一种新型结构的同轴扬声器的制作方法

本实用新型涉及电声器件技术领域，具体涉及一种新型结构的同轴扬声器。

背景技术：

扬声器的结构优劣决定其声音品质，普通结构的扬声器并不能做到真正的全频段重放声音，同一个扬声器低频段和高频段是相互矛盾的，低频多高频就少，低频少高频就会多，不能都做到理想状态，在这样的情况下需要开发新型结构的扬声器以更好地提高声音品质，展现全频段声音。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是一种新型结构的同轴扬声器，能够有效解决现有技术中的不足之处。

本实用新型是通过以下技术方案来实现的：一种新型结构的同轴扬声器，包括a支架、b支架、a音膜、b音膜、a音圈、b音圈、a华司、b华司、c华司、a磁铁、b磁铁、c磁铁、t铁a，所述同轴扬声器的a支架和b支架上下组合设置在一起：所述a支架里面设置有a音膜、a音圈、a华司、b华司、a磁铁、b磁铁，a支架的内孔上沿设置a音膜，a音膜的下面设置a音圈，a音圈的外围设置有a华司，a华司的下面设置a磁铁，a磁铁的下面设置b华司，b华司的中心平面上设置b磁铁，b磁铁设置在a音圈的里面；所述b支架里面设置b音膜、b音圈、c华司、c磁铁、t铁a，b支架的内孔上沿设置b音膜，b音膜的下面设置b音圈，b音圈的外围设置有c华司，c华司的下面设置有c磁铁，c磁铁的下面设置有t铁a，t铁a的中心柱设置在b音圈的里面。

一种新型结构的同轴扬声器，包括a支架、b支架、a音膜、b音膜、a音圈、b音圈、a华司、c华司、a磁铁、c磁铁、t铁a、t铁b，所述同轴扬声器的a支架和b支架上下组合设置在一起；所述a支架里面设置a音膜、a音圈、a华司、a磁铁、t铁b，a支架的内孔上沿设置a音膜，a音膜的下面设置a音圈，a音圈的外围设置a华司，a华司的下面设置a磁铁，a磁铁的下面设置t铁b，t铁b的中心柱设置在a音圈的里面；所述b支架里面设置b音膜、b音圈、c华司、c磁铁、t铁a，b支架的内孔上沿设置b音膜，b音膜的下面设置b音圈，b音圈的外围设置c华司，c华司的下面设置c磁铁，c磁铁的下面设置t铁a，t铁a的中心柱设置在b音圈的里面。

作为优选的技术方案，a支架和b支架上下组合设置在一起。

作为优选的技术方案，a支架里面的部件结构和b支架里面的部件结构都可以按照a支架里面的部件结构，也可以都按照b支架里面的部件结构来设置。

作为优选的技术方案，所述a支架和b支架的外形大小可以设置为一样也可以设置为不一样。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的特点是其结构设计遵循声学原理，结合低频和中高频扬声器同轴设计的结构使电声性能更加优异，频率响应范围更宽广。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例一的分解图；

图2是本实用新型实施例一的剖面图；

图3是本实用新型实施例二的剖面图；

图中：a支架1、b支架2、a音膜3、a音圈4、a华司5、b华司6、a磁铁7、b磁铁8、b音膜9、b音圈10、c华司11、c磁铁12、t铁a13、t铁b14。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“一端”、“另一端”、“外侧”、“上”、“内侧”、“水平”、“同轴”、“中央”、“端部”、“长度”、“外端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

本实用新型使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“套接”、“连接”、“贯穿”、“插接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

实施例1

参照图1-2

具体实施方式为：同轴扬声器的a支架1和b支架2上下组合设置在一起：所述a支架1里面设置有a音膜3、a音圈4、a华司5、b华司6、a磁铁7、b磁铁8；a支架1的内孔上沿设置有a音膜3，a音膜3的下面设置有a音圈4，a音圈4的外围设置有a华司5，a华司5的下面设置有a磁铁7，a磁铁7的下面设置有b华司6，b华司6的中心平面上设置有b磁铁8，b磁铁8设置在a音圈4的里面；

所述b支架2里面设置有b音膜9、b音圈10、c华司11、c磁铁12、t铁a13；b支架2的内孔上沿设置有b音膜9，b音膜9的下面设置有b音圈10，b音圈10的外围设置有c华司11，c华司11的下面设置有c磁铁12，c磁铁12的下面设置有t铁a13，t铁a13的中心柱设置在b音圈10的里面。

实施例2

参照图3

具体实施方式为：同轴扬声器的a支架1和b支架2上下组合设置在一起：所述a支架1里面设置有a音膜3、a音圈4、a华司5、a磁铁7、t铁b14；a支架1的内孔上沿设置有a音膜3，a音膜3的下面设置有a音圈4，a音圈4的外围设置有a华司5，a华司5的下面设置有a磁铁7，a磁铁7的下面设置有t铁b14，t铁b14的中心柱设置在a音圈4的里面；

所述b支架2里面设置有b音膜9、b音圈10、c华司11、c磁铁12、t铁a13，b支架2的内孔上沿设置有b音膜9，b音膜9的下面设置有b音圈10，b音圈10的外围设置有c华司11，c华司11的下面设置有c磁铁12，c磁铁12的下面设置有t铁a13，t铁a13的中心柱设置在b音圈10的里面。

本实用新型以上实施例采用新型结构的同轴扬声器，其结构设计遵循声学原理，结构和电声性能更加优异，同时有利于终端产品的结构设计。

本实用新型的特点是结合低频和中高频扬声器同轴设计的结构使电声性能更加优异，频率响应范围更宽广。

需要说明的是，在本文中，诸如a和b之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。