一种硅麦克风及电子设备的制作方法

本实用新型涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种硅麦克风及电子设备。

背景技术：

对于小尺寸的硅麦克风来说，pcb与外壳构成的容纳腔的体积较小，mems芯片和asic芯片具有一定的高度，且mems芯片比asic芯片高，在封装打线时，线弧高度不易控制，若线弧较高，可能因距离外壳太近而产生寄生电容，影响麦克风性能，若线弧接触外壳，则会导致产品短路失效。另外，在硅麦克风封装中，mems芯片通过胶水与pcb基板实现紧密连接，胶水受到挤压容易沿mems芯片的侧壁攀爬到mems芯片的背板和振膜，进而影响硅麦克风的性能。

因此，亟需提供一种硅麦克风以解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种硅麦克风，降低了mems芯片的安装高度，且贴装mems芯片的胶水不会外溢且不会沿mems芯片的侧壁向上攀爬，确保硅麦克风的性能。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一方面，本实用新型提供了一种硅麦克风，包括：

pcb，所述pcb包括基材、设置于所述基材上的金属层及设置于所述金属层上的阻焊层，所述pcb上开设有安装槽，且所述安装槽延伸至所述基材上，所述安装槽内的所述基材上开设有声孔；

mems芯片，所述mems芯片安装于所述安装槽内的所述基材上，且所述基材与所述mems芯片连接的安装面上设有第一挡胶部和/或所述安装槽内的所述基材上沿所述声孔周向设有第二挡胶部。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，所述第一挡胶部包括多个环形槽，多个所述环形槽间隔开设于所述基材与所述mems芯片连接的所述安装面上。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，所述第二挡胶部包括开设于所述安装槽内的所述基材上的挡胶槽，且所述挡胶槽与所述声孔连通。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，所述mems芯片的底边内侧与所述挡胶槽的槽壁平齐设置。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，所述mems芯片的底边内侧超出所述挡胶槽的槽壁设置。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，所述第二挡胶部包括l形的挡胶板，所述挡胶板的竖板与所述安装槽内的基材连接，所述挡胶板的横板的端面与所述mems芯片接触。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，还包括外壳，所述外壳覆盖在所述pcb上且与所述pcb形成容纳腔，所述mems芯片置于所述容纳腔内。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，所述pcb上设有焊接环，所述焊接环用于连接所述外壳和所述pcb。

作为上述的硅麦克风的一种优选技术方案，还包括asic芯片，所述asic芯片设置于所述容纳腔内，所述asic芯片通过导线与所述mems芯片电连接。

另一方面，本实用新型还提供了一种电子设备，包括上述任一项所述的硅麦克风。

本实用新型的有益效果：

安装槽由阻焊层向基材一侧开设，且安装槽延伸至基材上，降低了mems芯片的安装高度，降低了寄生电容产生的概率和硅麦克风短路失效的概率，有利于增大硅麦克风的背腔体积，提升了硅麦克风的信噪比；设置第一挡胶部和/或第二挡胶部，可以阻挡贴装mems芯片的胶水外溢和沿mems芯片的侧壁向上攀爬，确保硅麦克风的性能。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的硅麦克风的第一结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的硅麦克风的第二结构示意图；

图3是图1中pcb板结构的俯视图；

图4是本实施例提供的硅麦克风的第三结构示意图。

图中：

1、pcb；11、基材；12、金属层；13、阻焊层；

2、安装槽；

3、声孔；

4、mems芯片；

51、第一挡胶部；52、第二挡胶部；

6、外壳；

7、焊接环；

8、asic芯片；

9、导线。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案做进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

针对现有技术中硅麦克风中的mems芯片安装高度高，贴装mems芯片的胶水外溢且沿mems芯片的侧壁向上攀爬，进而影响硅麦克风性能的问题，本实施例提供了一种硅麦克风以解决上述问题。

具体地，图1是本实施例提供的硅麦克风的第一结构示意图，图2是本发明实施例提供的硅麦克风的第二结构示意图。在本实施例中，如图1和图2所示，硅麦克风包括pcb1和mems芯片4，pcb1包括基材11、设置于基材11上的金属层12及设置于金属层12上的阻焊层13，pcb1上开设有安装槽2，且安装槽2延伸至基材11上，安装槽2内的基材11上开设有声孔3；mems芯片4安装于安装槽2内的基材11上，基材11与mems芯片4连接的安装面上设有第一挡胶部51和/或基材11上沿声孔3周向设有第二挡胶部52。安装槽2的深度小于基材11的厚度，安装槽2由阻焊层13向基材11一侧开设，且安装槽2延伸至基材11上，以最大限度降低了mems芯片4的安装高度，降低了寄生电容产生的概率和硅麦克风短路失效的概率，有利于增大硅麦克风的背腔体积，提升了硅麦克风的信噪比；设置第一挡胶部51和/或第二挡胶部52，可以阻挡贴装mems芯片4的胶水外溢和沿mems芯片4的侧壁向上攀爬，确保硅麦克风的性能。

在本实施例中，硅麦克风还包括外壳6，外壳6覆盖在pcb1上且与pcb1形成容纳腔，mems芯片4置于容纳腔内。外壳6可以采用金属材质，以保证硅麦克风的封装结构具有电磁屏蔽的效果。

进一步地，结合图1和图3，pcb1上设有焊接环7，焊接环7用于连接外壳6和pcb1，实现将外壳6固定安装于pcb1上，且外壳6与pcb1电连接。可选地，外壳6可以通过导电胶或者焊锡等连接于焊接环7上。

焊接环7环绕安装槽2设置，在将mems芯片4胶粘于安装槽2内的基材11上，安装槽2会阻挡胶水溢出并向焊接环7蔓延，避免了外壳6与pcb1焊接不良的问题。

在本实施例中，硅麦克风还包括asic芯片8，asic芯片8设置于容纳腔内，asic芯片8通过导线9与mems芯片4电连接。

mems芯片4与声孔3对应安装设置，mems芯片4的底面通过胶水与安装槽2槽底的基材11连接，安装槽2可以是圆形、方形或者环形等，能安装mems芯片4即可，在此不作限定。

继续参照图2，在安装槽2与mems芯片4连接的基材11上设有第一挡胶部51，使胶水不沿着mems芯片4的侧壁向上攀爬。在本实施例中，第一挡胶部51包括多个环形槽，多个环形槽间隔开设于基材11与mems芯片4连接的安装面上。多余的胶水可以流到环形槽内，避免胶水沿mems芯片4的侧壁向上攀爬，还可以在pcb1发生变形时产生缓冲作用，且该结构简单，易于加工。

如图1所示，安装槽2内的基材11上沿声孔3周向设有第二挡胶部52，使胶水不沿着mems芯片4的侧壁向上攀爬。在本实施例中，第二挡胶部52包括开设于安装槽2内基材11上的挡胶槽，且挡胶槽与声孔3连通。多余的胶水可以在重力的作用下流到挡胶槽内，避免胶水沿mems芯片4的侧壁向上攀爬。在其它实施例中，挡胶槽还可以不与声孔3连通，避免胶水过多封堵声孔3。

进一步地，mems芯片4的底边内侧与挡胶槽的槽壁平齐设置，以提高mems芯片4与基材11连接的结构强度。在不影响mems芯片4与基材11连接的结构强度的情况下，mems芯片4的底边内侧还可以超出挡胶槽的槽壁设置，以便于胶水能顺畅流到挡胶槽内。

在另一实施例中，如图4所示，第二挡胶部52包括l形的挡胶板，挡胶板的竖板与安装槽2内的基材11连接，挡胶板的横板的端面与mems芯片4接触。多余的胶水被挡在横板下方的安装槽2内，避免胶水沿mems芯片4的侧壁向上攀爬。

在本实施例中，可以单独在基材11与所述mems芯片4连接的安装面上设置第一挡胶部51，也可以单独在安装槽2内的基材11上沿声孔3周向设置第二挡胶部52，还可以同时设置第一挡胶部51和第二挡胶部52，以提高多余胶水的容纳空间，进一步地避免多余的胶水沿mems芯片4的侧壁向上攀爬。

本实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括上述的硅麦克风。该电子设备可以为手机、掌上电脑、智能手表、mp3等具有麦克风功能的电子设备。

本实施例所提供的电子设备，包括本实施例提供的硅麦克风，具备相应的功能和有益效果。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为了清楚说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。