1.一种电容式麦克风芯片，其特征在于：包括具有背腔(7)的衬底(1)，在所述衬底(1)上设有位于背腔(7)上方的背极(3)、振膜(2)；所述背极(3)与振膜(2)正对设置，且二者之间具有间隙，构成了电容结构；在所述背极(3)上设置有多个贯通孔(4)；其中，在背极(3)与振膜(2)相对的表面上设置有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层设置在振膜(2)上与背极(3)正对的表面上。
3.根据权利要求1所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层设置在背极(3)上与振膜(2)正对的表面上。
4.根据权利要求3所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层还设置在振膜(2)上与背极(3)正对的表面上。
5.根据权利要求3所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层从背极(3)的表面延伸至贯通孔(4)的内壁。
6.根据权利要求1所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层选用二氧化硅、氮化硅或者特氟龙。
7.根据权利要求1所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层的厚度为5nm至200nm。
8.根据权利要求1至7任一项所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述绝缘层通过蒸镀或者溅射的方式形成。
9.根据权利要求1至7任一项所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述振膜(2)位于背极(3)的上方，形成了振膜(2)在上、背极(3)在下的电容式结构。
10.根据权利要求1至7任一项所述的电容式麦克风芯片，其特征在于：所述振膜(2)位于背极(3)的下方，形成了振膜(2)在下、背极(3)在上的电容式结构。