5所述的集成电路，其特征在于，该些介电层还延伸至介于该些鳍 片层之间的空间，且该些控制端还围绕该些介电层。17. 根据权利要求10所述的集成电路，其特征在于，该些第一输入/输出端、该些电流 路径以及该些第二输入/输出端形成多个纳米线，还伴随着在其间的多个介电层，而所述 控制端还围绕所述纳米线。18. 根据权利要求17所述的集成电路，其特征在于，该些纳米线的直径小于该电流路 径的平均晶粒宽度。19. 根据权利要求10所述的集成电路，其特征在于，该半导体元件包括： 一半导体基板，所述半导体基板经配置以作为所述第一输入/输出端； 多个建造在所述半导体基板上的垂直柱，所述垂直柱经配置以作为所述电流路径；以 及 多个介电层，所述介电层围绕所述多个垂直柱，所述第二输入/输出端被设置在所述 垂直柱上，且伴随着在其间的所述介电层，所述控制端围绕所述垂直柱。20. 根据权利要求19所述的集成电路，其特征在于，该些垂直柱的直径小于该电流路 径的平均晶粒宽度。21. -种密码生成的方法，其特征在于，适用于具有多个半导体元件的集成电路，各个 半导体元件包括一第一输入/输出端、一第二输入/输出端以及一电流路径，所述方法包 括： 配置各个半导体元件以表示地址在一映射表； 判断一第一读取电压以及一参考电流； 从该第二输入/输出端感测一电流并确认对应的半导体元件的阈值电压，其中至少一 电流调整元件配置于至少一电流路径以调整电流； 分类各个阈值电压为一第一状态与一第二状态；以及 根据该阈值电压的状态标记各个半导体元件在对应该映射表的地址。22. 根据权利要求21所述的密码生成方法，其特征在于，所述至少一电流调整元件包 括至少一掺杂离子、以及根据德布洛伊长度（DBL)定义的电流路径的宽度或厚度中的任一 者，且该电流路径的长度长于该电流路径的宽度。23. 根据权利要求21所述的密码生成方法，其特征在于，该所述至少一电流调整元件 包括至少一晶界。24. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，分类确认的阈值电压为该第 一状态与该第二状态的步骤还包括以下步骤： 假若半导体元件的阈值电压低于该第一读取电压时，则分类阈值电压为该第一状态； 以及 假若半导体元件的阈值电压高于该第一读取电压时，则分类阈值电压为该第二状态。25. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，还包括以下步骤： 假若该阈值电压的状态被分类到该第一状态时，则以白色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址；以及 假若该阈值电压的状态被分类到该第二状态时，则以黑色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址。26. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，分类各个确认的阈值电压为 该第一状态以及该第二状态的步骤，还包括以下的步骤： 在预定时间内，比较从该第二输入/输出端的电流以及参考电流； 判定一第一个数是否大于一第二个数，其中所述第一个数表示来自所述第二输入/输 出端的所述电流大于所述参考电流的次数，而所述第二个数表示来自所述第二输入/输出 端的所述电流小于所述参考电流的次数； 假若所述第一个数大于所述第二个数，则将所述相应阈值电压分类为所述第一状态； 以及 假若所述第一个数小于所述第二个数，则将所述相应阈值电压分类为所述第二状态。27. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，分类各个确认的阈值电压为 该第一状态以及该第二状态的步骤，还包括以下的步骤： 决定一第二读取电压，其中该第二读取电压高于该第一读取电压； 分类各个阈值电压为该第一状态、该第二状态以及一第三状态。28. 根据权利要求27所述的密码生成方法，其特征在于，分类各个阈值电压为该第一 状态、该第二状态以及该第三状态的步骤还包括： 假若所述半导体单元的所述阈值电压低于所述第一读取电压，则将所述阈值电压分类 为所述第一状态； 假若所述半导体单元的所述阈值电压高于所述第一读取电压并低于所述第二读取电 压，则将所述阈值电压分类为所述第二状态；以及 假若所述半导体单元的所述阈值电压高于所述第二读取电压，则将所述阈值电压分类 为所述第三状态。29. 根据权利要求27所述的密码生成方法，其特征在于，还包括： 假若该阈值电压的状态被分类到该第一状态时，则以红色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址； 假若该阈值电压的状态被分类到该第二状态时，则以绿色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址；以及 假若该阈值电压的状态被分类到该第三状态时，则以蓝色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址。30. 根据权利要求27所述的密码生成方法，其特征在于，分类各个阈值电压为该第一 状态、该第二状态以及该第三状态的步骤还包括： 提供该第一读取电压； 在一预设时间内，比较从该第二输入/输出端的电流与该参考电压； 判断一第一个数是否大于一第二个数，其中该第一个数表示来自所述第二输入/输出 端的所述电流大于所述参考电流的次数，而所述第二个数表示来自所述第二输入/输出端 的所述电流小于所述参考电流的次数；以及 假若所述第一个数大于所述第二个数，则将所述相应阈值电压分类为所述第一状态。31. 根据权利要求30所述的密码生成方法，其特征在于，假若所述第一个数小于所述 第二个数，则所述方法还包括以下步骤： 施加所述第二读取电压； 比较来自所述第二输入/输出端的所述电流与所述参考电流达一预设次数； 判定一第三个数是否大于一第四个数，其中所述第三个数表示来自所述第二输入/输 出端的所述电流大于所述参考电流的次数，而所述第四个数表示来自所述第二输入/输出 端的所述电流小于所述参考电流的次数；以及 假若所述第三个数小于所述第四个数，则将所述相应阈值电压分类为所述第二状态； 以及 假若所述第三个数大于所述第四个数，则将所述相应阈值电压分类为所述第三状态。32. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，该电流路径的长度介于该电 流路径的平均晶粒宽度与三倍的该电流路径的平均晶粒宽度之间。33. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，该电流路径的厚度小于该电 流路径的平均晶粒宽度。34. 根据权利要求23所述的密码生成方法，其特征在于，该晶界位于接近所述至少一 第一输入/输出端以及所述至少一第二输入/输出端。35. -种数据交换的方法，其特征在于，介于第一装置与第二装置之间，所述第二装置 具有多个半导体元件，各个半导体元件包括一第一输入/输出端、一第二输入/输出端、一 电流路径以及一控制端，该数据交换方法包括： 提供封包的第一组至该第一装置以通过网络传递至一第二装置，其中该封包的第一组 包括读取电压的顺序； 通过使用该第二装置反应于该封包的第一组而产生该封包的第二组，并传递封包的封 包的第二组至该第一装置； 通过使用该第一装置中的识别管理单元比较该封包的第一组与该封包的第二组，并产 生一比较结果； 根据该比较结果判断该第二装置是否允许与该第一装置进行通信， 其中通过使用该第二装置反应于该封包的第一组而产生该封包的第二组的步骤包 括： 配置各个半导体元件以表示地址在一映射表； 判断一第一读取电压以及一参考电流； 从该第二输入/输出端感测一电流并确认对应的半导体元件的阈值电压，其中至少一 电流调整元件配置于至少一电流路径以调整电流； 分类各个阈值电压为一第一状态与一第二状态；以及 根据该阈值电压的状态标记各个半导体元件在对应该映射表的地址。36. 根据权利要求35所述的数据交换方法，其特征在于，所述至少一电流调整元件包 括至少一掺杂离子、以及根据德布洛伊长度（DBL)定义的电流路径的宽度或厚度中的任一 者，且该电流路径的长度长于该电流路径的宽度。37. 根据权利要求36所述的数据交换方法，其特征在于，该第二装置还包括： 一共同第一输入/输出端线，电性连接至该半导体元件的第一输入/输出端；以及 一共同字线，电性连接至该半导体元件的控制端。38. 根据权利要求35所述的数据交换方法，其特征在于，所述至少一电流调整元件包 括至少一晶界。39. 根据权利要求38所述的数据交换方法，其特征在于，该电流路径的长度介于该电 流路径的平均晶粒宽度与三倍的该电流路径的平均晶粒宽度之间。40. 根据权利要求38所述的数据交换方法，其特征在于，该电流路径的厚度小于该电 流路径的平均晶粒宽度。41. 根据权利要求35所述的数据交换方法，其特征在于，分类确认的阈值电压为该第 一状态与该第二状态的步骤还包括以下步骤： 假若半导体元件的阈值电压低于该第一读取电压时，则分类阈值电压为该第一状态； 以及 假若半导体元件的阈值电压高于该第一读取电压时，则分类阈值电压为该第二状态。42. 根据权利要求41所述的数据交换方法，其特征在于，还包括以下步骤： 假若该阈值电压的状态被分类到该第一状态时，则以白色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址；以及 假若该阈值电压的状态被分类到该第二状态时，则以黑色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址。43. 根据权利要求35所述的数据交换方法，其特征在于，分类各个确认的阈值电压为 该第一状态以及该第二状态的步骤，还包括以下的步骤： 决定一第二读取电压，其中该第二读取电压高于该第一读取电压； 分类各个阈值电压为该第一状态、该第二状态以及一第三状态。44. 根据权利要求43所述的数据交换方法，其特征在于，分类各个阈值电压为该第一 状态、该第二状态以及该第三状态的步骤还包括： 假若所述半导体单元的所述阈值电压低于所述第一读取电压，则将所述阈值电压分类 为所述第一状态； 假若所述半导体单元的所述阈值电压高于所述第一读取电压并低于所述第二读取电 压，则将所述阈值电压分类为所述第二状态；以及 假若所述半导体单元的所述阈值电压高于所述第二读取电压，则将所述阈值电压分类 为所述第三状态。45.根据权利要求43所述的数据交换方法，其特征在于，还包括： 假若该阈值电压的状态被分类到该第一状态时，则以红色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址； 假若该阈值电压的状态被分类到该第二状态时，则以绿色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址；以及 假若该阈值电压的状态被分类到该第三状态时，则以蓝色标记该半导体元件在该映射 表中的对应地址。
【专利摘要】本发明提供一种集成电路、密码生成的方法以及数据交换的方法。所述集成电路包括多个场效应晶体管、多个感应放大器以及处理电路。每个场效晶体管经配置以表示映射表中的地址且包括源极、漏极、通道以及栅极。每一个感应放大器连接至所述漏极上且经配置以感应来自所述漏极的电流，并确定所述相应的场效应晶体管的阈值电压。所述处理电路经配置以分类各个由对应感应放大器锁确定的阈值电压为第一状态与第二状态，并标记在映射表中各个阈值电压的对应地址。
【IPC分类】H04L9/32, H04L9/08
【公开号】CN105323071
【申请号】CN201510088132
【发明人】渡边浩志
【申请人】群联电子股份有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年2月26日