一种电容式麦克风芯片的制作方法

文档序号:12925648阅读:999来源:国知局
一种电容式麦克风芯片的制作方法与工艺

本实用新型涉及一种麦克风芯片,属于声电转换领域;更准确地说,涉及一种电容式的麦克风芯片。



背景技术:

MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风,其中的振膜、背极板是MEMS麦克风中的重要部件,振膜、背极板构成了电容器并集成在硅晶片上,实现声电的转换。

由于MEMS麦克风芯片的体积非常小,其振膜、背极板之间的距离通常在1μm左右;而且为了提高振膜的灵敏度,通常会在背极板上设置通孔,以均衡背极与振膜之间的气压。这种结构的麦克风在使用的时候,会有灰尘通过通孔进入到振膜、背极板之间。当该麦克风芯片处于潮湿的环境中时,水气会集聚在灰尘颗粒周围,从而会将振膜与背极板电导通起来,从而影响麦克风的性能。



技术实现要素:

本实用新型的一个目的是提供了一种电容式麦克风芯片。

根据本实用新型的一个方面,提供一种电容式麦克风芯片,包括具有背腔的衬底,在所述衬底上设有位于背腔上方的背极、振膜;所述背极与振膜正对设置,且二者之间具有间隙,构成了电容结构;在所述背极上设置有多个贯通孔;其中,在背极与振膜相对的表面上设置有绝缘层。

可选地,所述绝缘层设置在振膜上与背极正对的表面上。

可选地,所述绝缘层设置在背极上与振膜正对的表面上。

可选地,所述绝缘层还设置在振膜上与背极正对的表面上。

可选地,所述绝缘层从背极的表面延伸至贯通孔的内壁。

可选地,所述绝缘层选用二氧化硅、氮化硅或者特氟龙。

可选地,所述绝缘层的厚度为5nm至200nm。

可选地,所述绝缘层通过蒸镀或者溅射的方式形成。

可选地,所述振膜位于背极的上方,形成了振膜在上、背极在下的电容式结构。

可选地,所述振膜位于背极的下方,形成了振膜在下、背极在上的电容式结构。

本实用新型的电容式麦克风芯片,当进入振膜与背极之间的灰尘在潮湿的环境中凝聚有水气时,由于在振膜与背极正对的表面上设置绝缘层,从而可以避免背极与振膜的电导通,保证了麦克风芯片的性能,不会造成芯片灵敏度和频响的损失。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例,并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是本实用新型麦克风芯片的结构示意图。

图2是图1中麦克风芯片一种优选实施方式的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

参考图1,本实用新型提供了一种电容式麦克风芯片,其包括具有背腔7的衬底1、振膜2、背极3,衬底1可以采用本领域技术人员所熟知的硅材料,并可通过刻蚀的方式在衬底1上形成其背腔7结构。振膜2、背极3设置在所述衬底1上,并支撑在衬底1的背腔7上方。振膜2、背极3可采用多晶硅或者是本领域技术人员所熟知的其它材料,通过沉积、图案化等工序的处理,最后可通过腐蚀牺牲层的工艺形成振膜2、背极3。

背极3与振膜2正对设置,二者之间具有一定的间隙,使得二者构成了电容结构。具体地,振膜2可以设置在背极3的上方,从而形成了振膜2在上、背极3在下的电容式结构。也可以是,所述振膜2位于背极3的下方,形成了振膜2在下、背极3在上的电容式结构,参考图1。

在所述背极3上还可设置有贯通孔4,当采用背极3在上、振膜2在下的结构时,外界的声音经过背极3上的贯通孔4并作用在振膜2上;当采用背极3在下、振膜2在上的结构时,该贯通孔4可以均衡前腔与后腔的气压,以提高振膜2的振动特性。

本实用新型的电容式麦克风芯片,在背极3与振膜2相对的表面上设置有绝缘层。例如,所述绝缘层可以设置在振膜2上与背极3正对的表面上,或者所述绝缘层可以设置在背极3上与振膜2正对的表面上。

具体参考图1,图1示出的是背极3在上、振膜2在下的电容结构。振膜2的上表面与背极3正对,背极3的下表面与振膜2正对。其中,可以在振膜2的上表面设置有第一绝缘层5,以防止背极3与振膜2导通。还可以是,可以在背极3的下表面设置第二绝缘层6。

本实用新型的第一绝缘层5、第二绝缘层6可以择一设置,也可以同时设置。第一绝缘层5、第二绝缘层6可以采用本领域技术人员所熟知的绝缘材料,例如二氧化硅、氮化硅或者特氟龙等。该第一绝缘层5、第二绝缘层6可以通过本领域技术人员所熟知的蒸镀或者溅射的方式形成在背极3、振膜2的表面。在保证绝缘的前提下,为了防止绝缘层对麦克风的振动特性造成影响,第一绝缘层5、第二绝缘层6的厚度要求尽量薄,在本实用新型一个具体的实施方式中,所述第一绝缘层5、第二绝缘层6的厚度选择在5纳米至200纳米之间。

本实用新型的电容式麦克风芯片,当进入振膜与背极之间的灰尘在潮湿的环境中凝聚有水气时,由于在振膜与背极正对的表面上设置绝缘层,从而可以避免背极与振膜的电导通,保证了麦克风芯片的性能,不会造成芯片灵敏度和频响的损失。

本实用新型的电容式麦克风芯片,第二绝缘层6优选从背极3的下端面延伸至贯通孔4的内壁上,参考图2。也就是说,第二绝缘层6覆盖在背极3的下端面以及贯通孔4的内壁上。这样可以防止卡在贯通孔4中的灰尘将背极3与振膜2导通。

虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

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