扬声器、使用该扬声器的电子设备以及移动体装置的制造方法_3

文档序号:8850618阅读:来源:国知局
状态下,卡爪26A压接于磁轭21。S卩,框架26通过卡爪26A的弹性力而保持磁轭21。从而,能够对图1、图2所示的磁路24从框架26脱落的情况进行抑制。
[0076]卡爪26A、图1、图2所示的框架26也可以由混入有增强填料的树脂材料来形成。可以使用玻璃、云母等作为增强填料。根据该结构,能够提高框架26的刚性、耐热性。并且,能够提高框架26的成形尺寸的精度。从而,即使产生磁路24的振动、温度变化,框架26也能够稳定地保持磁路24。另外,在将扬声器32向便携设备搭载的情况下,相对于便携设备的掉落冲击等,也能够抑制框架26、卡爪26A的破损。从而,框架26能够稳定地保持磁路24。其结果是,扬声器32的品质、可靠性得到提高。
[0077]或者,也可以使用竹纤维、竹炭、纤维素系纤维作为增强填料。在该情况下,框架26、卡爪26A的强韧性得到提高。从而,即使对框架26、卡爪26A施加掉落等带来的冲击,也能够抑制框架26、卡爪26A破损的情况。进而在该情况下,框架26、卡爪26A的耐热性也得到提高。另外,框架26的耐热性也得到提高。并且,由于可以增大框架26的内部损失,因此扬声器32的不需要的共振减少。从而,由于扬声器32的频率特性提高,因而再生的音质提高。需要说明的是,增强填料也可以混合使用从玻璃、云母、竹纤维、竹炭、纤维素系纤维构成的组中选出的两种以上。
[0078]接下来,对磁轭21进行详细说明。如图1以及图2所示,优选磁轭21包括底部21D和侧壁部21C。需要说明的是,磁性部22配置在底部21D的中央部。侧壁部21C从底部21D的终端部处折弯设置。根据该结构,能够在磁性部22与侧壁部21C之间设置磁隙25。
[0079]需要说明的是,在磁性部22包括板件23的情况下,侧壁部2IC的内侧面2IH优选配置为隔着磁隙25而与板件23的侧面对置。根据该结构,能够在内侧面21H与板件23的侧面之间设置磁隙25。并且,台阶部21A优选设置在侧壁部21C的外侧面21J上。在该情况下,如图3B所示,凸部26C向框架26的内侧突出。根据该结构,能够减小磁路24。
[0080]磁轭21、板件23由磁性体材料形成。磁轭21、板件23优选例如由铁等金属材料构成。在扬声器32为小型的情况下,磁轭21例如能够通过对片状的金属材料进行拉深加工来制作。另一方面,在扬声器32为大型的情况下,磁轭21例如能够通过对金属块进行多级锻造(多级成形设备进行的冲压成形加工)来制作。
[0081]如图1以及图2所示,台阶部21A优选在侧壁部21C的根部形成。根据该结构,在由任一加工方法得到的磁轭21中均能在加工台阶部21A的工序内成形台阶部21A。S卩,不需要另行设置用于向侧壁部21C形成台阶部21A的工序。从而,即使在磁轭21上形成台阶部21A,也能够抑制制作磁轭21的工时的增加。并且,由于台阶部21A形成在侧壁部21C的根部,因而台阶部21A的尺寸精度、位置精度优异。
[0082]图4A是磁轭21的仰视图。台阶部21A优选仅在供图3A所示的卡爪26A嵌合的位置形成。在该情况下,卡爪26A与台阶部21A的数量相同。需要说明的是,如上所述,卡爪26A优选设置有多个。从而,多个台阶部21A相互隔开间隔地配置在外侧面21J上。
[0083]需要说明的是,在磁轭21中形成台阶部21A的情况下,磁轭21中的供磁通通过的截面面积减少。尤其如图4C所示,在以绕侧壁部21C —周的方式设置台阶部21E的情况下,磁轭21中的供磁通通过的截面面积大幅度减少,磁阻增加。因此,优选台阶部21A断续地形成在侧壁部21C上。根据该结构,能够在台阶部21A彼此之间的区域中加厚侧壁部21C的厚度。从而,能够尽量对磁轭21中的供磁通通过的截面面积减少的情况进行抑制。
[0084]并且,图3A所示的凸部26C的横向宽度26F比图4A所示的台阶部2IA的横向宽度21K窄。在该情况下,即使存在凸部26C、台阶部21A的宽度尺寸、位置的偏差,也优选凸部26C的宽度与台阶部2IA的宽度之差成为卡爪26A向台阶部2IA嵌合程度的尺寸。根据该结构,能够使供磁通通过的截面面积的减少量停留在最小限度。从而,能够对图1、图2所示的磁隙25处的磁通密度的降低进行抑制。
[0085]根据以上各点,优选图1、图2所示的卡爪26A、台阶部21A的个数尽量少。在磁路24为圆形的情况下,优选卡爪26A形成为三处。从而,优选台阶部21A也为三处。根据该结构,在磁轭21中,能够使供磁通通过的截面面积的减少量停留在最小限度,因而能够抑制磁隙25的磁通密度的降低。并且,能够减少形成卡爪26A所需的材料的使用量。从而,能够减轻扬声器32。另外,也能够确保磁轭21与框架26结合的强度。
[0086]图4B是其他磁轭21F的剖视图。磁轭21F包括台阶部21B来代替图4A所示的台阶部21A。台阶部21B具有两级以上的台阶。根据以上结构,在磁轭21F中,S卩,供磁通通过的截面面积急剧减少的部位不集中于一处。因此,供磁通通过的截面面积急剧减少的部位能够分散为两处以上。其结果是,能够抑制磁轭21F的磁阻的增加,因而能够抑制图1、图2所示的磁隙25的磁通密度的降低。
[0087]并且,由于台阶部21B具有两级以上的台阶,因而台阶部21B的加工能够分为两次以上来加工。从而,与图4A所示的具有台阶部2IA的磁轭21相比,具有台阶部2IB的磁轭21的加工能够由输出较小的冲压机来实现。
[0088]需要说明的是,与图4A所示的台阶部21A中的台阶的高度相比,台阶部21B中的台阶的高度能够更大。从而,由于能够使凸部26C大幅地突出,因而能够增大凸部26C向台阶部21B嵌入的尺寸。其结果是,能够增大图1、图2所示的框架26与磁轭21结合的强度。
[0089]图4C是另一其他磁轭21G的仰视图。磁轭21G包括台阶部21E来代替磁轭21的台阶部21A。台阶部21E以绕侧壁部21C—周的方式形成。需要说明的是,在该情况下,台阶部21E也可以含有一级或两级以上的台阶。
[0090]例如,在磁轭21G的材料厚度厚的情况下,磁轭21G的磁阻的减少量不会由于形成台阶部21E而受到大的影响。从而,在这样的情况下,台阶部21E能够以绕侧壁部21C的外侧面21J —周的方式设置。根据该结构,能够进一步削减用于制作磁轭21G的材料的使用量。其结果是,能够减轻磁轭21G。另外,能够廉价地制作磁轭21G。并且,在将磁轭21G向框架26安装的情况下,磁轭21G不需要调整旋转方向的角度。从而,图1、图2所示的磁路24的生产率得到提高。
[0091]在该情况下,优选图3B所示的卡爪26A设置为绕侧壁部21C—周,且包围侧壁部21C的外侧。即,能够使卡爪26A为在侧壁部21C的整周上向台阶部21E嵌入的结构。根据该结构,能够提高图1、图2所示的框架26对磁路24进行保持的强度。需要说明的是,在该情况下,优选在卡爪26A的整周上设置一处或多处狭缝。根据该结构,在使卡爪26A向台阶部21E嵌合时,卡爪26A变得易于弹性变形。
[0092]如图3B、图3C所示,优选框架26与磁轭21之间通过粘接剂34来粘接。根据该结构,能够提高图1、图2所示的磁轭21与框架26结合的强度。需要说明的是,如图3B所示,粘接剂34例如能够涂敷在框架26的下表面与侧壁部21C的前端部之间。或者,粘接剂34也能够涂敷在卡爪26A与磁轭21之间。在该情况下,能够涂敷在连结部26B与侧壁部21C之间。并且,粘接剂34也能够涂敷在台阶部21A与凸部26C之间。
[0093]另外,如图3C所示,优选粘接剂34也涂敷在磁轭21与引导件26E之间。根据该结构,能够进一步扩大框架26与磁轭21的接触面积。从而,能够进一步提高图1、图2所示的框架26与磁轭21的结合强度。
[0094]如上所述,由于框架26与磁轭21之间通过粘接剂34来粘接,因而即使向磁轭21、框架26施加振动等,也能够抑制框架26与磁轭21碰撞的情况。从而,能够抑制起因于框架26与磁轭21的碰撞而产生的异常声响。并且,也能够抑制框架26、磁轭21的共振引起的异常声响的产生。另外,能够抑制图1、图2所示的扬声器32内的空气伴随着温度变化等而向扬声器32外泄漏。从而,扬声器32也能够抑制失真音等异常声响的产生。
[0095]根据以上那样的结构,能够大幅度地提高扬声器32的品质、可靠性。从而,扬声器32能够在要求振动、温度变化等严酷的环境耐性的机动车、要求对掉落冲击的耐性的便携设备等中使用。
[0096]在扬声器32是图1所示的高频扬声器32A的情况下,高频扬声器32A优选还包括均衡器30。需要说明的是,均衡器30覆盖振动板27的前表面部的一部分。从而均衡器30也兼备保护件的功能。根据该结构,
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