高保真全向麦克风的制作方法

文档序号:16286989发布日期:2018-12-14 23:21阅读:716来源:国知局
高保真全向麦克风的制作方法

本实用新型涉及麦克风领域,特别涉及一种高保真全向麦克风。



背景技术:

全向麦克风是一款便携的会议电话产品,不仅能通过电脑的接口在互联网上进行高品质的网络电话会议;而且也能通过耳机接口作为无线移动电话的一种扬声器和麦克风的免提通话设备,进行高品质的无线移动电话会议。其造型经典大方便于携带。麦克风拾音方向可以根据会议场景进行选择设置,适合在会议室和办公室等场所使用。传统技术中的全向麦克风的电路部分使用的元器件较多,布线复杂,造成电路结构比较复杂,硬件成本较高。另外,由于传统技术中的全向麦克风的电路部分缺少相应的电路保护功能,例如:缺少过流保护功能,造成电路的安全性和可靠性不高。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种电路结构较为简单、成本较低、电路的安全性和可靠性较高的高保真全向麦克风。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种高保真全向麦克风,包括半环体、接线盒、活动轴、送话线、咪头、连接线、插头、绝缘套、金属网屏蔽层、导线、屏蔽壳和主电路板,所述接线盒设置在所述半环体的一端,所述活动轴设置在所述接线盒上,所述活动轴与所述送话线的一端连接,所述送话线的另一端与所述咪头连接,所述绝缘套设置在所述送话线的外层,所述金属网屏蔽层设置在所述绝缘套的内部,所述导线设置在所述送话线的内部,所述屏蔽壳设置在所述接线盒的外侧,所述主电路板设置在所述接线盒的内部,所述接线盒与所述连接线的一端连接,所述连接线的另一端与所述插头连接,所述主电路板上设有语音放大电路;

所述语音放大电路包括第一电容、第二电容、第一电阻、第三电容、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第三三极管、第五电阻、第四电容、第六电阻、电压输出端和直流电源,所述咪头分别与所述第一电容的一端、第二电容的一端、第二电阻的一端、第三电阻的一端、第二二极管的阳极、第六电阻的一端和第一二极管的阴极连接,所述第二电容的另一端接地,所述第一电容的另一端分别与所述第一电阻的一端和第一三极管的基极连接,所述第一电阻的另一端分别与所述第三电容的一端和第二三极管的发射极和第四电阻的一端连接,所述第三电容的另一端和第四电阻的另一端均接地,所述第一三极管的发射极接地,所述第一三极管的集电极分别与所述第二电阻的另一端和第二三极管的基极连接,所述第二三极管的集电极分别与所述第三电阻的另一端和第三三极管的基极连接,所述第三三极管的集电极与所述第二二极管的阴极连接,所述第三三极管的发射极分别与所述第五电阻的一端和第四电容的一端连接,所述第四电容的另一端与所述电压输出端连接,所述第五电阻的另一端和所述第六电阻的另一端均接地,所述第一二极管的阳极与所述直流电源连接,所述第二二极管的型号为E-562,所述第六电阻的阻值为46kΩ。

在本实用新型所述的高保真全向麦克风中,所述语音放大电路还包括第五电容,所述第五电容的一端与所述第一三极管的集电极连接,所述第五电容的另一端与所述第二三极管的基极连接,所述第五电容的电容值为250pF。

在本实用新型所述的高保真全向麦克风中,所述语音放大电路还包括第六电容,所述第六电容的一端与所述第二三极管的集电极连接,所述第六电容的另一端与所述第三三极管的基极连接,所述第六电容的电容值为480pF。

在本实用新型所述的高保真全向麦克风中,所述第一三极管、第二三极管和第三三极管的均为NPN型三极管。

实施本实用新型的高保真全向麦克风,具有以下有益效果:由于设有半环体、接线盒、活动轴、送话线、咪头、连接线、插头、绝缘套、金属网屏蔽层、导线、屏蔽壳和主电路板,主电路板上设有语音放大电路;语音放大电路包括第一电容、第二电容、第一电阻、第三电容、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第三三极管、第五电阻、第四电容、第六电阻、电压输出端和直流电源,该语音放大电路相对于传统技术中的高保真全向麦克风的电路部分,其使用的元器件较少,这样可以降低硬件成本,另外,第二二极管和第六电阻均用于进行限流保护,因此电路结构较为简单、成本较低、电路的安全性和可靠性较高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型高保真全向麦克风一个实施例中的结构示意图;

图2为所述实施例中高保真全向麦克风的一个局部结构示意图;

图3为所述实施例中高保真全向麦克风的另一个局部结构示意图;

图4为所述实施例中语音放大电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型高保真全向麦克风实施例中,该高保真全向麦克风的结构示意图如图1所示。图2为本实施例中高保真全向麦克风的一个局部结构示意图;图3为本实施例中高保真全向麦克风的另一个局部结构示意图。如图1至图3,该高保真全向麦克风包括半环体1、接线盒2、活动轴3、送话线4、咪头5、连接线6、插头7、绝缘套8、金属网屏蔽层9、导线10、屏蔽壳11和主电路板12,其中,接线盒2设置在半环体1的一端,活动轴3设置在接线盒2上,活动轴3与送话线4的一端连接,送话线4的另一端与咪头5连接,绝缘套8设置在送话线4的外层,金属网屏蔽层9设置在绝缘套8的内部,金属网屏蔽层9所产生的缝隙可使得高频信号自由地进出,所以能有效地屏蔽干扰。

导线10设置在送话线4的内部,屏蔽壳11设置在接线盒2的外侧,主电路板12设置在接线盒2的内部,接线盒2与连接线6的一端连接,连接线6的另一端与插头7连接,便于连接无线设备,主电路板12上设有语音放大电路。

当需要用该高保真全向麦克风时,将半环体1固定于头上,通过调整活动轴3来调节咪头5的位置,使咪头5位于使用者的嘴旁,使用者在发出声音后由咪头5将声音信号转化为电信号,通过送话线4内的导线10来传进接线盒2内的主电路板12上,由放大电路放大后传入无线设备中,金属网屏蔽层9和屏蔽壳11能够利用金属对电磁波的反射、吸收和趋肤效应原理,有效防止外部电磁干扰进入送话线4和接线盒2内,提高音频的保真度。

图4为本实施例中语音放大电路的电路原理图,图4中,该语音放大电路包括第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1、第三电容C3、第二电阻R2、第一三极管Q1、第三电阻R3、第二三极管Q2、第四电阻R4、第一二极管D1、第二二极管D2、第三三极管Q3、第五电阻R5、第四电容C4、第六电阻R6、电压输出端Vo和直流电源VCC,其中,咪头5分别与第一电容C1的一端、第二电容C2的一端、第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端、第二二极管D2的阳极、第六电阻R6的一端和第一二极管D1的阴极连接,第二电容C2的另一端接地,第一电容C1的另一端分别与第一电阻R1的一端和第一三极管Q1的基极连接,第一电阻R1的另一端分别与第三电容C3的一端和第二三极管Q2的发射极和第四电阻R4的一端连接,第三电容C3的另一端和第四电阻R4的另一端均接地,第一三极管Q1的发射极接地,第一三极管Q1的集电极分别与第二电阻R2的另一端和第二三极管Q2基极连接,第二三极管Q2的集电极分别与第三电阻R3的另一端和第三三极管Q3的基极连接,第三三极管Q3的集电极与第二二极管D2的阴极连接,第三三极管Q3的发射极分别与第五电阻R5的一端和第四电容C4的一端连接,第四电容C4的另一端与电压输出端Vo连接,第五电阻R5的另一端和第六电阻R6的另一端均接地,第一二极管D1的阳极与直流电源VCC连接。

该语音放大电路相对于传统技术中的高保真全向麦克风的电路部分,其使用的元器件较少,电路结构较为简单,这样可以降低硬件成本。另外,第二二极管D2为限流二极管,用于对第三三极管Q3的集电极电流进行限流保护。第六电阻R6为限流电阻,用于进行限流保护,因此电路的安全性和可靠性较高。值得一提的是,本实施例中,第二二极管D2的型号为E-562,第六电阻R6的阻值为46kΩ,当然,在实际应用中,第二二极管D2也可以采用其他型号具有类似功能的二极管,第六电阻R6的阻值也可以根据具体情况进行相应调整。

本实施例中,由第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3组成多级小信号放大器,第一三极管Q1和第二三极管Q2组成电压增益放大器,第三三极管Q3为射极输出器,没有电压增益,电路虽然为三级直接耦合,但调整相对简单,第一三极管Q1和第二三极管Q2本级都有一定的交直流负反馈,第一三极管Q1的基极电流是通过第一电阻R1取自正比于第二三极管Q2在第四电阻R4上的电压降。采用这种相互偏置电路,主要是解决晶体管因温度的变化致使设置的静态工作点也随之变化的问题,因此这种电路比其他单管电路的稳定性好。

值得一提的是,本实施例中,第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3均为NPN型三极管。当然,在实际应用中,第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3也可以均采用PNP型三极管,但这时电路的结构也要相应发生变化。

本实施例中,该语音放大电路还包括第五电容C5,第五电容C5的一端与第一三极管Q1的集电极连接,第五电容C5的另一端与第二三极管Q2的基极连接。第五电容C5为耦合电容,用于防止第一三极管Q1与第二三极管Q2之间的干扰,以进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是,本实施例中,第五电容C5的电容值为250pF,当然,在实际应用中,第五电容C5的电容值可以根据具体情况进行相应调整。

本实施例中,该语音放大电路还包括第六电容C6,第六电容C6的一端与第二三极管Q2的集电极连接,第六电容C6的另一端与第三三极管Q3的基极连接。第六电容C6为耦合电容,用于防止第二三极管Q2与第三三极管Q3之间的干扰,以更进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是,本实施例中,第六电容C6的电容值为480pF,当然,在实际应用中,第六电容C6的电容值可以根据具体情况进行相应调整。

总之,本实施例中,该语音放大电路相对于传统技术中的高保真全向麦克风的电路部分,其使用的元器件较少,电路结构较为简单,这样可以降低硬件成本。另外,该语音放大电路中设有限流二极管和限流电阻,因此电路的安全性和可靠性较高。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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