高频模块和通信装置的制作方法

本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术：

在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。

在专利文献1中公开了一种半导体模块，该半导体模块具有以下结构：在能够进行双面安装的布线基板的上表面安装滤波器，在下表面安装发送功率放大器和接收低噪声放大器。发送功率放大器和接收低噪声放大器分别由半导体芯片构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-40602号公报

技术实现要素：

实用新型要解决的问题

然而，在专利文献1中公开的半导体模块中，在想要执行基于多个通信频段的同时接收的情况下，必须确保用于接收不同的通信频段的高频信号的接收路径之间的隔离度。当上述接收路径之间的隔离度下降时，产生各通信频段中的接收灵敏度下降这样的问题。

本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种在同时接收多个通信频段的高频信号的情况下接收灵敏度的劣化得到抑制的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块同时接收第一接收信号和第二接收信号，所述高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；第一接收低噪声放大器，其形成于第一半导体ic，放大所述第一接收信号；第二接收低噪声放大器，其形成于与所述第一半导体ic不同的第二半导体ic，放大所述第二接收信号；以及外部连接端子，其形成于所述第二主面，其中，所述第一半导体ic和所述第二半导体ic中的至少一方配置于所述第二主面。

优选地，所述高频模块还具备第三接收低噪声放大器，所述第三接收低噪声放大器形成于所述第一半导体ic，放大第三接收信号，

所述高频模块不同时接收所述第一接收信号和所述第三接收信号。

优选地，所述第一半导体ic和所述第二半导体ic这两方配置于所述第二主面。

优选地，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一半导体ic与所述第二半导体ic之间配置有具有地电位的所述外部连接端子。

优选地，所述高频模块还具备控制电路，所述控制电路形成于所述第一半导体ic，利用数字控制信号来控制所述第一接收低噪声放大器。

优选地，所述第一半导体ic配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二半导体ic配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。

优选地，所述高频模块还具备：控制电路，其形成于所述第一半导体ic，利用数字控制信号来控制所述第一接收低噪声放大器；天线连接端子；以及电路部件，其配置于将所述天线连接端子与所述第一接收低噪声放大器连结的第一接收路径或者将所述天线连接端子与所述第二接收低噪声放大器连结的第二接收路径，其中，所述第一半导体ic和所述电路部件配置于所述第二主面，所述第二半导体ic配置于所述第一主面，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一半导体ic与所述电路部件之间配置有具有地电位的所述外部连接端子。

本实用新型的另一个方式所涉及的通信装置具备：天线；rf信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述rf信号处理电路之间传输所述高频信号。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够提供在同时接收多个通信频段的高频信号的情况下接收灵敏度的劣化得到抑制的高频模块和通信装置。

附图说明

图1是实施方式所涉及的高频模块的电路结构图。

图2a是实施例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图2b是实施例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。

图3a是实施例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。

图3b是实施例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。

具体实施方式

下面，详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大小之比未必是严格的。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

另外，下面，平行和垂直等表示要素之间的关系性的用语、矩形形状等表示要素的形状的用语以及数值范围不是仅表示严格的含义，而是表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异。

另外，下面，在安装于基板的a、b及c中，“在俯视基板(或基板的主面)时，在a与b之间配置有c”表示：在俯视基板时，将a内的任意的点与b内的任意的点连结的直线经过c的区域。另外，俯视基板表示：将基板和安装于基板的电路元件正投影到与基板平行的平面来进行观察。

另外，下面，“发送路径”表示由传播高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“接收路径”表示由传播高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。另外，“信号路径”表示由传播高频信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等构成的传输线路。

(实施方式)

[1.高频模块1和通信装置5的电路结构]

图1是实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、rf信号处理电路(rfic)3以及基带信号处理电路(bbic)4。

rfic3是对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的rf信号处理电路。具体地说，rfic3对经由高频模块1的接收路径输入的接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到bbic4。另外，rfic3对从bbic4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的发送信号输出到高频模块1的发送路径。

bbic4是使用频率比在高频模块1中传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由bbic4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。

另外，rfic3还具有作为基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的开关51、52及55的连接的控制部的功能。具体地说，rfic3通过控制信号(未图示)来切换高频模块1所具有的开关51～55的连接。此外，控制部也可以设置于rfic3的外部，例如也可以设置于高频模块1或bbic4。

另外，rfic3还具有作为对高频模块1所具有的接收低噪声放大器21～24的增益等进行控制的控制部的功能。具体地说，rfic3将mipi和gpio等数字控制信号输出到高频模块1的控制信号端子。另外，rfic3将用于提供给接收低噪声放大器21～24的电源电压vcc和偏置电压vbias的直流电压信号vdc输出到高频模块1的控制信号端子。高频模块1的控制电路80根据经由控制信号端子输入的数字控制信号和直流电压信号来调整接收低噪声放大器21～24的增益等。此外，控制部也可以设置于rfic3的外部，例如也可以设置于bbic4。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。

此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和bbic4不是必需的结构要素。

接着，说明高频模块1的详细结构。

如图1所示，高频模块1具备天线连接端子100、发送功率放大器11及12、接收低噪声放大器21、22、23及24、发送滤波器61t、62t、63t及64t、接收滤波器61r、62r、63r及64r、发送输出匹配电路30、接收输入匹配电路40、匹配电路71、72、73及74、开关51、52及55、同向双工器60、以及控制电路80。

天线连接端子100是与天线2连接的天线公共端子。

发送功率放大器11是对从发送输入端子111输入的属于第一频带组的通信频段a(第一通信频段)的第一发送信号和通信频段b(第三通信频段)的第三发送信号进行放大的放大器。另外，发送功率放大器12是对从发送输入端子112输入的属于第二频带组的通信频段c(第二通信频段)的第二发送信号和通信频段d(第四通信频段)的第四发送信号进行放大的放大器，该第二频带组的频率与第一频带组的频率不同。

接收低噪声放大器21是将通信频段a(第一通信频段)的第一接收信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子121的放大器。接收低噪声放大器22是将通信频段b(第三通信频段)的第三接收信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子122的放大器。接收低噪声放大器23是将通信频段c(第二通信频段)的第二接收信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子123的放大器。接收低噪声放大器24是将通信频段d(第四通信频段)的第四接收信号以低噪声进行放大后输出到接收输出端子124的放大器。

接收低噪声放大器21及22形成于第一半导体ic(integratedcircuit：集成电路)25。也就是说，接收低噪声放大器21及22形成于1个半导体芯片。另外，接收低噪声放大器23及24形成于第二半导体ic26。也就是说，接收低噪声放大器23及24形成于1个半导体芯片。

第一半导体ic25和第二半导体ic26例如分别由cmos(complementarymetaloxidesemiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。具体地说，是通过soi(silicononinsulator：绝缘体上的硅)工艺来形成的。由此，能够廉价地制造半导体ic。此外，第一半导体ic25和第二半导体ic26也可以分别由gaas、sige以及gan中的至少任一个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

此外，接收低噪声放大器21和接收低噪声放大器22也可以形成于不同的半导体ic。另外，接收低噪声放大器23和接收低噪声放大器24也可以形成于不同的半导体ic。

控制电路80根据经由控制信号端子输入的数字控制信号mipi及gpio以及直流电压信号来调整接收低噪声放大器21～24的增益等。控制电路80也可以形成于第一半导体ic25或第二半导体ic26。

发送滤波器61t是第一发送滤波器的一例，配置于将发送功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径at，使被发送功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段a的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器62t是第三发送滤波器的一例，配置于将发送功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径bt，使被发送功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段b的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器63t是第二发送滤波器的一例，配置于将发送功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径ct，使被发送功率放大器12放大后的发送信号中的通信频段c的发送带的发送信号通过。另外，发送滤波器64t是第四发送滤波器的一例，配置于将发送功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径dt，使被发送功率放大器12放大后的发送信号中的通信频段d的发送带的发送信号通过。

接收滤波器61r是第一接收滤波器的一例，配置于将接收低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径ar，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段a的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器62r是第三接收滤波器的一例，配置于将接收低噪声放大器22与天线连接端子100连结的接收路径br，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段b的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器63r是第二接收滤波器的一例，配置于将接收低噪声放大器23与天线连接端子100连结的接收路径cr，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段c的接收带的接收信号通过。另外，接收滤波器64r是第四接收滤波器的一例，配置于将接收低噪声放大器24与天线连接端子100连结的接收路径dr，使从天线连接端子100输入的接收信号中的通信频段d的接收带的接收信号通过。

双工器61是第一双工器的一例，由发送滤波器61t和接收滤波器61r构成。另外，双工器62是第三双工器的一例，由发送滤波器62t和接收滤波器62r构成。另外，双工器63是第二双工器的一例，由发送滤波器63t和接收滤波器63r构成。另外，双工器64是第四双工器的一例，由发送滤波器64t和接收滤波器64r构成。

发送路径at传输通信频段a的发送信号。发送路径at的一端与发送功率放大器11的输出端子连接，发送路径at的另一端与天线连接端子100连接。发送路径bt传输通信频段b的发送信号。发送路径bt的一端与发送功率放大器11的输出端子连接，发送路径bt的另一端与天线连接端子100连接。发送路径ct传输通信频段c的发送信号。发送路径ct的一端与发送功率放大器12的输出端子连接，发送路径ct的另一端与天线连接端子100连接。发送路径dt传输通信频段d的发送信号。发送路径dt的一端与发送功率放大器12的输出端子连接，发送路径dt的另一端与天线连接端子100连接。

接收路径ar传输通信频段a的接收信号。接收路径ar的一端与天线连接端子100连接，接收路径ar的另一端与接收低噪声放大器21的输入端子连接。接收路径br传输通信频段b的接收信号。接收路径br的一端与天线连接端子100连接，接收路径br的另一端与接收低噪声放大器22的输入端子连接。接收路径cr传输通信频段c的接收信号。接收路径cr的一端与天线连接端子100连接，接收路径cr的另一端与接收低噪声放大器23的输入端子连接。接收路径dr传输通信频段d的接收信号。接收路径dr的一端与天线连接端子100连接，接收路径dr的另一端与接收低噪声放大器24的输入端子连接。

发送输出匹配电路30具有匹配电路31及32。匹配电路31配置于将发送功率放大器11与发送滤波器61t及62t连结的发送路径，取得发送功率放大器11与发送滤波器61t及62t的阻抗匹配。匹配电路32配置于将发送功率放大器12与发送滤波器63t及64t连结的发送路径，取得发送功率放大器12与发送滤波器63t及64t的阻抗匹配。

接收输入匹配电路40具有匹配电路41、42、43及44。匹配电路41配置于将接收低噪声放大器21与接收滤波器61r连结的接收路径ar，取得接收低噪声放大器21与接收滤波器61r的阻抗匹配。匹配电路42配置于将接收低噪声放大器22与接收滤波器62r连结的接收路径br，取得接收低噪声放大器22与接收滤波器62r的阻抗匹配。匹配电路43配置于将接收低噪声放大器23与接收滤波器63r连结的接收路径cr，取得接收低噪声放大器23与接收滤波器63r的阻抗匹配。匹配电路44配置于将接收低噪声放大器24与接收滤波器64r连结的接收路径dr，取得接收低噪声放大器24与接收滤波器64r的阻抗匹配。

开关51具有公共端子和2个选择端子。开关51的公共端子经由匹配电路31来与发送功率放大器11的输出端子连接。开关51的一方的选择端子与配置于发送路径at的双工器61连接，开关51的另一方的选择端子与配置于发送路径bt的双工器62连接。在该连接结构中，开关51对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关51对发送功率放大器11与双工器61及62的连接和非连接进行切换。开关51例如由spdt(singlepoledoublethrow：单刀双掷)型的开关电路构成。

开关52具有公共端子和2个选择端子。开关52的公共端子经由匹配电路32来与发送功率放大器12的输出端子连接。开关52的一方的选择端子与配置于发送路径ct的双工器63连接，开关52的另一方的选择端子与配置于发送路径dt的双工器64连接。在该连接结构中，开关52对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关52对发送功率放大器12与双工器63及64的连接和非连接进行切换。开关52例如由spdt型的开关电路构成。

此外，接收低噪声放大器21及22也可以由能够放大第一频带组的接收信号的1个接收低噪声放大器构成。在该情况下，也可以将对上述1个接收低噪声放大器与接收路径ar及br的连接进行切换的开关配置于上述1个接收低噪声放大器与接收路径ar及br之间。

另外，接收低噪声放大器23及24也可以由能够放大第二频带组的接收信号的1个接收低噪声放大器构成。在该情况下，也可以将对上述1个接收低噪声放大器与接收路径cr及dr的连接进行切换的开关配置于上述1个接收低噪声放大器与接收路径cr及dr之间。

开关55是天线开关的一例，经由同向双工器60来与天线连接端子100连接，对(1)天线连接端子100与双工器61的连接和非连接、(2)天线连接端子100与双工器62的连接和非连接、(3)天线连接端子100与双工器63的连接和非连接、以及(4)天线连接端子100与双工器64的连接和非连接进行切换。此外，开关55由能够同时进行上述(1)～(4)中的2个以上的连接的多连接型的开关电路构成。

匹配电路71配置于将开关55与双工器61连结的路径，取得天线2及开关55与双工器61的阻抗匹配。匹配电路72配置于将开关55与双工器62连结的路径，取得天线2及开关55与双工器62的阻抗匹配。匹配电路73配置于将开关55与双工器63连结的路径，取得天线2及开关55与双工器63的阻抗匹配。匹配电路74配置于将开关55与双工器64连结的路径，取得天线2及开关55与双工器64的阻抗匹配。

同向双工器60是多工器的一例，由滤波器60l及60h构成。滤波器60l是以包含第一频带组和第二频带组的频率范围为通带的滤波器，滤波器60h是以包含其它频带组的频率范围为通带的滤波器，该其它频带组的频率与第一频带组及第二频带组的频率不同。滤波器60l的一方的端子和滤波器60h的一方的端子共同连接于天线连接端子100。滤波器60l及60h例如分别是由芯片状的电感器和电容器中的至少一方构成的lc滤波器。此外，在第一频带组和第二频带组位于比上述其它频带组靠低频侧的位置的情况下，滤波器60l可以是低通滤波器，另外，滤波器60h可以是高通滤波器。

此外，上述的发送滤波器61t～64t和接收滤波器61r～64r例如可以是使用saw(surfaceacousticwave：声表面波)的弹性波滤波器、使用baw(bulkacousticwave：体声波)的弹性波滤波器、lc谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。

另外，发送功率放大器11及12以及接收低噪声放大器21～24例如由以si系的cmos(complementarymetaloxidesemiconductor：互补金属氧化物半导体)或gaas为材料的场效应型晶体管(fet)或异质结双极型晶体管(hbt)等构成。

此外，匹配电路31、32、41～44、71～74、同向双工器60以及开关51、52及55不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。

在上述高频模块1的结构中，发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、发送滤波器61t、匹配电路71、开关55以及滤波器60l构成向天线连接端子100传输通信频段a的发送信号的第一发送电路。另外，滤波器60l、开关55、匹配电路71、接收滤波器61r、匹配电路41以及接收低噪声放大器21构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段a的接收信号的第一接收电路。

另外，发送功率放大器11、匹配电路31、开关51、发送滤波器62t、匹配电路72、开关55以及滤波器60l构成向天线连接端子100传输通信频段b的发送信号的第三发送电路。另外，滤波器60l、开关55、匹配电路72、接收滤波器62r、匹配电路41以及接收低噪声放大器22构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段b的接收信号的第三接收电路。

另外，发送功率放大器12、匹配电路32、开关52、发送滤波器63t、匹配电路73、开关55以及滤波器60l构成向天线连接端子100传输通信频段c的发送信号的第二发送电路。另外，滤波器60l、开关55、匹配电路73、接收滤波器63r、匹配电路42以及接收低噪声放大器23构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段c的接收信号的第二接收电路。

另外，发送功率放大器12、匹配电路32、开关52、发送滤波器64t、匹配电路74、开关55以及滤波器60l构成向天线连接端子100传输通信频段d的发送信号的第四发送电路。另外，滤波器60l、开关55、匹配电路74、接收滤波器64r、匹配电路42以及接收低噪声放大器24构成从天线2经由天线连接端子100传输通信频段d的接收信号的第四接收电路。

根据上述电路结构，高频模块1能够进行通信频段a和通信频段b中的任一个通信频段的接收信号与通信频段c和通信频段d中的任一个通信频段的接收信号的同时接收。

另外，高频模块1不同时接收通信频段a的第一接收信号和通信频段b的第三接收信号。另外，高频模块1不同时接收通信频段c的第二接收信号和通信频段d的第四接收信号。

此外，在本实用新型所涉及的高频模块中，上述4个发送电路和上述4个接收电路也可以并非经由开关55与天线连接端子100连接，上述4个发送电路和上述4个接收电路也可以经由不同的端子来与天线2连接。另外，本实用新型所涉及的高频模块只要至少具有第一接收电路和第二接收电路即可。

另外，在本实用新型所涉及的高频模块中，第一接收电路只要至少具有接收低噪声放大器21即可。另外，第二接收电路只要至少具有接收低噪声放大器23即可。

在此，在将构成上述高频模块1的各电路元件用1个模块构成为小型的前端电路的情况下，例如必须将第一～第四发送电路和第一～第四接收电路接近地配置。在该情况下，同时接收的通信频段a的第一接收信号与通信频段c的第二接收信号发生干扰，由此同时接收的接收信号之间的隔离度劣化。当上述接收信号之间的隔离度劣化时，产生通信频段a及c中的接收灵敏度下降这样的问题。

与此相对，在本实施方式所涉及的高频模块1中，具有抑制第一接收电路与第二接收电路发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合的结构。下面，说明本实施方式所涉及的高频模块1的抑制上述电场耦合、上述磁场耦合或电磁场耦合的结构。

[2.实施例1所涉及的高频模块1a的电路元件配置结构]

图2a是实施例1所涉及的高频模块1a的平面结构概要图。另外，图2b是实施例1所涉及的高频模块1a的截面结构概要图，具体地说，是图2a的iib-iib线处的截面图。此外，图2a的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图2a的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例1所涉及的高频模块1a具体地示出了构成实施方式1所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

如图2a和图2b所示，本实施例所涉及的高频模块1a除了具有图1中示出的电路结构以外，还具有模块基板91以及树脂构件92及93。

模块基板91具有彼此相向的主面91a(第一主面)和主面91b(第二主面)，是安装上述发送电路和上述接收电路的基板。作为模块基板91，例如使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(lowtemperatureco-firedceramics：ltcc)基板、高温共烧陶瓷(hightemperatureco-firedceramics：htcc)基板、部件内置基板、具有重新布线层(redistributionlayer：rdl)的基板、或者印刷电路板等。

树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91a，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖上述发送电路的一部分、上述接收电路的一部分以及模块基板91的主面91b，具有确保构成上述发送电路和上述接收电路的电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件92及93不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。

如图2a和图2b所示，在本实施例所涉及的高频模块1a中，接收低噪声放大器21及22以及控制电路80形成于第一半导体ic25。另外，接收低噪声放大器23及24形成于第二半导体ic26。第一半导体ic25和第二半导体ic26配置于主面91b。另外，在模块基板91的主面91b侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1a与配置于高频模块1a的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。此外，外部连接端子150既可以是如图2a及2b所示那样沿z轴方向贯通树脂构件93的柱状电极，另外也可以是形成在主面91b上的凸块电极。

根据上述结构，放大通信频段a的接收信号的接收低噪声放大器21与放大通信频段c的接收信号的接收低噪声放大器23形成于不同的半导体ic。另外，放大通信频段b的接收信号的接收低噪声放大器22与放大通信频段d的接收信号的接收低噪声放大器24形成于不同的半导体ic。也就是说，放大同时接收的2个接收信号的2个接收低噪声放大器形成于不同的半导体ic。由此，能够抑制上述2个接收低噪声放大器发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合，因此能够提高同时接收的2个接收信号之间的隔离度。因此，能够抑制各通信频段a～d中的接收灵敏度的劣化。另外，易于降低高度的接收低噪声放大器21～24配置于与外部基板相向的主面91b，因此能够使高频模块1a整体高度降低。另外，能够在对接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21～24的周围配置多个被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收灵敏度的劣化。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，分别放大不同时接收的通信频段a的接收信号和通信频段b的接收信号的接收低噪声放大器21及22形成于同一第一半导体ic25。另外，分别放大不同时接收的通信频段c的接收信号和通信频段d的接收信号的接收低噪声放大器23及24形成于同一第二半导体ic26。

据此，通过将放大不需要考虑隔离度的2个接收信号的2个接收低噪声放大器形成于同一半导体ic，能够使模块基板91的表面的安装布局面积小，因此能够使高频模块1a小型化。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，控制电路80形成于第一半导体ic25。在此，在俯视模块基板91的情况下，在第一半导体ic25与第二半导体ic26之间配置有具有地电位的外部连接端子150g。

据此，能够抑制针对控制电路80输入输出的数字控制信号作为数字噪声流入到接收低噪声放大器23及24。因此，能够抑制通信频段c及d的接收灵敏度的劣化。

此外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，发送功率放大器11及12、双工器61～64、开关51及52、匹配电路31、32、41～44以及同向双工器60安装于主面91a的表面，第一半导体ic25、第二半导体ic26以及开关55安装于主面91b的表面，但是不限于此。发送功率放大器11及12、双工器61～64、开关51、52及55、匹配电路31、32、41～44以及同向双工器60可以配置于主面91a及91b中的任一个主面。此外，匹配电路71～74在图2a和图2b中未图示，既可以安装于模块基板91的主面91a及91b中的任一个主面的表面，也可以内置于模块基板91。

此外，期望的是，如本实施例所涉及的高频模块1a所示的那样，发送功率放大器11及12安装于主面91a。

发送功率放大器11及12是高频模块1a所具有的电路部件中发热量大的部件。为了提高高频模块1a的散热性，利用具有小的热阻的散热路径将发送功率放大器11及12的发热散出到外部基板是很重要的。假如在将发送功率放大器11及12安装于主面91b的情况下，与发送功率放大器11及12连接的电极布线被配置在主面91b上。因此，作为散热路径，包括仅经由主面91b上的(沿着xy平面方向的)平面布线图案的散热路径。上述平面布线图案由金属薄膜形成，因此热阻大。因此，在将发送功率放大器11及12配置在主面91b上的情况下，散热性会下降。

与此相对，在将发送功率放大器11及12安装于主面91a的情况下，能够借助贯通主面91a与主面91b之间的贯通电极来将发送功率放大器11及12与外部连接端子150连接。因此，作为发送功率放大器11及12的散热路径，能够排除仅经由模块基板91内的布线中的热阻大的沿着xy平面方向的平面布线图案的散热路径。因此，能够提供提高了从发送功率放大器11及12向外部基板的散热性的小型的高频模块1a。

此外，控制电路80也可以不形成于第一半导体ic25，而是形成于第二半导体ic26。并且，控制电路80也可以既不形成于第一半导体ic25也不形成于第二半导体ic26。

另外，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，第一半导体ic25与双工器61、62及匹配电路41、42重叠。

由此，能够使将接收低噪声放大器21与双工器61连接的布线长度短，因此能够减少接收路径ar的传输损耗。另外，能够使将接收低噪声放大器22与双工器62连接的布线长度短，因此能够减少接收路径br的传输损耗。

另外，期望的是，在俯视模块基板91的情况下，第二半导体ic26与双工器63、64及匹配电路43、44重叠。

由此，能够使将接收低噪声放大器23与双工器63连接的布线长度短，因此能够减少接收路径cr的传输损耗。另外，能够使将接收低噪声放大器24与双工器64连接的布线长度短，因此能够减少接收路径dr的传输损耗。

[3.实施例2所涉及的高频模块1b的电路元件配置结构]

在实施例1中，设为第一半导体ic25和第二半导体ic26这两方配置于主面91b的结构，但是实施例2所涉及的高频模块1b具有以下结构：第一半导体ic25和第二半导体ic26以将模块基板91夹在中间的方式配置。

图3a是实施例2所涉及的高频模块1b的平面结构概要图。另外，图3b是实施例2所涉及的高频模块1b的截面结构概要图，具体地说，是图3a的iiib-iiib线处的截面图。此外，图3a的(a)中示出了在从z轴正方向侧观察模块基板91的彼此相向的主面91a及91b中的主面91a的情况下的电路元件的配置图。另一方面，图3a的(b)中示出了透视在从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的电路元件的配置所得到的图。

实施例2所涉及的高频模块1b具体地示出了构成实施方式1所涉及的高频模块1的各电路元件的配置结构。

本实施例所涉及的高频模块1b与实施例1所涉及的高频模块1a相比，仅构成高频模块1b的电路元件的配置结构不同。下面，关于本实施例所涉及的高频模块1b，省略与实施例1所涉及的高频模块1a相同的方面的说明，以不同的方面为中心来进行说明。

如图3a和图3b所示，在本实施例所涉及的高频模块1b中，接收低噪声放大器21及22以及控制电路80形成于第一半导体ic25。另外，接收低噪声放大器23及24形成于第二半导体ic26。第一半导体ic25配置于主面91b，第二半导体ic26配置于主面91a。另外，在模块基板91的主面91b侧配置有多个外部连接端子150。高频模块1a与配置于高频模块1a的z轴负方向侧的外部基板经由多个外部连接端子150来进行电信号的交换。

根据上述结构，放大通信频段a的接收信号的接收低噪声放大器21与放大通信频段c的接收信号的接收低噪声放大器23形成于不同的半导体ic。另外，放大通信频段b的接收信号的接收低噪声放大器22与放大通信频段d的接收信号的接收低噪声放大器24形成于不同的半导体ic。也就是说，放大同时接收的2个接收信号的2个接收低噪声放大器形成于不同的半导体ic。由此，能够抑制上述2个接收低噪声放大器发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合，因此能够提高同时接收的2个接收信号之间的隔离度。并且，在本实施例中，第一半导体ic25和第二半导体ic26以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够更进一步抑制同时接收的2个接收低噪声放大器发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。因此，能够更进一步抑制各通信频段a～d中的接收灵敏度的劣化。

此外，期望的是，模块基板91具有多个电介质层层叠而成的多层构造，该多个电介质层中的至少1个形成有地电极图案。由此，模块基板91的电磁场屏蔽功能进一步提高。

另外，在本实施例所涉及的高频模块1a中，双工器61及62配置于主面91b，在俯视模块基板91的情况下，在第一半导体芯片15与双工器61及62之间配置有具有地电位的外部连接端子150g。

据此，能够抑制针对控制电路80输入输出的数字控制信号作为数字噪声流入到双工器61及62。因此，能够抑制通信频段a及b的接收灵敏度的劣化。

此外，在主面91b上与第一半导体ic25隔着外部连接端子150g地配置的电路部件不限于双工器61及62。上述电路部件只要是配置于将天线连接端子100与接收低噪声放大器21连结的接收路径ar或者将天线连接端子100与接收低噪声放大器22连结的接收路径br的电路部件即可，例如也可以是匹配电路41及42、开关55以及同向双工器60中的至少1个。

此外，在本实施例所涉及的高频模块1b中，第二半导体ic26、发送功率放大器11及12、双工器63及64、开关51及52、匹配电路31、32、41～44以及同向双工器60安装于主面91a的表面，第一半导体ic25、双工器61及62以及开关55安装于主面91b的表面，但是不限于此。发送功率放大器11及12、双工器63及64、开关51、52及55、匹配电路31、32、41～44以及同向双工器60可以配置于主面91a及91b中的任一个主面。

[4.效果等]

以上，本实施方式所涉及的高频模块1同时接收第一接收信号和第二接收信号。高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b；接收低噪声放大器21，其形成于第一半导体ic25，放大第一接收信号；接收低噪声放大器23，其形成于与第一半导体ic25不同的第二半导体ic26，放大第二接收信号；以及外部连接端子150，其配置于主面91b，其中，第一半导体ic25和第二半导体ic26中的至少一方配置于主面91b。

据此，放大同时接收的2个接收信号的接收低噪声放大器21及23形成于不同的半导体ic。由此，能够抑制接收低噪声放大器21及23发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合，因此能够提高同时接收的2个接收信号之间的隔离度。因此，能够抑制通信频段a及c中的接收灵敏度的劣化。另外，能够在对接收灵敏度的影响大的接收低噪声放大器21及23中的至少1个接收低噪声放大器的周围配置能够被应用为地电极的外部连接端子150，因此能够抑制接收灵敏度的劣化。

另外，也可以是，高频模块1还具备接收低噪声放大器22，该接收低噪声放大器22形成于第一半导体ic25，放大第三接收信号，高频模块1不同时接收第一接收信号和第三接收信号。

据此，通过将放大不需要考虑隔离的第一接收信号和第三接收信号的接收低噪声放大器21及22形成于同一半导体ic，能够使模块基板91的表面的安装布局面积小，因此能够使高频模块1小型化。

另外，也可以是，第一半导体ic25和第二半导体ic26这两方配置于主面91b。

由此，易于降低高度的接收低噪声放大器21及23配置于与外部基板相向的主面91b，因此能够使高频模块1整体高度降低。

另外，也可以是，在俯视模块基板91的情况下，在第一半导体ic25与第二半导体ic26之间配置有具有地电位的外部连接端子150g。

由此，能够更进一步抑制接收低噪声放大器21及23发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合，因此能够更进一步提高同时接收的2个接收信号之间的隔离度。

另外，也可以是，还具备控制电路80，该控制电路80形成于第一半导体ic25，利用数字控制信号来控制接收低噪声放大器21，在俯视模块基板91的情况下，在第一半导体ic25与第二半导体ic26之间配置有具有地电位的外部连接端子150g。

由此，能够抑制针对控制电路80输入输出的数字控制信号作为数字噪声流入到接收低噪声放大器23。因此，能够抑制通信频段c的接收灵敏度的劣化。

另外，也可以是，第一半导体ic25配置于主面91a及91b中的一方，第二半导体ic26配置于主面91a及91b中的另一方。

由此，第一半导体ic25和第二半导体ic26以将模块基板91夹在中间的方式配置，因此能够更进一步抑制同时接收的接收低噪声放大器21及23发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合。

另外，也可以是，高频模块1还具备：控制电路80，其形成于第一半导体ic25，利用数字控制信号来控制接收低噪声放大器21；天线连接端子100；以及电路部件，其配置于将天线连接端子100与接收低噪声放大器21连结的接收路径ar或者将天线连接端子100与接收低噪声放大器23连结的接收路径cr，其中，第一半导体ic25和上述电路部件配置于主面91b，第二半导体ic26配置于主面91a，在俯视模块基板91的情况下，在第一半导体ic25与上述电路部件之间配置有具有地电位的外部连接端子150g。

据此，能够抑制针对控制电路80输入输出的数字控制信号作为数字噪声流入到上述电路部件。因此，能够抑制通信频段a及c的接收灵敏度的劣化。

另外，通信装置5具备天线2、对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的rfic3、以及在天线2与rfic3之间传输高频信号的高频模块1。

由此，能够提供在同时接收多个通信频段的高频信号的情况下接收灵敏度的劣化得到抑制的通信装置5。

(其它实施方式等)

以上，关于本实用新型的实施方式所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式和实施例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式和实施例。将上述实施方式和实施例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式和实施例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。

例如，在上述实施方式和实施例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间插入其它的电路元件和布线等。

产业上的可利用性

本实用新型作为配置于支承多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。