一种层叠式焊接结构及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及五金件焊接技术领域，尤其涉及一种层叠式焊接结构及具有该层叠式焊接结构的电子设备。
【背景技术】
[0002]镭雕也叫激光雕刻或者激光打标，是一种用光学原理进行包面处理的工艺，具体的，它是通过激光束的光能导致表面物质的化学物理变化而刻出痕迹，或者是通过光能烧掉部分物质如喷涂或电泳的油漆，显出所需刻蚀的图形、文字。通过镭雕去除油漆可达到焊接可靠性要求，进而达到拉拔力测试要求。
[0003]目前，带有漆层的两五金件在焊接过程中，首先通过镭雕将漆层去除形成镭雕区，由于镭雕区的过大或过小容易导致五金件焊接出现不美观或焊接不牢固的问题。具体的如以下五金件的焊接过程:在现有电子产品的摄像头装饰圈与五金件的焊接结构中，如图1至图3所示，摄像头装饰圈1 '的下表面与五金件2 '的上表面相焊接，且五金件2 '的上表面上设置镭雕区3'，但是由于现有的装饰圈^底部为一平面，容易出现以下两种问题:
[0004]1、当镭雕区3'小于装饰圈1'的外直径时，也就意味着装饰圈1 '与五金件Y之间仍有一层物质阻碍，影响了焊接的可靠性，容易导致装饰圈脱落；
[0005]2、当镭雕区3 '大于装饰圈1 ’的外直径时，焊接时装饰圈1’与五金件2 '直接焊接，确保了可靠性，但影响了外观效果，镭雕区外漏不良。
[0006]基于以上所述，亟需一种层叠式焊接结构，以解决现有两五金件焊接可靠性差、五金件容易脱落，以及镭雕区外漏，影响外观美观度的问题。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型的一个目的是提出一种层叠式焊接结构，既能够提高两五金件焊接的可靠性，提高两五金件焊接的良率，又能够提高产品的外观美观度。
[0008]本实用新型的另一个目的是提出一种具有上述层叠式焊接结构的电子设备。
[0009]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0010]一种层叠式焊接结构，包括第一五金件和第二五金件，所述第一五金件与第二五金件焊接，且第一五金件叠置在第二五金件的上方，第二五金件的焊接处设置有镭雕区，所述第一五金件外边缘下部设置有向内凹陷的缺口，所述第二五金件的镭雕区外边缘位于缺口的下方。
[0011]作为一种层叠式焊接结构的优选方案，所述缺口的截面为半圆形或L形。
[0012]作为一种层叠式焊接结构的优选方案，所述第一五金件上设置有与第二五金件上相对应的镭雕区，且该镭雕区的面积不小于第二五金件上的镭雕区的面积。
[0013]作为一种层叠式焊接结构的优选方案，所述第一五金件为摄像头装饰圈，第二五金件为连接摄像头装饰圈与摄像头外壳的连接件。
[0014]一种电子设备，所述电子设备具有如以上任一项所述的层叠式焊接结构。
[0015]作为一种电子设备的优选方案，所述电子设备为手机。
[0016]本实用新型的有益效果为:
[0017]本实用新型提出一种层叠式焊接结构，该层叠式焊接结构是在叠置的两五金件中上五金件的外边缘下部设置有向内凹陷的缺口，下五金件的镭雕区外边缘位于缺口的下方，如此，可以确保下五金件镭雕区的外边缘不超过上五金件的外边缘，有效避免上五金件与下五金件之间产生物质阻碍，增强两五金件的焊接效果，提高两五金件焊接的可靠性和良率，而且提高产品的外观美观度。
[0018]本实用新型提出一种具有上述层叠式焊接结构的电子设备。
【附图说明】
[0019]图1是现有技术提供的具有层叠式焊接结构的手机的结构示意图；
[0020]图2是图1中A-A向的剖面图；
[0021]图3是图2中C处的局部放大图；
[0022]图4是本实用新型【具体实施方式】提供的具有层叠式焊接结构的手机的结构示意图；
[0023]图5是图3中B-B向的剖面图；
[0024]图6是图5中D处的局部放大图。
[0025]图中:
[0026]1 ’、装饰圈；2 ’、五金件；3 ’、镭雕区；
[0027]1、装饰圈；2、五金件；3、镭雕区；4、缺口 ；
[0028]11、外边缘；41、内壁。
【具体实施方式】
[0029]为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0030]为了解决现有两五金件焊接可靠性差、五金件容易脱落，以及镭雕区外漏，影响外观美观度的问题，现提出一种新的层叠式焊接结构。该层叠式焊接结构包括第一五金件和第二五金件，所述第一五金件与第二五金件焊接，且第一五金件叠置在第二五金件的上方，第二五金件的焊接处设置有镭雕区，所述第一五金件外边缘下部设置有向内凹陷的缺口，所述第二五金件的镭雕区外边缘位于缺口的下方。
[0031]优选的，所述缺口的截面为半圆形或L形。
[0032]优选的，所述第一五金件上设置有与第二五金件上相对应的镭雕区，且该镭雕区的面积不小于第二五金件上的镭雕区的面积。也就是说，第一五金件上的镭雕区至少能够完全覆盖第二五金件上的镭雕区。
[0033]优选的，所述第一五金件为摄像头装饰圈，第二五金件为连接摄像头装饰圈与摄像头外壳的连接件。
[0034]本实施方式还提出一种适用于如以上任一项所述的层叠式焊接结构的层叠式焊接方法，具体为，首先在上下叠置的两个五金件中的上五金件的下部外边缘切削向内凹陷的缺口，然后对下五金件上焊接面的喷涂镀膜区域进行镭雕得到镭雕区，该镭雕区的外边缘位于缺口的下方，最后将上下两个五金件进行焊接。
[0035]本实施方式还提出一种电子设备，所述电子设备具有如以上任一项所述的层叠式焊接结构。其中，电子设备可以为日常生活中常用的手机、电子词典、其他摄像设备等。
[0036]下面以手机为例，具体说明如下:
[0037]图4至图6分别是本实施方式提供的具有层叠式焊接结构的手机的结构示意图、剖面图及局部放大图，如图4至图6所示，该层叠式焊接结构包括装饰圈1和五金件2，装饰圈1与五金件2焊接，且装饰圈1叠置在五金件2的上方，五金件2的焊接处设置有镭雕区3，装饰圈1外边缘下部设置有向内凹陷的缺口 4，五金件2的镭雕区3外边缘位于缺口4的下方。
[0038]具体的，在本实施方式中，装饰圈1的下表面与五金件2的上表面进行焊接，在五金件2的上表面具有镭雕区3，装饰圈1的外边缘下部设置有向内凹陷的一圈缺口 4，五金件2的镭雕区3外边缘位于缺口 4的下部。
[0039]如图6所示，五金件2上的镭雕区3外边缘位于缺口 4的内壁41和装饰圈1外边缘11在五金件2上形成的投影之间。也就是说，镭雕区3的外边缘不超过装饰圈1的外边缘11。具体的，上述投影为正投影，缺口 4的内壁41在五金件2上投影的延长线为H，装饰圈1的外边缘11在五金件2上投影的延长线为L，直线L和Η之间的区域Β为镭雕区3外边缘所在的区域。
[0040]由于装饰圈1的材质为金属，因此，方便装饰圈1与五金件2之间焊接，确保焊接的可靠性。
[0041]通过在装饰圈1外边缘下部设置有向内凹陷的缺口 4，五金件2的镭雕区3外边缘位于缺口 4的下方，如此，不仅可以确保镭雕区3的外边缘不超过装饰圈1的外边缘11，有效避免装饰圈1与五金件2之间产生物质阻碍，增强摄像头装饰圈1的焊接效果，提高装饰圈1焊接的可靠性和良率，而且提高产品的外观美观度。
[0042]进一步的，缺口 4的开口朝外，进一步的，缺口 4的开口朝向远离装饰圈1中心孔的径向方向开设。
[0043]更进一步的，缺口 4的截面可以为半圆形或L形，还可以为其他多边形，其具体形状可根据生产需求进行设计或调整。
[0044]以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种层叠式焊接结构，包括第一五金件和第二五金件，所述第一五金件与第二五金件焊接，且第一五金件叠置在第二五金件的上方，第二五金件的焊接处设置有镭雕区，其特征在于:所述第一五金件外边缘下部设置有向内凹陷的缺口，所述第二五金件的镭雕区外边缘位于缺口的下方。2.根据权利要求1所述的层叠式焊接结构，其特征在于:所述缺口的截面为半圆形或L形。3.根据权利要求1或2所述的层叠式焊接结构，其特征在于:所述第一五金件上设置有与第二五金件上相对应的镭雕区，且该镭雕区的面积不小于第二五金件上的镭雕区的面积。4.根据权利要求1所述的层叠式焊接结构，其特征在于:所述第一五金件为摄像头装饰圈，第二五金件为连接摄像头装饰圈与摄像头外壳的连接件。5.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具有如权利要求1至4任一项所述的层叠式焊接结构。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为手机。
【专利摘要】本实用新型公开一种层叠式焊接结构，涉及五金件焊接技术领域。该层叠式焊接结构包括第一五金件和第二五金件，所述第一五金件与第二五金件焊接，且第一五金件叠置在第二五金件的上方，第二五金件的焊接处设置有镭雕区，所述第一五金件外边缘下部设置有向内凹陷的缺口，所述第二五金件的镭雕区外边缘位于缺口的下方。同时公开一种具有该层叠式焊接结构的电子设备。本实用新型有效避免两五金件之间产生物质阻碍，增强两五金件的焊接效果，提高两五金件焊接的可靠性和良率，而且提高产品的外观美观度。
【IPC分类】H04M1/02, B23K26/362
【公开号】CN204993514
【申请号】CN201520779761
【发明人】赵斌, 曾武春
【申请人】广东欧珀移动通信有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年10月9日