一种平面振膜扬声器的制作方法

本实用新型涉及扬声器领域，具体地说，是涉及一种平面振膜扬声器。

背景技术：

平面振膜微型扬声器，包含壳体，振动系统，磁路系统等部分。在振动系统中，不同于传统音圈粘接于振膜下方的设计，平面振膜扬声器的音圈置于膜片中，采用这种设计，避免了传统音圈粘接在膜片下方可能会出现的同心度不良，音圈振动过程中擦碰磁钢出现噪音等不良现象。针对这种平面振膜微型扬声器，需要进行新的磁路设计，传统的置于振膜下方的磁路设计，已经不满足当前设计的磁路及最终声学的性能要求。

为了提高此类喇叭的磁场性能，分别在振膜的上方及下方设置磁回路以提升音圈区域的磁场性能。

现有的设计中，磁路组件过多，加大了装配的困难度，且容易因为缺少定位导致磁钢装配偏斜。而且磁钢组件增多，增加了可靠性实验中如跌落试验掉磁钢的风险，并且过多的磁钢，在加强磁场强度的同时，容易使导磁片中出现磁饱和现象，发生漏磁。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服上述传统技术的不足之处，提供一种平面振膜扬声器。

本实用新型的目的是通过以下技术措施来达到的：一种平面振膜扬声器，包括盆架和固定在盆架上磁路组件与振动组件，所述振动组件包括振膜和设置在振膜内的平面音圈，其特征在于：所述磁路组件包括第一磁路组件和第二磁路组件，所述第一磁路组件和第二磁路组件分别位于所述振膜的相对两侧夹设振膜设置，所述第一磁路组件包括第一中心磁钢和外壳，所述第二磁路组件包括第二中心磁钢，所述第一中心磁钢大于第二中心磁钢，所述第一中心磁钢固定在外壳上，外壳上设置第一定位挡墙，所述第一定位挡墙围绕所述第一中心磁钢设置。

作为一种改进，所述第二磁路组件包括第二磁罩，所述第二中心磁钢固定在第二磁罩上，所述第二磁罩上设置第二定位挡墙，所述第二定位挡墙围绕所述第二中心磁钢设置。

作为进一步的改进，所述第二磁路组件还包括位于所述第二中心磁钢周边设置的边磁钢，所述第二定位挡墙位于边磁钢和第二中心磁钢之间。

作为进一步的改进，所述外壳为导磁材料。

作为进一步的改进，所述第一定位挡墙的横截面为矩形或多边形。

作为进一步的改进，所述第二定位挡墙的横截面为矩形或多边形。

作为进一步的改进，所述外壳的厚度为w，所述第一定位挡墙的高度为0.5w-1.2w，所述第一定位挡墙的宽度为0.8w-1.5w。

作为进一步的改进，所述第二磁罩的厚度为h，所述第二定位挡墙的高度为0.5h-1.2h，所述第二定位挡墙的宽度为0.8h-1.5h。

作为进一步的改进，所述第一定位挡墙到所述第一中心磁钢的距离为0.01mm-0.02mm。

作为进一步的改进，所述第二定位挡墙到所述第二中心磁钢的距离为0.01mm-0.02mm。

由于采用了上述技术方案，一种平面振膜扬声器，包括盆架和固定在盆架上磁路组件与振动组件，所述振动组件包括振膜和设置在振膜内的平面音圈，所述磁路组件包括第一磁路组件和第二磁路组件，所述第一磁路组件和第二磁路组件分别位于所述振膜的相对两侧夹设振膜设置，所述第一磁路组件包括第一中心磁钢和外壳，所述第二磁路组件包括第二中心磁钢，所述第一中心磁钢大于第二中心磁钢，所述第一中心磁钢固定在外壳上，外壳上设置第一定位挡墙，所述第一定位挡墙围绕所述第一中心磁钢设置。

与现有技术相比，本实用新型的优点是：

第一：所述第一定位挡墙和所述第二定位挡墙的设置在磁路组件组装时可起到定位作用，方便组装，且能够对跌落试验时磁钢的位移及变形起到一定的阻碍支撑作用，降低跌落试验中掉磁钢的风险；

第二：所述第一定位挡墙和所述第二定位挡墙的位置，正处于所述磁罩和所述外壳中最容易磁饱和的位置，设置所述第一定位挡墙和所述第二定位挡墙后，可缓解磁饱和现象，减少漏磁，加强磁场强度；

第三：所述第一中心磁钢大于第二中心磁钢可以使扬声器的bl值增加，提高扬声器的音质和响度。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

附图1是本实用新型一种平面振膜扬声器实施例一的结构示意图。

附图2是本实用新型一种平面振膜扬声器实施例二的结构示意图。

附图3是本实用新型一种平面振膜扬声器实施例三的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

实施例一：如附图1所示，一种平面振膜扬声器，包括盆架1和固定在盆架1上磁路组件与振动组件，所述振动组件包括振膜2和设置在振膜2内的平面音圈3，所述磁路组件包括第一磁路组件4和第二磁路组件5，所述第一磁路组件4和第二磁路组件5分别位于所述振膜2的相对两侧夹设振膜2设置。

所述第一磁路组件4包括第一中心磁钢41和外壳42，所述第一中心磁钢41固定在外壳42上，所述外壳42为导磁材料，所述外壳42为spcc导磁外壳，应当理解所述外壳42也可以为导磁材料，如硅钢等。

外壳42上设置第一定位挡墙43，所述第一定位挡墙的横截面为矩形，所述第一定位挡墙43围绕所述第一中心磁钢41设置。

所述外壳42的厚度为w，所述第一定位挡墙43的高度为0.5w-1.2w，所述第一定位挡墙43的宽度为0.8w-1.5w。所述第一定位挡墙43到所述第一中心磁钢41的距离为0.01mm-0.02mm。所述第一定位挡墙43的高度为w，宽度也为w，所述第一定位挡墙43到所述第一中心磁钢41的距离为0.01mm时，成型工艺及导磁效果最优。

所述第二磁路组件5包括第二中心磁钢52、第二磁罩51，所述第二中心磁钢52固定在第二磁罩51上，所述第二磁罩51上设置第二定位挡墙53，所述第二定位挡墙53的横截面为矩形，所述第二定位挡墙53围绕所述第二中心磁钢52设置。所述第二磁路组件5还包括位于所述第二中心磁钢52周边设置的边磁钢54，所述第二定位挡墙53位于边磁钢54和第二中心磁钢52之间。

所述第一中心磁钢41大于第二中心磁钢52，所述第一中心磁钢41大于第二中心磁钢52可以使扬声器的bl值增加，提高扬声器的音质和响度。

所述第二磁罩51的厚度为h，所述第二定位挡墙53的高度为0.5h-1.2h，所述第二定位挡墙53的宽度为0.8h-1.5h。所述第二定位挡墙53到所述第二中心磁钢52的距离为0.01mm-0.02mm。所述第二定位挡墙53的高度为h，宽度也为h，所述第二定位挡墙53到所述第二中心磁钢52的距离为0.01mm时，成型工艺及导磁效果最优。

实施例二：如附图2所示，与实施例一的结构相同，不同之处在于，所述第二定位挡墙53的横截面为下端为矩形，上端为三角形。所述第一定位挡墙43的横截面为上端为矩形，下端为三角形。

实施例三：如附图3所示，与实施例一的结构相同，不同之处在于，所述第二定位挡墙53的横截面为下端为矩形，上端为半圆形。所述第一定位挡墙43的横截面为上端为矩形，下端为半圆形。

综上所述，所述第二定位挡墙53和所述第一定位挡墙43在磁路组件组装时可起到定位作用，方便组装，且此能够对跌落试验时磁钢的位移及变形起到一定的阻碍支撑作用，降低跌落试验中掉磁钢的风险。另外，所述第二定位挡墙53和所述第一定位挡墙43的位置，正处于所述外壳42和所述第二磁罩51中最容易饱和的位置，设置所述第二定位挡墙53和所述第一定位挡墙43后，可缓解磁饱和现象，减少漏磁，加强磁场强度。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。