532B；233B；533B)是可变的。
17.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件被形成为用于医疗使用的超声换能器(CMUT；PMUT)。